Н.С. Зефиров - Химическая энциклопедия, том 1 (1110090), страница 301
Текст из файла (страница 301)
фильтров и модуляторов лазерного излучения, солнечных батарей и др. Л м Арсе нл галлия Поэучсннс, свойспс прнмснсннс, пол род Ф П Кссв эллы Д.Н. Нвсмлом, М., 1973; Мнльвндскнй М. Г., Пслсвнн О. В, Свзсров Б А„Фнзнко-кнмнчсск сосновы получсння рвзлвгсюшнкся палупроволпнковык амлннсннх !Нв пр срс срсспндс гол.чняг М„1974.
Л.И.Ф„М, с. ГАЛЛИЯ ГАЛОГЕНИДЬЕ гРиз. Свойства нек-рых Г. г. привелены в таблице. Трихлорил ОаС!,-бесцв. кристаллы с триклинной решеткой [а = 0,694 нм, Ь =0,684 нм, с=0682 нм, и 1!95', !) 908', 7 1!88', 3 ! (ОазС!6), пространств. группа Р13 Молекулы димерны. Хорошо раста, в воде; из солянокислых р-ров экстрагируется в виде НОаС1, эфиром, бутилацетатом, трибутилфосфатом и др.
орг. р-рителями; образует моногидрат (т. пл. 44,4'С); гигроскопичен. Является сильной к-той Льюиса. Получают ОаС1 хлорированием Оа при 80 — 200 "С с послед, перегонкой, ректификацией, а также зониой плавкой. Применяют его для получения Оа высокой чистоты и синтеза др; соединений Сга, а также как катализатор полимернзацин; наполнитель нейтринных ловушек. 938 482 ГАЛЛИЯ свойства галогкнидов глллия Панматнкь сарг оке!а ОаВгт Оа!ь 21З 345 4,15 16,5 ВВ,7 -239 264 в пио ок. ВЮ' 4,47 тат !ВВ* - Ю76 117 77,В 2Щ5 2,47'* В7,5 11.5 гэ,а — 525,4 ые ! 22,5 273 3,74 !ЕЛ 29,9 -ЗВГ 166 т. пл., 'с .
т. кпп. 'С Плотн., гзила . ск лл к! ЬЙонк. «да!моль Ьнапш «дмрапль . Ьиооер клиймль . Ям. Дл<дмоаь !О . Т.иа н ЬН аотгонкн '* Плотность шпаком Х6536 ггсмк Трифторид Сау,-бссцв. кристаллы; не раста. в воде; образует тригидрат (р-римость в Ндб 4,!% по массе при 25'С). Не взаимол. с раэб. минеральными к-тами, разлагается р-рами щелочей. На воздухе выше 200'С образует Сабр, затем Садб . Получают фторированием Са, СадОВ или др. соединейий Са. Трнбромнд ОаВг,-белые кристаллы, трииодил Са!-желтые; по св-вам подобны ОаС13.
Получают действием паров соответствующего галогена иа нагретый Си. Моногалогениды СаНа1 образуются при вэаимод. паров ОаНа!, с Са; при конденсации СВР и баС) лиспропорционируют иа Са и соотв, бар, н СаС1,. Для СаВг т, пл. 158'С (с разл.), для Оа! 270'С (с разл,) Ди галогеи иды [тетрагалогеногаллаты(П1) галлия(!)1 СадНа!а, или Са Са На!4, образуются при вэаимод. Са ! !и с СаНа13 (На) Ь, Вг, 1), Дихлорнд бадС!а — белые кристаллы; т. пл. 175'С, т, кип.
595'С; плоти. 2,4173 г/см'; р 222 Ом ем (20'С); диамагнитен. Для дибромида ОадВг„т. пл. 166'С, т. кип. 462'С. Для ди иодида Оад1 т. йл. 211'С, т. кйп. 469'С Известны также Оа,Вг, (т. разл. 81'С) и СядС1, (т. пл. 87'С), имеющие счроение Са'[СадиНа17), и Ся На1 „илн Са', [бадпНЬ!61 (На! = С1, Вг). Лнаь см. нрн ст. Галл й. П.». Фа ра ГАЛЛИЯ ОКСИДЫ.
