Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1149284), страница 23

Файл №1149284 Диссертация (Взаимодействие водорода с дислокационными сетками сращенных пластин кремния) 23 страницаДиссертация (1149284) страница 232019-06-29СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 23)

1980. Т. 35-6. № Jan-. — C. 231-236.83.Stein H.J. Bonding and Thermal-Stability of Implanted Hydrogen in Silicon // Journal ofElectronic Materials. 1975. Т. 4. № 1. — C. 159-174.84.Gu B.Y., Xu Z.Y., Ge P.W. Infrared-Absorption of Local Mode Caused by ImpurityHydrogen in Single-Crystal Silicon // Scientia Sinica Series a-Mathematical PhysicalAstronomical & Technical Sciences. 1985. Т.

28. № 7. — C. 740-751.85.Pankove J.I., Zanzucchi P.J., Magee C.W., Lucovsky G. Hydrogen localization near boron insilicon // APPLIED PHYSICS LETTERS. 1985. Т. 46. № 4. — C. 421.86.Leitch A.W.R., Alex V., Weber J. Raman spectroscopy of hydrogen molecules in crystallinesilicon // Physical Review Letters. 1998. Т. 81. № 2. — C.

421-424.13587.Feklisova O., Yarykin N., Yakimov E., Weber J. Hydrogen interaction with defects inelectron-irradiated silicon // Physica B-Condensed Matter. 1999. Т. 273-4. — C. 235-238.88.Shi T.S., Xie L.M., Bai G.R., Qi M.W. The Nature of 2 Intense Si-H Ir Stretching Bands inFz-Si-H // Physica Status Solidi B-Basic Research. 1985. Т. 131.

№ 2. — C. 511-517.89.Pritchard R.E., Ashwin M.J., Tucker J.H., Newman R.C. Isolated interstitial hydrogenmolecules in hydrogenated crystalline silicon // Physical Review B. 1998. Т. 57. № 24. — C.15048-15051.90.Van de Walle C.G. Energetics and vibrational frequencies of interstitial H-2 molecules insemiconductors // Physical Review Letters. 1998. Т. 80. № 10. — C.

2177-2180.91.Stoicheff B.P. High Resolution Raman Spectroscopy of Gases .9. Spectra of H2, HD, andD2 // Canadian Journal of Physics. 1957. Т. 35. № 6. — C. 730-&.92.Okamoto Y., Saito M., Oshiyama A. Comparative study of vibrational frequencies of H-2molecules in Si and GaAs // Physical Review B. 1997. Т. 56. № 16. — C.

10016-10019.93.Estreicher S.K. Hydrogen-Related Defects in Crystalline Semiconductors - a TheoristsPerspective // Materials Science & Engineering R-Reports. 1995. Т. 14. № 7-8. — C. 319412.94.Murakami K., Fukata N., Sasaki S., Ishioka K., Kitajima M., Fujimura S., Kikuchi J.,Haneda H. Hydrogen molecules in crystalline silicon treated with atomic hydrogen //Physical Review Letters. 1996. Т.

77. № 15. — C. 3161-3164.95.Chang K., Chadi D. Hydrogen bonding and diffusion in crystalline silicon // PhysicalReview B. 1989. Т. 40. № 17. — C. 11644-11653.96.Holbech J.D., Nielsen B.B., Jones R., Sitch P., Oberg S. H*2 Defect in Crystalline Silicon //Physical Review Letters. 1993. Т. 71. № 6. — C. 875-878.97.Shi T.S., Sahu S.N., Oehrlein G.S., Hiraki A., Corbett J.W. Models for the HydrogenRelated Defect Impurity Complexes and Si-H Infrared Bands in Crystalline Silicon //Physica Status Solidi a-Applied Research. 1982.

Т. 74. № 1. — C. 329-341.98.Leitch A.W.R., Alex V., Weber J. H-2 molecules in c-Si after hydrogen plasma treatment //Solid State Communications. 1998. Т. 105. № 4. — C. 215-219.99.Van de Walle C., Denteneer P., Bar-Yam Y., Pantelides S. Theory of hydrogen diffusion andreactions in crystalline silicon // Physical Review B. 1989. Т. 39.

№ 15. — C. 10791-10808.136100.Gerasimenko N.N., Rolle M., Cheng L.J., Lee Y.H., Corelli J.C., Corbett J.W. InfraredAbsorption of Silicon Irradiated by Protons // Physica Status Solidi B-Basic Research. 1978.Т. 90. № 2. — C. 689-695.101.Deak P., Snyder L.C., Heinrich M., Ortiz C.R., Corbett J.W. Hydrogen Complexes and TheirVibrations in Undoped Crystalline Silicon // Physica B.

1991. Т. 170. № 1-4. — C. 253-258.102.Budde M., Lupke G., Cheney C.P., Tolk N.H., Feldman L.C. Vibrational lifetime of bondcenter hydrogen in crystalline silicon // Physical Review Letters. 2000. Т. 85. № 7. — C.1452-1455.103.Budde M., Cheney C.P., Lupke G., Tolk N.H., Feldman L.C. Vibrational dynamics of bondcenter hydrogen in crystalline silicon // Physical Review B. 2001. Т. 63. № 19.104.Stein H.J. Vacancies and the Chemical Trapping of Hydrogen in Silicon // Physical ReviewLetters. 1979. Т. 43. № 14. — C.

1030-1033.105.Deák P., Snyder L., Corbett J. State and motion of hydrogen in crystalline silicon // PhysicalReview B. 1988. Т. 37. № 12. — C. 6887-6892.106.Gorelkinskii Y.V., Nevinnyi N.N. Electron Paramagnetic Resonance of Hydrogen in Silicon// Physica B. 1991. Т. 17. — C. 155-167107.Hitti B., Kreitzman S.R., Estle T.L., Bates E.S., Dawdy M.R., Head T.L., Lichti R.L.Dynamics of negative muonium in n-type silicon // Physical Review B. 1999. Т.

59. № 7. —C. 4918-4924.108.Cox S.E.J., Symons M.C.R. Mu-Sr Spectroscopy on Free-Radicals - a Complement toElectron-Spin-Resonance Spectroscopy // Hyperfine Interactions. 1986. Т. 32. № 1-4. — C.689-706.109.Deak P., Snyder L.C., Lindstrom J.L., Corbett J.W., Pearton S.J., Tavendale A.J. The SelfTrapping of Hydrogen in Semiconductors // Physics Letters A.

1988. Т. 126. № 7. — C.427-430.110.Nielsen B.B. Interaction of Deuterium with Defects in Silicon Studied by Means ofChanneling // Physical Review B. 1988. Т. 37. № 11. — C. 6353-6367.111.Deak P., Heinrich M., Snyder L.C., Corbett J.W. Hydrogen-Related Vibrations in CrystallineSilicon // Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for AdvancedTechnology. 1989.

Т. 4. № 1-4. — C. 57-62.137112.Burrows V.A., Chabal Y.J., Higashi G.S., Raghavachari K., Christman S.B. InfraredSpectroscopy of Si(111) Surfaces after Hf Treatment - Hydrogen Termination and SurfaceMorphology // Applied Physics Letters. 1988. Т. 53. № 11. — C. 998-1000.113.Dumas P., Chabal Y.J., Higashi G.S. Coupling of an Adsorbate Vibration to a SubstrateSurface Phonon - H on Si(111) // Physical Review Letters. 1990. Т.

65. № 9. — C. 11241127.114.Jakob P., Chabal Y.J. Chemical Etching of Vicinal Si(111) - Dependence of the SurfaceStructure and the Hydrogen Termination on the Ph of the Etching Solutions // Journal ofChemical Physics. 1991. Т. 95. № 4. — C. 2897-2909.115.Higashi G.S., Chabal Y.J., Trucks G.W., Raghavachari K. Ideal Hydrogen Termination ofthe Si-(111) Surface // Applied Physics Letters. 1990. Т. 56. № 7.

