Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1149284), страница 24

Файл №1149284 Диссертация (Взаимодействие водорода с дислокационными сетками сращенных пластин кремния) 24 страницаДиссертация (1149284) страница 242019-06-29СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 24)

1989. Т. 39. № 15. —C. 10809-10824.131.DeLeo G.G., Fowler W.B. Hydrogen-acceptor pairs in silicon: Pairing effect on thehydrogen vibrational frequency // Phys Rev B Condens Matter. 1985. Т. 31. № 10. — C.6861-6864.132.Chang K., Chadi D. Theory of hydrogen passivation of shallow-level dopants in crystallinesilicon // Physical Review Letters. 1988. Т. 60. № 14. — C. 1422-1425.133.Bonapasta A.A., Giannozzi P., Capizzi M. Silicon-Hydrogen-Acceptor Complexes inCrystalline Silicon // Physical Review B. 1992.

Т. 45. № 20. — C. 11744-11748.134.Stavola M., Pearton S.J., Lopata J., Dautremontsmith W.C. Vibrational Characteristics ofAcceptor-Hydrogen Complexes in Silicon // APPLIED PHYSICS LETTERS. 1987. Т. 50.№ 16. — C. 1086-1088.139135.Stutzmann M. Hydrogen Passivation of Boron Acceptors in Silicon - Raman Studies //Physical Review B. 1987. Т. 35. № 11. — C. 5921-5924.136.Stavola M., Pearton S., Lopata J., Dautremont-Smith W.

Vibrational spectroscopy ofacceptor-hydrogen complexes in silicon: Evidence for low-frequency excitations // PhysicalReview B. 1988. Т. 37. № 14. — C. 8313-8318.137.Bergman K., Stavola M., Pearton S.J., Lopata J. Donor-Hydrogen Complexes in PassivatedSilicon // Physical Review B.

1988. Т. 37. № 5. — C. 2770-2773.138.Tripathi D., Srivastava P.C., Chandra S. Hydrogen Passivation Studies on Pd-N-Type-SiDiodes // Physical Review B. 1989. Т. 39. № 18. — C. 13420-13425.139.Chevallier J., Aucouturier M. Hydrogen in Crystalline Semiconductors // Annual Review ofMaterials Science. 1988. Т. 18. — C. 219-256.140.Zhang S.B., Chadi D.J. Microscopic Structure of Hydrogen Shallow-Donor Complexes inCrystalline Silicon // Physical Review B. 1990. Т. 41. № 6. — C.

3882-3884.141.Bonapasta A., Giannozzi P., Capizzi M. Vibrational frequencies of Si-P-H complexes incrystalline silicon: A theoretical study // Physical Review B. 1990. Т. 42. № 5. — C. 31753178.142.Denteneer P.J., Van de Walle C.G., Pantelides S.T. Microscopic structure of the hydrogenphosphorus complex in crystalline silicon // Phys Rev B Condens Matter.

1990. Т. 41. № 6.— C. 3885-3888.143.Zhou Y., Luchsinger R., Meier P.F. Theoretical study of H-P and H-B complexes in silicon// Phys Rev B Condens Matter. 1995. Т. 51. № 7. — C. 4166-4171.144.Bonapasta A., Lapiccirella A., Tomassini N., Capizzi M. Si-P-H complexes in crystalsilicon: A theoretical study // Physical Review B. 1989. Т. 39. № 17. — C. 12630-12632.145.DeLeo G.G., Fowler W.B., Sudol T.M., O'Brien K.J. Semiempirical electronic-structurecalculations of the hydrogen-phosphorus pair in silicon // Phys Rev B Condens Matter. 1990.Т.

41. № 11. — C. 7581-7586.146.Bonapasta A.A., Giannozzi P., Capizzi M. Structural and Vibrational Properties of the Si-HAl Complex in Crystalline Silicon // Physical Review B. 1991. Т. 44. № 7. — C. 3399-3402.147.Van de Walle C. Energies of various configurations of hydrogen in silicon // PhysicalReview B. 1994. Т. 49. № 7. — C. 4579-4585.140148.Kisielowski-Kemmerich C., Beyer W. Hydrogen desorption from crystalline silicon and itsmodification due to the presence of dislocations // Journal of Applied Physics.

