Н. Ашкрофт, Н. Мермин - Физика твердого тела (1119323), страница 3
Текст из файла (страница 3)
См. также Дислокации Винтовая ось I 121 (с),134Вихревые линии в сверхпроводниках II 347, 348и квант магнитного потока II 348 (с)и теория Гинзбурга — Ландау II 363 (с)Волновой вектор Ферми I 49, 51выраженный через rs I 49и электронная плотность в приближении свободных электронов I 49соотношение с дебаевским волновым вектором II 86 (с)Волновые векторы, их плотность I 48, 143Волновые пакеты фононные II 124— — электронные I 219, 220Волновые функции электронов в атоме и межатомное расстояние I 181, II 6Волны спиновой плотности II 299Восприимчивость магнитная II 260антиферромагнетиков II 315атомная II 261—265, 268—270атомов инертных газов II 264в приближении молекулярного поля (закон Кюри — Вейсса) II 332высокотемпературная (в модели Гейзенберга) II 323—326— и вычисление критической температуры II 326диамагнитная Ландау II 280, 282диамагнитная Лармора II 263—265Ланжевена II 264 (с)ионов в щелочно-галоидных соединениях II 264ионов с частично заполненными оболочками II 268—270молярная II 264особенность при Tc II 315парамагнитная Паули см.
ПарамагнетизмВремя между столкновениями см. Время релаксацииВремя рекомбинации II 223Время релаксации I 21выраженное через удельное сопротивление I 23для изотропного упругого рассеяния электронов на примесях I 326для фононов II 126—131— — в процессах переброса и нормальных процессах II 135для электрон-фононного рассеяния II 151для электрон-электронного рассеяния I 346—348зависящее от координат I 250 (с)— — — в полупроводниках II 221, 223и вероятность столкновения I 316и распределение Пуассона I 40, 41Вронскиан I 154Второй звук II 133—135Выпрямляющее действие p — n-перехода II 217—220, 225—230Вырожденные полупроводники II 195; см. также ПолупроводникиГаз классическийраспространение звука в нем II 134, 135сравнение с газом фононов II 128 (с), 131 (с), 134— — электронами в невырожденных полупроводниках II 207, 208Газ электронов см. Приближение свободных электронов; Электронный газГальваномагнитные эффекты см.
Магнето-сопротивление; Эффект ХоллаГармонический осциллятор (квантовый) II 371Гармоническое приближение II 52, 53, 115динамический структурный фактор в этом приближении II 383—385его недостаточность II 115, 116и бесконечная теплопроводность II 124и зависимость частот нормальных колебаний от объема II 118, 119используемое для описания колебаний решетки II 50—78и теория теплоемкости II 79—96квантовая теория II 371—374отличие от предположения о малой амплитуде колебаний II 115форма в случае парного потенциала II 53энергетические уровни N-ионного кристалла II 80.См.
также Ангармонические члены; Колебания решетки; ФононыГексагональная кристаллическая система I 126, 127Гексагональная плотноупакованная структура I 86—91и гранецентрированная кубическая решетка Бравэ I 90и плотная упаковка сфер I 90и почти свободные электроны I 173—175, 299, 300отношение с/а I 89, 90спин-орбитальное взаимодействие в ней I 175, 299структурный фактор I 117, 118элементы с этой структурой I 89.См.
также Простая Гексагональная решетка БравэГелий твердый давление кристаллизации (при Т = 0) II 28 (с)и гармоническое приближение II 53и предположение о малой амплитуде колебаний II 115, 117и рассеяние нейтронов (в Не3) II 97и теория квантовых кристаллов II 51 (с)Геликоны I 41, 42Генерация носителей тока II 223.
См. также ПолупроводникиГеометрический структурный фактор см. Структурный факторГибридизация I 185Гистерезис (магнитный) II 335Глубина проникновения II 353. См. также Сверхпроводимость; УравнениеЛондонов «Голые» ионы II 142Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ I 81, 82зоны Бриллюэна выше первой I 169p-зоны в методе сильной связи I 193s-зоны в методе сильной связи I 186—188и гексагональная плотноупакованная структура I 90, 91и плотная упаковка сфер I 91координационное число I 83основные векторы I 81основные векторы обратной решетки I 97, 98первая зона Бриллюэна I 99— — — обозначения точек высокой симметрии I 188поверхность Ферми в приближении свободных электронов I 171, 172решетка, обратная к ней I 97решеточные суммы II 30, 31связь с центрированной тетрагональной решеткой I 124упаковочный множитель I 94уровни свободных электронов в ней I 167условная ячейка I 85элементы с этой решеткой I 82ячейка Вигнера — Зейтца I 86Гранецентрированная ромбическая решетка I 125Граница зерен II 253Граница кручения II 255Граничные условия I 46Борна — Кармана (периодические) для блоховских электронов I 142— — в методе сильной связи I 183 (с)— — для линейной цепочки II 59— — для свободных электронов I 46— — для спиновых волн II 319 (с)для газа свободных электронов I 46на поверхностях I 368Группа см.
Пространственные группы; Точечные группыДальнодействующее взаимодействие и колебания решетки II 68 (с), 76— — — в ионных кристаллах II 170—173— — — в металлах II 139и работа выхода I 354и решеточные суммы II 34—37.См. также Кулоновский потенциалДвойникование II 250 (с), 254Двойной слой на поверхности I 357, 358Двоякопреломляющие кристаллы I 390Двухвалентные металлы I 298—300Двухжидкостная модель II 351Дебаевская температура (QD)для некоторых элементов II 88зависимость от температуры II 87, 88щелочно-галоидных кристаллов II 87Дебаевская частота ωD II 86— — сравнение с энергией Ферми II 155Дебаевский волновой вектор (kD) II 85, 86— — — соотношение с фермиевским волновым вектором II 86 (с)Де-Бройля длина волны I 47— — — численная связь с энергией электронов I 365Дельта-символ Кронекера I 96Дефекты в кристаллах II 233—258границы зерен, II 255двумерные II 233, 254, 255дефекты упаковки II 254дислокации II 247—255и проводимость ионных кристаллов II 238, 239и процесс намагничивания II 335и центры окраски II 239—243как рассеивающие центры I 218, 314магнитные примеси II 302—304отжиг II 238смешанные, Френкеля и Шоттки II 256термодинамика линейных и двумерных дефектов II 237, 238термодинамика точечных дефектов (Френкеля, Шоттки или смешанных) II234—238, 256точечные, линейные и двумерные II 233Френкеля II 237Шоттки II 234См.
также Дислокации; Центры окраски Деформационное упрочнение II253Деформационный двойник II 254Джоулево тепло I 41, 254 (с)Диамагнетизматомный (ларморовский) II 263—268— в ионных кристаллах II 264— в твердых инертных газах II 264— сравнение с магнетизмом электронов проводимости в металлах II 284— — с парамагнетизмом, описываемым законом Кюри II 284в легированных полупроводниках II 282идеальный (эффект Мейснера) II 342, 345, 353Ландау II 280См. также Восприимчивость; Эффект де Гааза — ван АльфенаДинамика решетки см.
Колебания решеткиДинамическая матрица II 67для кристалла с г. ц. к. решеткой II 77—78симметрия II 66, 67Динамический структурный фактор II 383— — — в гармоническом приближении II 383—335Дипольное магнитное взаимодействие II 288и обменное (кулоновское) взаимодействие I 287, 288, 295и образование доменов II 333—336размагничивающий фактор II 337Дипольный момент (электрический) см. Пироэлектрические кристаллы;Поляпизуемость; СегнетоэлектричествоДислокации II 233, 247—255вектор Бюргерса II 250—252винтовые II 249, 250в общем случае II 250—252и границы зерен II 255и двойникование II 254и дефекты упаковки II 254, 255и деформационное упрочнение II 253и прочность кристаллов II 252, 253и рост кристаллов II 253, 254и скольжение II 249, 250краевые II 249наблюдение II 254плотность II 249упругая энергия II 258.См. также Дефекты в кристаллах.Дисперсионная кривая II 61для линейной цепочки с базисом II 63—65для моноатомной линейной цепочки со взаимодействием междуближайшими соседями II 60—62— — — — со взаимодействием между т ближайшими соседями II 76для трехмерной моноатомной решетки Бравэ II 69для трехмерной решетки с базисом II 71.См.
также Колебания решетки; ФононыДисперсионные соотношения (Крамерса —Кронига) I 392Дифракция рентгеновских лучей I 105—109, II 385, 386атомный форм-фактор I 116брэгговские максимумы I 105брэгговское отражение I 109влияние колебаний решетки II 49, 386диффузный фон I 104 (с)и фононный спектр II 108как рассеяние частиц II 100, 386комптоновский фон II 108метод вращающегося кристалла I 110, 111метод Лауэ I 110, 111механизм почти упругого рассеяния I 106 (с)порошковый метод (метод Дебая — Шеррера) I 111построение Эвальда I 109структурный фактор I 113—116условие Брэгга I 105фактор Дебая — Валлера II 114, 386формулировка Брэгга I 105, 106формулировка Лауэ I 106—108эквивалентность формулировок Брэгга и Лауэ I 108, 109Дифракция электронов I 364—366Диффузионная область (в p — n-переходе) II 225—229Диффузионные длины II 224, 225Диффузионный ток II 221Диэлектрики, отличие от металлов I 72, 226, 227, II 184— — от полупроводников II 185Диэлектрическая проницаемостьи коэффициент отражения I 392ионных кристаллов II 172—174и оптические моды I 172, 173и показатель преломления II 157и проводимость I 390—392квантовомеханическая форма I 393ковалентных кристаллов II 177металла I 33, II 141—144полупроводников II 200, 201при высоких частотах II 170Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков II 181соотношение Клаузиуса — Моссотти II 166соотношение Лиддана — Сакса — Теллера II 171, 172щелочно-галоидных кристаллов II 176электронного газа I 338—343— — по Друде I 33— — по Линдхарду I 342, 343— — по Томасу — Ферми I 341.
См. также ПоляризуемостьДлина когерентности в сверхпроводниках II 352 (с)— — и размер куперовской пары II 356Длина рассеяния II 381Длина свободного пробега в металлах I 24— — — выраженная через удельное сопротивление I 65.См. также Время релаксацииДомены 1 333—336блоховская доменная стенка II 334, 335дипольная энергия II 333—335энергия анизотропии II 335, 336Донорные примеси II 199.
См. также p — n-переход; Примеси вполупроводниках; ПолупроводникиДоплеровский сдвиг частоты рассеянных волн II 112Дрейфовая скорость во взаимно перпендикулярных электрическом и магнитномполях I 236Дрейфовый ток II 221— член I 319Дырки I 228—232и проводимость полупроводников II 185и статическая проводимость I 252и термо-э.д.с. I 259и эффект Холла I 239—240эффективная масса I 232.См.
также Полуклассическая модель; ПолупроводникиДырочная поверхность I 171— — в алюминии I 302— — в свинце I 304Дырочные орбиты I 233— — в благородных металлах I 291Единица Дебая (для дипольного момента) II 183Жидкий Не3 и триплетное спаривание II 356Задача многих тел I 331Закон Блоха T3/2 II 322— — T6 II 152Закон Видемана — Франца I 35, 36в классической теории I 38в полуклассической модели I 256, 257в теории свободных электронов I 66неприменимость в случае неупругого рассеяния I 323случайный успех I 38, 66См. также Теплопроводность металлов; Число ЛоренцаЗакон Грюнайзена см. Закон Блоха T5Закон Дебая II 85. См. также Теплоемкость (решеточная)Закон действующих масс II 197Закон Дюлонга и Пти II 54—58и катастрофа Рэлея — Джинса II 94квантовые поправки при высоких температурах II 82, 95нарушение II 57, 58.См.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