Сесквиоксид Сааб,-белые кристаллы. Наиб. устойчива )1-модификация с моиоклиниой решеткой типа О-А1,О (и 1,223 нм, Ь = 0,304 нм, с = = 0,508 нм, В 103,7', д 4, пространств. группа С2/Гл); т. пл. 1725'С; плоти. 5,88 г/см'; Са 92,18 Дж/(моль К~; ЬНоа — 1090 кДж/моль, ЬН' 519 кДж/моль, ЬН г 578 кДж/моль; 5", 85,1 Дж/(моль К); е 10,2; выше 1200(78С частично диссойиирует на Са,О и Од; ур-нис температурной зависимости давлснйа пара: 18 р(гПа) = 13,66— — 26010/Г(1530-\840 К), Полупроводник л-типа; ширина запрещенной зоны 4,6-4,7 эВ (27'С). Не раста. в воде и орг. р.ритслах.
С минер, к-тами образует соли Са, с р.рами щелочей — галлаты. После прокалнвання выше 600'С взаимод только с расплавленными щелочами и гилросульфатамн щелочных металлов. При спекании с оксидамн нли карбонатами др. металлов образует галлаты. Получают СадО, прокаливанием Са()т(03) или ба(ОН)д прн 200-250'С, затем в течение 12 ч при 600'С.
Применяют его для получения галлиево-гадолиннсвого граната и др. соединений Са. Гемиоксид СадО-темно-коричневое, серое или черное в-во; т. пл. ок. 650'С, т. кип. ок. 725'С; плоти. 4,77 г/см' (20 с); ьн,'ьр твердого в-ва — 356 кДж/молйп для газа С" 48,2 Дж/(моль К), ЬНоер — 85,9 кДж/моль; 5~ 284 Дж/(моль К]. Устойчив в сухом воздухе при 20 С, в отсутствие Од и паров Н,О-ло 600'С. В интервале 700-1000'С легко диспропорционирует на Са и Оа,О3, в парах выше 1000'С ие днспропорпиоиирует.
Уриие температурной зависимости давления пара над смесью Оа,О, с Са: !бр(гПа) м! 1,90 — 13490/Т(1000-1 !ОО К), Са,О- сильный восстаиовитсль, легко окислястся прн нагрл медленно взанмод. с разб. к-тами, энергично-с концентрированиымн. М.б. получен нагреванием Оа в атмосфере Сбд нли паров НдО (в присут. Н,), а также восстановлением бадО, галлием с послед.
сублимацией в вакууме. Оа,О-промежут. 939 соед. при получении эпитаксиальиых пленок СаАВ и Сир с помощью хим. транспортных р-ций. В парах при высоких т-рах наблюдался оксид ОаО. Лнаь см нрн ст. Гал,гнй. Л. и. Фсйороа ГАЛЛИЯ ФОСФИД Оар, оранжевые нли зеленовато- желтые кристаллы с алмазным блеском; решетка кубическая типа сфамрнта (и 0,54495 нм); т. пл 1790 С. плоти.
4,1297 г/смд, жидкого 4,6 г/смд (1790'С); Срб 440 Дж/(моль К); ЬНое — 102,6 кДж/моль, ЬНо 122,4 кДж/моль; 5",й, 519 Дж/(моль К); темпсратурннлй козф. линейного расширения 5,78 1О 6 К ', теплопроводность !1О Вт/(м К) при 27'С; В 102. Полупроводник; прн 27'С ширина запрещенной зоны 2,25 ВВ; подвижность электронов 300 смд/(В.сЬ дырок 150 см'/(В с). Г. ф, устойчив к дсбствню кислорода возлуха ло -700 С, нс взаимод с водой, практически не реагирует с Н 5О и соляной к-той, медленно взаямод.
при иагр. с азотной и фтористоводородной к-тами, царской полкой, разлагается р-рамн щелочей при нагревании с выделением РНз. В вцпе плотного слитка баР получают сплавлеинем Са с Р под давлением паров Р, в виде пористого слитка-действием РН, на расплав ба. Моиокристаллы выращивают методами зонной плавки или вытягиванием по Чохральскому из.под флюса В,О, под давлением Аг, небольшие моиокристаллы-из р.ров СаР в расплаве Са. Порошкообразный Сар получают восстановлением СаРО, водоро. дом или СО при 800-1000'С. Зпитаксиальные пленки Сир наносят аналогично пленкам галлия арсеиида Для лсгирования монокристаллов и пленок ОаР используют добавки Те, Бе, 5, бп, Яп, С6, Се.
бар- полупроводниковый материал для светодиодов, солнечных батарей, датчиков Холла, оптических фильтров и др. л г [марнна л, и„нашсльсклй л, яф Фосфнл гнллнл, м„!965; Ф Фна га, Ккш. 1ЫВ. Л.Н.Ф Ьр ГАЛЛОВАЯ КИСЛОТА (3,4,5-трнгидроксибснзойная к-та! мол, м. !70,!!. Существует в виде моногнлрата, обезвоживающегося при !00-120'С; бесиа.
кристаллы, темнеющие на свету; т. пл. 220'С (лабильиая модификация), 240'С (с раэл.; стабильная модификация); 646 1,694; ЬНа 74,2! кДж/молвы рК, 4,40 (25'С). Р-римосзь (г в 100 мл р-ритсля): в воде-1,16 (25'С), 33 (100'С); этаноле — 27,2 (25'С); эфире-2,5 (!5'С) ОН Обладает всеми св-вами гндроксикарбоновых к-т (см. Оксикислоглы! Наиб. реакциониоспособиа ОН.группа в положенин 4; напр., при метилированин лиметилсульфатом в присут.
2 молей )чаОН образуется 3,5-дигндрокси-4-мстоксибензойная к-та, а в присут. 5 молей )ь(аОН-3,4,5-триметоксибензойная к-та. Г.к. Восстанавливает. напр., соли Аи и Ай до металлов, Ре' ' до Рад '. Щелочные соли Г.к. цод действием Од темнеют. Сухой перегонкой иал пемзой в токе Сбд при 190-215'С Г.к. декарбоксилируется до пирогаллола. При нагр, ее с кони.
Н 50, образуется гсксагидрокснантрахннон (руфигалловая к-та): 0 .ОН НО ОН ОН 0 Г.к. в виле сложных эфиров содержится в таннииах чернильных орешков (галлов1 растений с9махв и чая, а также дубовой коры. Получают ее щелочным или ферментатнвным гидролнзом твниииов. Пветная р дик сине-черное окращивание с РсС13. Г.к. применяют в проне-ве пирогаллола, лек. в.в, красителей (галлофлавина, антрагаллола н дрЬ как реагеит для отлеления и фотометрич. определения В)(!Н) и Се(П1), как пвсто- 940 С1СНгСОСьН5 — в 1СН2СОСьН5 (1) с,й,н(сн,), С1СН,СНгСОСгН, -в СНг=СНСОС2Н, (2) С нек-рыми бифункциоиальными соединениями Г. и г.
образуют гетероциклы; С)СНг 5 сн,с + с-сн,— НН О НС Н СН8 О,В.Ненасыщенные Г, и г. с атомом гало(сне в В-положе. нин способны перегруппировываться вследствие миграции атомов галогена и кислорода: ко с СС18 — — СНСНΠ— -ь С1СОСН=СНС] (4) (5) Для Г. и г. с атомом гвлогеиа в и-положении характерны (]ириска реакцию, Дарэаиа реакцию, перегруппировка Фаворского (см.
Фаворского реакции) Накопление атомов галогеиа в и-положении приводит к увеличению электроф. реакц. способности карбоннльной группы. Это способствует образованию устойчивых адлуктов Г. и г. со слабыми нуклеофилами (ур-ння 5,6), а также ослаблению связи между карбонильным и галогенированным атомами углерода, вследствие чего при действии оснований наблюдается галоформное расшепленне (7): ОН Асин, Р]зСНС1СС12СНΠ— - РВСНС)СС18 СН ]т(НАс (5) сн — с(Ок), СВгзСНО + СН, С(ОК)г — с 1 1 (6) Π— СН вЂ” СВ г СС1зСОСС13 ° СС18СО]ь(НК + СНС!з (7) Методы получение Г. и гл введение галогена в карбонильное саед.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