1989. Т. 66.№ 2. — C. 552.149.Park Y., Lu J., Rozgonyi G. Segregation and Thermal Dissociation of Hydrogen at the(110)/(001) Silicon Grain Boundary // Electronic Materials Letters. 2010. Т. 6. № 1. — C. 15.150.Matsubara M., Godet J., Pizzagalli L. Investigation of the interaction between hydrogen andscrew dislocation in silicon by first-principles calculations // Journal of Physics: CondensedMatter. 2010. Т.

22. № 3. — C. 035803.151.Heggie M.I., Jones R., Umerski A. Ab-Initio Total-Energy Calculations of Impurity Pinningin Silicon // Physica Status Solidi a-Applied Research. 1993. Т. 138. № 2. — C. 383-387.152.Pizzini S. Chemistry and physics of segregation of impurities at extended defects in silicon //Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science. 1999.

Т. 171. № 1. — C. 123132.153.Buda F., Chiarotti G., Car R., Parrinello M. Proton diffusion in crystalline silicon // PhysicalReview Letters. 1989. Т. 63. № 3. — C. 294-297.154.Pearton S.J., Corbett J.W., Shi T.S. Hydrogen in Crystalline Semiconductors // AppliedPhysics a-Materials Science & Processing. 1987. Т. 43. № 3.

— C. 153-195.155.Carlson D.E., Magee C.W. Sims Analysis of Deuterium Diffusion in HydrogenatedAmorphous Silicon // Applied Physics Letters. 1978. Т. 33. № 1. — C. 81-83.156.Capizzi M., Mittiga A. Hydrogen in Si - Diffusion and Shallow Impurity Deactivation //Physica B & C. 1987. Т. 146. № 1-2. — C. 19-29.157.Zhu J., Johnson N., Herring C. Negative-charge state of hydrogen in silicon // PhysicalReview B. 1990.

Т. 41. № 17. — C. 12354-12357.158.Johnson N., Herring C. Diffusion of negatively charged hydrogen in silicon // PhysicalReview B. 1992. Т. 46. № 23. — C. 15554-15557.159.Estreicher S.K., Hastings J.L., Fedders P.A. Defect-induced dissociation of H-2 in silicon //Physical Review B. 1998. Т. 57. № 20. — C. R12663-R12665.160.Shi T.S., Sahu S.N., Corbett J.W., Snyder L.C.

// Scientica Sinica. 1984. Т. 27. № 98.161.Herrero C., Stutzmann M., Breitschwerdt A., Santos P. Trap-limited hydrogen diffusion indoped silicon // Physical Review B. 1990. Т. 41. № 2. — C. 1054-1058.141162.Zundel T., Weber J. Trap-limited hydrogen diffusion in boron-doped silicon // PhysicalReview B.

1992. Т. 46. № 4. — C. 2071-2077.163.Zundel T., Weber J. Dissociation-Energies of Shallow-Acceptor Hydrogen Pairs in Silicon //Physical Review B. 1989. Т. 39. № 18. — C. 13549-13552.164.Ishikawa Y., Yamamoto C., Tabe M. Single-electron tunneling in a silicon-on-insulator layerembedding an artificial dislocation network // APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. Т. 88.№ 7. — C.

073112.165.Legros M., Dehm G., Arzt E., Balk T.J. Observation of giant diffusivity along dislocationcores // Science. 2008. Т. 319. № 5870. — C. 1646-1649.166.Ewels C.P., Leoni S., Heggie M.I., Jemmer P., Hernandez E., Jones R., Briddon P.R.Hydrogen interaction with dislocations in Si // Physical Review Letters.

2000. Т. 84. № 4.— C. 690-693.167.Murray R., Brown A.R., Newman R.C. Enhanced Thermal Donor Formation and OxygenDiffusion in Silicon Exposed to a Hydrogen Plasma // Materials Science and Engineering BSolid State Materials for Advanced Technology. 1989. Т. 4. № 1-4. — C. 299-302.168.Yamashita Y., Jyobe F., Kamiura Y., Maeda K. Hydrogen enhanced dislocation glides insilicon // Physica Status Solidi a-Applied Research.

1999. Т. 171. № 1. — C. 27-34.169.Estreicher S.K. Interstitial-O in Si and Its Interactions with H // Physical Review B. 1990. Т.41. № 14. — C. 9886-9891.170.Holm B., Bonde Nielsen K., Bech Nielsen B. Deep state of hydrogen in crystalline silicon:Evidence for metastability // Physical Review Letters. 1991.

Т. 66. № 18. — C. 2360-2363.171.Johnson N.M., Herring C., Vandewalle C.G. Inverted Order of Acceptor and Donor Levelsof Monatomic Hydrogen in Silicon // Physical Review Letters. 1994. Т. 73. № 1. — C. 130133.172.Sachse J.U., Sveinbjornsson E.O., Yarykin N., Weber J. Similarities in the electricalproperties of transition metal-hydrogen complexes in silicon // Materials Science andEngineering B-Solid State Materials for Advanced Technology.

1999. Т. 58. № 1-2. — C.134-140.173.Yarykin N.A., Weber J. Identification of copper-copper and copper-hydrogen complexes insilicon // Semiconductors. 2013. Т. 47. № 2. — C. 275-278.142174.Kveder V., Badylevich M., Steinman E., Izotov A., Seibt M., Schröter W. Roomtemperature silicon light-emitting diodes based on dislocation luminescence // APPLIEDPHYSICS LETTERS.

2004. Т. 84. № 12. — C. 2106.175.Kveder V., Badylevich M., Schröter W., Seibt M., Steinman E., Izotov A. Silicon lightemitting diodes based on dislocation-related luminescence // physica status solidi (a). 2005.Т. 202. № 5. — C. 901-910.176.Feklisova O.V., Yarykin N.A. Transformation of deep-level spectrum of irradiated silicondue to hydrogenation under wet chemical etching // Semiconductor Science and Technology.1997.

Т. 12. № 6. — C. 742-749.177.Kononchuk O., Boedt F., Allibert F. Internal Dissolution of Buried Oxide in SOI Wafers //Solid State Phenomena. 2008. Т. 131-133. — C. 113-118.178.Fournel F., Moriceau H., Aspar B., Rousseau K., Eymery J.l., Rouvière J.-L., Magnea N.l.Accurate control of the misorientation angles in direct wafer bonding // APPLIED PHYSICSLETTERS.

2002. Т. 80. № 5. — C. 793.179.Григорьев С.Н., Косевич В.М., Космачёв С.М., Мышляев М.М., Максимов С.К.,Палатник Л.С., Пикус Е.А., Русакова И.А., Сокол А.А., Федоренко А.И., Ходос И.И.,Черняков Э.И., Чернякова Л.Е. Электронно микроскопические изображениядислокаций и дефектов упаковки.А. А.В. — М.: Наука, 1976. — 224.180.Vdovin V.I., Ubyivovk E.V., Vyvenko O.F. Regularities in the formation of dislocationnetworks on the boundary of bonded Si(001) wafers // Semiconductors.

2013. Т. 47. № 2. —C. 264-268.181.Knotter D.M. Etching Mechanism of Vitreous Silicon Dioxide in HF-Based Solutions //Journal of the American Chemical Society. 2000. Т. 122. № 18. — C. 4345-4351.182.Robbins H., Schwartz B. Chemical Etching of Silicon .1. The System Hf,Hno3, and H2o //Journal of the Electrochemical Society. 1959. Т. 106. № 6. — C. 505-508.183.Tavendale A.J., Alexiev D., Williams A.A. Field Drift of the Hydrogen-Related, AcceptorNeutralizing Defect in Diodes from Hydrogenated Silicon // Applied Physics Letters. 1985.Т. 47. № 3.

— C. 316-318.184.Orton P., Blood J.W. The Electircal Characterization of Semiconductors - Majority Carriersand Electron States March N.H. — Oxford, England: Academic Press Limited, 1992. —735.143185.Lang D.V. Deep-Level Transient Spectroscopy - New Method to Characterize Traps inSemiconductors // Journal of Applied Physics. 1974. Т. 45. № 7. — C. 3023-3032.186.Lang D.V. Space charge spectroscopy in sc.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Почему делать на заказ в разы дороже, чем купить готовую учебную работу на СтудИзбе? Наши учебные работы продаются каждый год, тогда как большинство заказов выполняются с нуля. Найдите подходящий учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6934
Авторов
на СтудИзбе
266
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее