Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1105259), страница 29

Файл №1105259 Диссертация (Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства двухфазных пленок гидрогенизированного кремния) 29 страницаДиссертация (1105259) страница 292019-03-14СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 29)

Bonded hydrogen in nanocrystalline silicon photovoltaicmaterials: Impact on structure and defect density// Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 110. P. 064315-1064315-6.[72] Mahan A.H., Yang J., Guha S., Williamson D.L. Structural changes in a−Si:H film crystallinitywith high H dilution // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61 P. 1677-1680.[73] Niikura C., Roca i Cabarrocas P., Bouree J.-E. Structural properties of microcrystalline Si filmsprepared by hot-wire/catalytic chemical vapor deposition under conditions close to the transitionfrom amorphous to microcrystalline growth // Thin Solid Films. 2011. Vol.

519. P. 4502-4505.[74] Vavrunkova V., van Elzakker G., Zeman M., Sutta P. Medium-range order in a-Si:H fi lmsprepared from hydrogen diluted silane // Phys. Status Solidi A. 2010. Vol. 207 (3). P. 548–551.149[75] Guha S., Yang J., Williamson D. L., Lubianiker Y., Cohen J. D., Mahan A. H. Structural,defect, and device behavior of hydrogenated amorphous Si near and above the onset ofmicrocrystallinity // Appl.

Phys. Lett. 1999. Vol. 74. P. 1860-1862.[76] Kamei T., Stradins P., Matsuda A. Effects of embedded crystallites in amorphous silicon onlight-induced defect creation // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 74 (12). P. 1707-1709.[77] Wronski C.R., Pearce J.M., Deng J., Vlahos V., Collins R.W. Intrinsic and light induced gapstates in a-Si:H materials and solar cells—effects of microstructure // Thin Solid Films. 2004. Vol.451 – 452. P. 470–475.[78] Zeman M., van Elzakker G., Tichelaar F.D., Sutta P. Structural properties of amorphous siliconprepared from hydrogen-diluted silane // Phil. Mag.

2009. Vol. 89 (28-30). P. 2435-2448.[79] Mahan A.H., Carapella J., Nelson B.P., Crandall R.S., Balberg I. Deposition of device quality,low H content amorphous silicon // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. P. 6728-6730.[80] Wei Y., HaiRong Z., Yi Z., YuKai S., HaiJiang L., GuangSheng F. Photoresponse and carriertransport of protocrystalline silicon multilayer films // Chin. Sci. Bull. 2012. Vol. 57 (20). P. 26242630.[81] Astakhov O., Carius R., Finger F., Petrusenko Y., Borysenko V., Barankov D.

Relationshipbetween defect density and charge carrier transport in amorphous and microcrystalline silicon //Phys. Rev. B. 2009. Vol. 79. P. 104205-1-104205-14.[82] Kazanskii A.G., Terukov E.I., Forsh P.A., Kleider J.P. Photoconductivity of TwoPhaseHydrogenated Silicon Films // Semiconductors. 2010.

Vol. 44 (4). P. 494-497.[83] Reynolds S., Carius R., Finger F., Smirnov V. Correlation of structural and optoelectronicproperties of thin film silicon prepared at the transition from microcrystalline to amorphous growth// Thin Solid Films. 2009. Vol. 517. P. 6392-6395.[84] Roca i Cabarrocas P. Plasma enhanced chemical vapor deposition of amorphous, polymorphousand microcrystalline silicon films // J. Non-Cryst. Solids.

2000. Vol. 266-269. P. 31-37.[85] Roca i Cabarrocas P., Nguyen-Tran Th., Djeridane Y., Abramov A., Jonson E., Patriarche G.Synthesis of silicon nanocrystals in silane plasmas for nanoelectronics and large area electronicdevices // J. Appl. Phys. D. 2007. Vol. 40. P. 2258-2266.[86] Roca i Cabarrocas P., Hamma S., Sharma S.N., Viera G., Bertran E., Costa J. Nanoparticleformation in low-pressure silane plasmas: bridging the gap between a-Si:H and μc-Si films // J. NonCryst. Solids.

1998. 227-230. P. 871-875.150[87] Butte R., Vignoli S., Meaudre M., Marty O., Saviot L., Roca i Cabarrocas P. Structural, opticaland electronic properties of hydrogenated polymorphous silicon films deposited at 150°C // J. NonCryst. Solids. 2000. Vol. 266-269. P. 263-268.[88] Roca i Cabarrocas P., Fontcuberta i Morral A., Possant Y. Growth and optoelectronic propertiesof polymorphous silicon thin films // Thin Solid Films. 2002. Vol. 403-404. P. 39-46.[89] Kleider J.P., Longeaud C., Gauthier M., Meaudre M., Butte R., Vignoli S., Roca i CabarrocasP.

Very low densities of localized states at the Fermi level in hydrogenated polymorphous siliconfrom capacitance and space-charge-limited current measurements // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75(21). P. 3351-3353.[90] Butte R., Meaudre R., Meaudre M., Vignoli S., Longeaud C., Kleider J.P., Roca i CabarrocasP. Some electronic and metastability properties of a new nanostructured material: Hydrogenatedpolymorphous silicon // Phil.

Mag. B. 1999. Vol. 79. P. 1079-1095.[91] Takeda K., Morigaki K., Hikita H., Roca i Cabarrocas P. Thermal annealing effects of danglingbonds in hydrogenated polymorphous silicon// J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104, 053715-1-053715-6.[92] Khait Y. L., Beserman R., Chack A., Weil R. Kinetics of laser-induced low-temperaturecrystallization of amorphous silicon // Appl. Phys. Lett. 2002.

Vol. 81, 18, P. 3347-3349.[93] Momma C., Chichkov B.N., Nolte S., von Alvensleben F., Tünnermann A., Welling H.,Wellegehausen B. Short-pulse laser ablation of solid targets // Optics Commun. 1996. Vol. 129. P.134–142.[94] Theodorakos I., Zergioti I., Vamvakas V., Tsoukalas D., Raptis Y.S. Picosecond andnanosecond laser annealing and simulation of amorphous silicon thin films for solar cell applications// J. Appl. Phys. 2014. Vol.

115. P. 043108-1-043108-9.[95] Wagner M., Geiler H.-D., Gotz G. Time-resolved investigation of large-area explosivecrystallization of amorphous silicon layers // Phys. Stat. Sol. A. 1985. Vol. 92. P. 413-420.[96] Adikaari A.A., Silva S.R. Thickness dependence of properties of excimer laser crystallizednano-polycrystalline silicon // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 97. P.

114305-1 – 114305-7.[97] Auvert G., Bensahel D., Perio A., Nguyen V.T., Rozgonyi G.A. Explosive crystallization of aSi films in both the solid and liquid phases // Appl. Phys. Lett. 1981. Vol. 39. P. 724-726.[98] Lowndes D.H., Jellison G.E., Pennycook S.J., Withrow S.P., Mushburn D.N. Directmeasurements of the velocity and thickness of ‘‘explosively’’ propagating buried molten layers inamorphous silicon// Appl.

Phys. Lett. 1986. Vol. 48. P. 1389-1391.151[99] Bruines J.J.P., van Hal R.P.M., Boots H.M.J., Polman A., Saris F.W. Time-resolved reflectivitymeasurements during explosive crystallization of amorphous silicon// Appl. Phys. Lett. 1986. Vol.49. P. 1160-1162.[100] Thompson M.O., Galvin G.J., Mayer J.W., Peercy P.S., Poate J.M., Chew N.G. Meltingtemperature and explosive crystallization of amorphous silicon during pulsed laser irradiation //Phys. Rev. Lett. 1984.

Vol. 52. P. 2360-2364.[101] Bostanjoglo O. Time-resolved TEM of pulsed crystallization of amorphous Si and Ge films //Phys. Stat. Sol. A. 1982. Vol. 70, P. 473-481.[102] Im, J., Kim, H., Thompson, M., Phase Transformation Mechanisms Involved in ExcimerLaser Crystallization of Amorphous Silicon Films // Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 63(14). P. 19691971.[103] Mathe, E., Naudon, A., Elliq, M., Fogarassy, E., Unamuno, S. Influence of Hydrogen on theStructure and Surface Morphology of Pulsed ArF Excimer Laser Crystallized Amorphous SiliconThin Films // Appl.

Surf. Science. 1992. Vol. 54. P. 392-400.[104] Callan, J. P., 2000, Ultrafast Dynamics And Phase Changes In Solids Excited ByFemtosecond Laser Pulses 59–104 Thesis, Harvard Univ., Cambridge.[105] Sundaram S.K., Mazur E. Inducing and probing non-thermal transitions in semiconductorsusing femtosecond laser pulses // Nature Materials. 2006. Vol. 1. P. 217-224.[106] Saeta P., Wang J.-K., Siegal Y., Bloemberger N., Mazur E. Ultrafast electronic disorderingduring femtosecond laser melting of GaAs // Phys. Rev. Lett. 1991.

Vol. 67. P. 1023-1026.[107] Choi T.Y., Hwang D.J., Griporopoulos C.P. Ultrafast laser-induced crystallization ofamorphous silicon films // Optical Engineering. 2003. Vol. 42. P. 3383-3388.[108] Glezer, E. N., Siegel,Y., Huang, L. & Mazur, E. The behavior of chi during laser inducedphase transitions in GaAs // Phys. Rev. B.

1995. Vol. 51. P. 9589–9596.[109] Solis, J., Afonso, C. N., Trull, J. F., Morilla, M. C. Fast crystallizing GeSb alloys for opticaldata storage // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. P. 7788–7794.[110] Bruines J.J.P., van Hal R.P.M., Koek B.H., Viegers M.P.A., Boots H.M.J. Between explosivecrystallization and amorphous regrowth: Inhomogeneous solidification upon pulsed-laser annealingof amorphous silicon // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 50.

P. 507-509.[111] Carluccio R., Stoemenos J., Fortunato G., Meakin D. B., Bianconi M. Microstructure ofpolycrystalline silicon films obtained by combined furnace and laser annealing // Appl. Phys. Lett.1995. Vol. 66. P. 1394-1396.152[112] Brotherton S. D., McCulloch D. J., Gowers J. P., Ayres J. R., Trainor M. J. Influence of meltdepth in laser crystallized poly-Si thin film transistors // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. P. 4086 –4094.[113] Palani I.A., Vasa N.J., Singaperumal M., Okada T. Investigation on Laser-annealing andSubsequent Laser-nanotexturing of Amorphous Silicon (a-Si) Films for Photovoltaic Application //JLMN. 2010.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
А знаете ли Вы, что из года в год задания практически не меняются? Математика, преподаваемая в учебных заведениях, никак не менялась минимум 30 лет. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6458
Авторов
на СтудИзбе
304
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее