Диссертация (1149284), страница 25
Текст из файла (страница 25)
// Applied Physics. 1979. Т. 37. — C. 95-133.187.Istratov A.A. The resolution limit of traditional correlation functions for deep level transientspectroscopy // Review of Scientific Instruments. 1997. Т. 68. № 10. — C. 3861-3865.188.Istratov A.A. New correlation procedure for the improvement of resolution of deep leveltransient spectroscopy of semiconductors // Journal of Applied Physics. 1997. Т.
82. № 6. —C. 2965-2968.189.Pearton S.J., Corbett J.W., Borenstein J.T. Hydrogen Diffusion in CrystallineSemiconductors // Physica B. 1991. Т. 170. № 1-4. — C. 85-97.190.Wang D.S., Chew H., Kerker M. Enhanced Raman scattering at the surface (SERS) of aspherical particle // Appl Opt. 1980. Т.
19. № 14. — C. 2256-7.191.Connell G.A.N., Nemanich R.J., Tsai C.C. Interference enhanced Raman scattering fromvery thin absorbing films // Applied Physics Letters. 1980. Т. 36. № 1. — C. 31-33.192.Loshachenko A., Bondarenko A., Vyvenko O., Kononchuk O. Impact of hydrogen onelectrical levels and luminescence of dislocation network at the interface of hydrophilicallybonded silicon wafers // physica status solidi (c).
2013. Т. 10. № 1. — C. 36-39.193.Vysotskii N.V., Loshachenko A.S., Vyvenko O.F. Atomic configuration and charge state ofhydrogen at dislocations in silicon // Semiconductors. 2017. Т. 51. № 3. — C. 293-298.194.Loshachenko A.S., Vyvenko O.F., Kononchuk O. Kinetics of Hydrogen Motion viaDislocation Network in Hydrophilically Direct Bonded Silicon Wafers // Solid StatePhenomena. 2013. Т. 205-206.
— C. 341-345.195.Vysotskii N., Loshachenko A., Borisov E., Vyvenko O. Raman spectroscopy of monoatomichydrogen at dislocations in silicon // Journal of Physics: Conference Series. 2016. Т. 690. —C. 012004.196.Peng C.-Y., Huang C.-F., Fu Y.-C., Yang Y.-H., Lai C.-Y., Chang S.-T., Liu C.W.Comprehensive study of the Raman shifts of strained silicon and germanium // Journal ofApplied Physics 2009.
Т. 105. № 8. — C. 083537.197.Volodin V.A., Koshelev D.I. Quantitative analysis of hydrogen in amorphous silicon usingRaman scattering spectroscopy // J. Raman Spectrosc. 2013. Т. 44. — C. 1760–1764.144198.Van de Walle C.G., Denteneer P.J.H., Bar-Yam Y., Pantelides S.T. Theory of hydrogendiffusion and reactions in crystalline silicon // Physical Review B.
1989. Т. 39. № 15. — C.10791-10808.199.Auret F.D., Kleinhenz R., Schneider C.P. Deep Level Transient Spectroscopy of DefectsIntroduced by Resistive Evaporation of Metals on Silicon // APPLIED PHYSICSLETTERS. 1984. Т. 44. № 2. — C. 209-211.200.Auret F.D., Mooney P.M. Transient Capacitance Study of Defects Introduced by ElectronBeam Deposition of Metals on P-Type Silicon // Journal of Applied Physics. 1984. Т. 55. №4. — C.
984-987.201.Paz O., Auret F.D., White J.F. Characterization of Rf Sputter-Deposited Ti-W SchottkyBarrier Diodes in Boron-Doped Silicon // Journal of the Electrochemical Society. 1984. Т.131. № 7. — C. 1712-1715.202.Meijer E., Ledebo L.A., Wang Z.G. Influence from Free-Carrier Tails in Deep LevelTransient Spectroscopy (DLTS) // Solid State Communications.
1983. Т. 46. № 3. — C.255-258.203.Trushin M.V. Electronic properties of interfaces produced by silicon wafer hydrophilicbonding.: Technische Universität Cottbus, 2011.204.Mchedlidze T., Matsumoto K., Asano E. Electrical activity of defects induced by oxygenprecipitation in Czochralski-grown silicon wafers // Japanese Journal of Applied PhysicsPart 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers. 1999.
Т. 38. № 6A. — C. 3426-3432.205.Истратов А.А., Вывенко О.Ф. Глубокие центры в монокристаллах сульфида кадмия:новый метод сопоставления данных DLTS различных авторов // Физика и техникаполупроводников. 1995. Т. 29. № 4. — C. 654-664.206.Jaworowski A.E., Wielunski L.S., Listerman T.W. Direct measurement of the subsurfacehydrogen barrier layer in plasma-treated silicon ribbon.
// Materials Research SocietySymposia Proceedings. 1985. Т. 46. — C. 561-565.207.Jaworowski A.E. Hydrogen in the near-Surface of Crystalline Silicon // Radiation Effectsand Defects in Solids. 1989. Т. 112. № 1-2. — C. 167-176.145БлагодарностиВ первую очередь, хотелось бы выразить искреннюю благодарность научномуруководителю д. ф.-м. н., профессору Вывенко Олегу Фёдоровичу, за постояннуювсеобъемлющую поддержку, нескончаемый поток оптимизма и мотивацию на всёмпротяжении, как учёбы, так и научной деятельности.
За постановку интересныхнетривиальных задач, помощь в их решении, обсуждении и трактовке, полученныхэкспериментальных результатов.Также хочется выразить признательность д. ф.-м. н., ведущему научномусотруднику ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН Соболеву Николаю Алексеевичу за интерес кданной работе, бесценные советы и плодотворное сотрудничество.Коллективам лаборатории электронной и ионной микроскопии кафедры электроникитвёрдоготелаиМеждисциплинарногоРесурсногоЦентрапонаправлению«Нанотехнологии» Научного Парка СПбГУ, с кем посчастливилось работать все эти годы.За обсуждение, критические замечания и предложения по содержанию настоящей работывыражаю благодарность к.
ф.-м. н., доценту, Петрову Юрию Владимировичу ик.ф.-м.н.,старшемунаучномусотрудникуБондаренкоАнтонуСергеевичу.Высотскому Никите Владимировичу за помощь и непосредственное участие в проведенииэкспериментов, описанных в данной работе.Компании SOITEC и лично Олегу Конончуку за изготовление и предоставлениеобразцов сращенных пластин кремния, которые во много и определили оригинальностьнастоящей работе.Ресурсным центрам «Оптические и лазерные методы исследования вещества» и«Диагностика функциональных материалов для медицины и фармакологии» Научного ПаркаСПбГУ и лично Борисову Евгению и Ревегуку Захару за проведение измерений спектровкомбинационного рассеяния..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