— C. 656-658.116.Morin M., Jakob P., Levinos N.J., Chabal Y.J., Harris A.L. Vibrational-Energy Transfer onHydrogen-Terminated Vicinal Si(111) Surfaces - Interadsorbate Energy-Flow // Journal ofChemical Physics. 1992. Т. 96. № 8. — C. 6203-6212.117.Bai G.R., Qi M.W., Xie L.M., Shi T.S. The Isotope Study of the Si-H Absorption Peaks inthe FZ-Si Grown in Hydrogen Atmosphere.

// Solid State Communications. 1985. Т. 56. №3. — C. 277-281.118.Xie L.M., Qi M.W., Chen J.M. The Nature of Several Intense Si-H Infrared Stretching Peaksin the Neutron-Transmutation-Doped Si-H System // Journal of Physics-Condensed Matter.1991. Т.

3. № 44. — C. 8519-8528.119.Mukashev B.N., Nussupov K.H., Tamendarov M.F. New Infrared-Absorption Bands inHydrogen-Implanted Silicon // Physics Letters A. 1979. Т. 72. № 4-5. — C. 381-383.120.Chabal Y.J. Infrared spectroscopy of hydrogen on silicon surfaces // Physica B. 1991. Т. 170— C. 447-456.121.Niwano M., Kageyama J., Kurita K., Kinashi K., Takahashi I., Miyamoto N. InfraredSpectroscopy Study of Initial-Stages of Oxidation of Hydrogen-Terminated Si SurfacesStored in Air // Journal of Applied Physics.

1994. Т. 76. № 4. — C. 2157-2163.122.Kitahara K., Ogasawara H., Kambara J., Kobata M., Ohashi Y. Characterization of Defectsin Polycrystalline Silicon Thin Films Using Chemical Etching, Hydrogenation, and RamanSpectroscopy // Japanese Journal of Applied Physics. 2008. Т. 47. № 1. — C. 54-58.138123.Kitahara K., Ishii T., Suzuki J., Bessyo T., Watanabe N. Characterization of Defects andStress in Polycrystalline Silicon Thin Films on Glass Substrates by Raman Microscopy //International Journal of Spectroscopy.

2011. Т. 2011. — C. 1-14.124.Nielsen B.B., Hoffmann L., Budde M. Si-H stretch modes of hydrogen-vacancy defects insilicon // Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for AdvancedTechnology. 1996. Т. 36. № 1-3. — C. 259-263.125.Stallinga P., Johannesen P., Herstrom S., Nielsen K.B., Nielsen B.B., Byberg J.R. Electronparamagnetic resonance study of hydrogen-vacancy defects in crystalline silicon // PhysicalReview B.

1998. Т. 58. № 7. — C. 3842-3852.126.Budde M. Hydrogen-Related Defects in Proton-Implanted Silicon and Germanium // 1998.127.Cui S.F., Mai Z.H., Ge P.W., Shen D.Y. Infrared-Absorption Spectra of Si-H Bond inSilicon and the Related Bond Properties // Kexue Tongbao. 1982. Т. 27. № 4. — C. 382388.128.Budde M., Nielsen B.B., Leary P., Goss J., Jones R., Briddon P.R., Oberg S., Breuer S.J.Identification of the hydrogen-saturated self-interstitials in silicon and germanium // PhysicalReview B.

1998. Т. 57. № 8. — C. 4397-4412.129.Bech Nielsen B., Hoffmann L., Budde M. Si-H stretch modes of hydrogen-vacancy defectsin silicon. // Materials Science and Engineering B. 1996. Т. 36. — C. 259-263.130.Denteneer P.J., Van de Walle C.G., Pantelides S.T. Microscopic structure of the hydrogenboron complex in crystalline silicon // Phys Rev B Condens Matter.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Почему делать на заказ в разы дороже, чем купить готовую учебную работу на СтудИзбе? Наши учебные работы продаются каждый год, тогда как большинство заказов выполняются с нуля. Найдите подходящий учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6934
Авторов
на СтудИзбе
266
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее