Н. Ашкрофт, Н. Мермин - Физика твердого тела (1119323), страница 7
Текст из файла (страница 7)
также Блоховские электроны; ОрбитыПолуметаллы I 304, 305и полупроводники I 304 (с)теплоемкость I 307 (с)эффективная масса носителей тока I 206 (с)Полупроводники II 184—232валентные зоны II 185время рекомбинации II 223 (с)вырожденные II 195генерация носителей II 222диамагнетизм (в легированных полупроводниках) II 282дифференциальная термо-э.
д. с. II 186диффузионная длина II 224закон действующих масс II 197запрещенная зона (энергетическая щель) II 184—186— — измерение ширины II 189, 190— — температурная зависимость II 189зонная структура II 190—193— — антимонида индия II 192, 193— — германия II 192, 193— — кремния II 191, 192зоны проводимости II 184и диэлектрики II 185и полуметаллы I 304 (с)концентрация носителей II 194 —199, 205—207, 209коэффициент диффузии II 221легирование II 210, 211невырожденные II 195— явления переноса II 207несобственные II 186— концентрация носителей II 198, 199носители тока неосновные II 215 (с), 219— — основные II 219оптические свойства II 189, 190парамагнетизм (в легированных полупроводниках) II 282p — n-переход II 211плотность уровней II 184, 196, 208— — при наличии примесей II 202подвижность носителей тока II 185 (с), 221, 222полуклассическая модель II 212полярные II 189примеси см. Примеси в полупроводникахпроводимость II 185—187рекомбинация носителей II 222собственные II 186— концентрация носителей II 197, 198сопротивление II 185—188n-типа II 199p-типа II 199уровень Ферми II 195 (c)фотопроводимость II 186химический потенциал II 195, 197—199— — и энергия Ферми I 149 (с), II 195 (с)циклотронный резонанс II 193, 194.
208электрохимический потенциал II 213, 214Поляризация колебаний решетки II 67в решетке с базисом II 372—374и рассеяние нейтронов II 104 (с), 385и симметрия решетки II 77продольная и поперечная II 70Поляризуемость II 166—176атома водорода II 182атомная II 166—168атомов инертных газов II 168и диэлектрическая проницаемость (соотношение Клаузиуса — Моссотти) II166ионов галогенов II 168 ионов щелочных металлов II 168ковалентных кристаллов II 177—179модель деформируемых ионов II 169, 173связи II 177смещения II 166, 168—170См. также Диэлектрическая проницаемостьПоляритон II 174Полярные кристаллы II 179 (с)Полярные полупроводники II 180Поляроны II 243, 244Порошковый метод (метод Дебая — Шеррора) I 111—113— — построение Эвальда для него I 112Постоянная Больцмана I 38— — точное численное значение I 371Постоянная Маделунга II 35, 36Постоянная решетки I 85гексагональной плотноупакованной структуры I 89о.ц.к.
и г.ц.к. моноатомной решетки Бравэ I 82ромбических кристаллов I 135ромбоэдрических (тригональных) кристаллов I 135структуры алмаза I 88хлорида натрия I 92хлорида цезия I 92цинковой обманки I 93тетрагональных кристаллов I 135Построение Эвальда I 109в методе вращающегося кристалла I 112в методе Лауэ I 111в порошковом методе I 112Потенциал Борна — Майера II 39Потенциал «6—12» Леннарда-Джонса II 28— 30— — — параметры для инертных газов II 29Потенциал решетки см. Периодический потенциалПотенциал ТОкавы I 341Правила Хунда II 265—268в применении к ионам переходных металлов II 274— — к редкоземельным ионам II 273формула II 283Правило Колера I 263Правило Матиссепа I 323, 324Предел Казимира II 133 (с)Предположение о локальности I 32, 278, 390Приближение времени релаксации (τ-приближение) I 21, 246.
247для общей неравновесной функции распределения I 247—251и законы сохранения I 327и локальное сохранение заряда I 261и правило Матиссена I 323, 324критика I 313—328применимость для изотропного упругого рассеяния на примесях и законВидемана—Франца I 322, 323сравнение с более общей формулировкой I 318См.
также Столкновения; Уравнение БольцманаПриближение Гайтлера — Лондона II 293, 304, 305в модели Хаббарда для молекулы водорода II 305, 306пределы применимости II 293формула для величины обменного расщепления в молекуле водорода II 294Приближение жестких ионов II 168— — — недостатки II 169, 173Приближение малой амплитуды колебаний II 50, 115Приближение независимых электронов I 21, 73, 139, 195недостаточность в магнитных задачах II 287, 288, 290—294— в редкоземельных металлах I 309— в сверхпроводниках II 340— в электронном газе низкой плотности II 299— для частично заполненных зон в рамках метода сильной связи I 191и приближение свободных электронов I 21, 73обоснование I 344учет электрон-электронного взаимодействия I 329-337.См.
также Теория фермижидкости; Уравнения Хартри — Фока; Электронэлектронное взаимодействиеПриближение почти свободных электронов I 157—179аналогия в теории колебаний решетки I 77 (с)в одномерном случае I 161геометрический структурный фактор Т 173—178значения энергии вблизи одной брэгговской плоскости I 162—165, 175—178— — вдали от брэгговских плоскостей I 160зоны р-типа и s-типа I 161иллюстрация на примере некоторых металлов, I 283—306и порог межзонных оптических переходов в алюминии II 302—304— — — — — в щелочных металлах I 294, 295и спин-орбитальное взаимодействие I 175номер зоны I 158соотношение с методом псевдопотенциала I 211-213сравнение с обычной теорией возмущений I 159 (с)теория поверхностных уровней I 366—369уровни в гранецентрированной кубической решетке I 167уровни в схемах расширенных, приведенных и повторяющихся зон I 164,165Приближение самосогласованного поля (приближение Хартри) см.Периодический потенциалПриближение свободных электронов I 21, 72, 73в двумерном случае I 67вигнеровский кристалл II 299Волна спиновой плотности II 299диамагнетизм II 280, 281диэлектрическая проницаемость I 33, 338—343и взаимодействие между электронами I 329—352и когезия в металлах II 40—44и приближение независимых электронов I 21, 73и щелочные металлы I 284—287и экранирование I 337—344квантование уровней в магнитном поле I 270, 271, 281корреляционная энергия I 336модель Друде I 17—42модель Зоммерфельда I 43—69модуль всестороннего сжатия I 52, 53недостатки I 70—72обменная энергия I 334парамагнетизм I 277—280— в невырожденном случае I 284основное состояние, свойства I 45—53основные формулы I 371, 372плотность электронов проводимости I 19, 20, 72— — — выраженная через kF I 49плотность энергии основного состояния в отсутствие взаимодействия I 334— — — — при наличии взаимодействия I 52— — тепловой I 60предел высокой плотности I 334приближение Хартри — Фока I 333—337теория ферми-жидкости I 344—350теплоемкость I 60—63термодинамические свойства I 53—63уравнение состояния I 52, 68уровни в г.ц.к.
решетке I 167химический потенциал I 60Приближение Слэтера для обменного члена I 336Приближение Хунда — Мулликена II 293 (с)Примесии бесщелевая сверхпроводимость II 341 (с)и проводимость I 218, 314и эффект Кондо II 302—304магнитные II 300—304упругое рассеяние на них I 320—322См. также Дефекты в кристаллахПримеси в полупроводникахборовский радиус II 201доноры и акцепторы II 199и концентрация носителей тока II 195, 196, 198, 199, 205—207, 209и удельное сопротивление II 187легирование II 210, 211населенность уровней при термодинамическом равновесии II 203—206проводимость за счет примесной зоны II 207энергия связи II 203См.
также ПолупроводникиПримитивная ячейка I 83, 84объем I 83— в обратной решетке I 98, 103Принцип детального равновесия I 321Принцип Паули I 45, 332 (с)и инертность заполненных зон I 225 (с)и классическая динамика электрона I 65и куперовские пары II 369и магнитное взаимодействие II 289, 290и непроницаемость ионов II 11и основное состояние в приближении свободных электронов I 48и рассеяние на примесях I 321, 322и частота рассеяния электрона I 313и электрон-электронное рассеяние I 345— 348Принцип соответствия I 272Пробой Зинера см.
Пробой электрическийПробой магнитный I 223в гексагональных двухвалентных металлах I 300и спин-орбитальное взаимодействие I 223и функции Ванье I 193условия его отсутствия в полуклассической модели I 222, 223, 387—389Пробой электрический I 223в неоднородных полупроводниках II 212и функции Ванье I 193условия его отсутствия в полуклассической модели I 222, 223, 387—389Промежуточное состояние в сверхпроводниках II 346 (с)Простая гексагональная решетка Бравэ I 88решетка, обратная к ней I 98связь с ромбической решеткой I 127 (с)— с ромбоэдрической (тригональной) решеткой I 133 (с)См. также Гексагональная плотноупакованная структураПростая кубическая решетка Бравэ I 78координационное число I 83примеры химических элементов I 82решетка, обратная к ней I 97решеточная сумма I 301упаковочный множитель I 94Простая моноклинная решетка Бравэ I 125, 126Простая тетрагональная решетка Бравэ I 123, 124Пространственные группы I 120количество I 127, 133симморфные и несимморфные I 134соотношение с точечными группами и решетками Бравэ I 133, 134эквивалентность I 122 (с)Пространственные размеры атомных волновых функций I 182«Простые» металлы (металлы с почти свободными электронами) I 157, 306, 307Процесс намагничивания II 335, 336Процессы переброса II 129, 130вымерзание II 129и выбор элементарной ячейки II 130и нормальные процессы II 129и сохранение квазиимпульса II 129и теплопроводность II 131—133и увлечение фононов II 153, 154и электросопротивление II 152—154Прочность кристаллов идеальных II 248— — реальных II 252, 253См.
также ДислокацииПрямая решетка I 95Прямой обмен II 296, 297Прямой оптический переход II 190Пьезоэлектричество II 179 (с)Работа выхода I 354—359для неэквивалентных поверхностей I 359и контактная разность потенциалов I 359—361и термоэлектронная эмиссия I 362-364Радиус ионный см. Ионные радиусыРадиус ковалентный II 19 (с)Разложение Зоммерфельда I 59, 67— — вывод I 374, 375Размагничивающий фактор II 337Размерные эффекты I 280, 281Рамановское (комбинационное) рассеяние II 49, 109—113классический подход II 111—113стоксовы и антистоксовы компоненты II 109Распределение Бозе — Эйнштейна II 81 (с)Распределение Больцмана см. Распределение Максвелла — БольцманаРаспределение Максвелла — Больцмана I 41, 43, 44и невырожденные полупроводники II 207, 208сравнение с распределением Ферми — Дирака I 43—44Распределение Пуассона I 40, 41Распределение Ферми — Дирака I 43, 44, 53-55в пространстве скоростей I 43, 63, 64вывод I 43, 44, 53—55классический предел I 68при термоэлектронной эмиссии I 362, 363сравнение с распределением Максвелла — Больцмана I 43, 44Рассеяниевперед (на малые углы) и температурная зависимость удельногоэлектросопротивления II 152и незатухающие токи II 364, 365на магнитных примесях II 302—304неупругое и неприменимость закона Видемана — Франца I 322, 323упругое изотропное на примесях I 320-322электронов, механизмы I 314, 315электрон-фононное II 149—154электрон-электронное I 21, 22, 345—348См.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
