Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1105259), страница 28

Файл №1105259 Диссертация (Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства двухфазных пленок гидрогенизированного кремния) 28 страницаДиссертация (1105259) страница 282019-03-14СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 28)

Phys.Lett.2006. Vol. 88. P. 083118-1-083118-3.[30] St'ahel P., Hamma S., Sladek P., Roca i Cabarrocas P. Metastability studies in silicon thinfilms: from short range ordered to medium and long range ordered materials // J. Non-Cryst. Solids.1998. Vol. 227-230. P. 276-280.[31] Fontcuberta i Morral A., Roca i Cabarrocas P. Shedding light on the growth of amorphous,polymorphous, protocrystalline and microcrystalline silicon thin films// Thin Solid Films.

2001. Vol.383. P. 161-164.[32] Longeaud C., Kleider J.P., Gauthier M., Bruggemann M., Teukam Hangouan Z., Roca iCabarrocas P., Poissant Y., Butte R., Meaudre M., Meaudre R., Vignoli S. // Sixteen EuropeanPhotovoltaiс Solar Energy Conference, may 2000, Glasgow, Scotland, paper No. VB1/56.[33] Meaudre M., Meaudre R., Butte R., Vignoli S., Longeaud C., Kleider J.P., Roca i Cabarrocas P.Midgap density of states in hydrogenated polymorphous silicon// J. Appl.

Phys. 1999. v. 86, P. 946950.[34] Soro M.Y., Gueunier-Farret M.E., Kleider J.P. Structural and electronic properties ofhydrogenated polymorphous silicon films deposited at high rate// J. Appl. Phys. 2011. Vol. 109. P.023713-1-023713-10.[35] Williams M.J., Wang C., Lucovsky G. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1991. Vol. 219, P. 389.[36] Beckers I., Nickel N.H., Pilz W., Fuhs W. Influence of hydrogen on the structural order ofmicrocrystalline silicon during the growth process // J. Non-Cryst. Solids. 1998. Vol. 227-230.

P.847-851.[37] Zhou J.H., Ikuta K., Yasuda T., Umeda T., Yamasaki S., Tanaka K. Influence of hydrogen onthe structural order of microcrystalline silicon during the growth process // J. Non-Cryst. Solids.1998. Vol. 227-230. P. 857-860.[38] Alpuim P., Chu V., Conde J.P. Amorphous and microcrystalline silicon films grown at lowtemperatures by radio-frequency and hot-wire chemical vapor deposition// J. Appl. Phys. 1999. Vol.86. P. 3812-3821.146[39] Bauer S., Schröder B., Oechsner H. The effect of hydrogen dilution on the microstructure andstability of a-Si:H films prepared by different techniques // J.

Non-Cryst. Solids. 1998. Vol. 227230. P. 34-38.[40] Roca i Cabarrocas P., Layadi N., Solomon I. Microcrystalline silicon growth by the layer-bylayer technique: long term evolution and nucleation mechanisms // J. Non-Cryst. Solids. 1996. Vol.198-200. P. 871-874.[41] Shirai H., Arai T. Role of hydrogen in the growth of hydrogenated microcrystalline silicon // J.Non-Cryst. Solids. 1996. Vol. 198-200. P.

931-934.[42] Dusty Plasmas: Physics, Chemistry, and Technological Impacts in Plasma Processing. Wiley,New York (1999), A. Bouchole editor.[43] Siebke F., Yata S., Hishikawa Y., Tanaka M. Role of hydrogen in the growth of hydrogenatedmicrocrystalline silicon // J.

Non-Cryst. Sol. 1998. Vol. 227–230. P. 977-981.[44] Ruff D., Mell H., Tóth L., Sieber I., Fuhs W. Charge transport in microcrystalline silicon films// J. Non-Cryst. Solids.1998. Vol. 227-230. P. 1011-1015.[45] Muthmann S., Kohler F., Meier M., Hulsbeck M., Carius R., Gordijn A. Charge transport inmicrocrystalline silicon films // J. of Non-Cryst Solid.

2012. Vol. 358. P. 1970-1973.[46] Krankenhagen R., Schmidt M., Grebner S., Poschrieder M., Henrion W., Sieber I., Koyov S.,Schwarz R. Correlation between structural, optical and electrical properties of μc-Si films // J. NonCryst. Solids. 1996. Vol. 198-200. P. 923-926.[47] Kazanskii A.G., Kong G., Zeng X., Hao H., Liu F. Peculiarity of constant photocurrent methodfor silicon films with mixed amorphous–nanocrystalline structure // J. Non-Cryst. Solids. 2008. Vol.354. P. 2282-2285.[48] Congreve D.N., 2011, “Calculation of defect densities in nano-crystalline and amorphoussilicon devices using differential capacitance measurements”, Graduate Theses and Dissertations,paper 10218, Iowa State University, Ames, Iowa.[49] Brüggemann R., Hierzenberger A., Wanka H.N., Schubert M.B.

Electronic properties of hotwire deposited nanocrystalline silicon // MRS Symp. Proc. 1998. Vol. 507, P. 921-925.[50] Forsh P.A., Kazanskii A.G., Mell H., Terukov E.I. Photoelectrical properties ofmicrocrystalline silicon films // Thin Solid Films. 2001. Vol. 383. P. 251-253.[51] Казанский А.Г., Форш П.А., Хабарова К.Ю., Чукичев М.В.

Влияние электронногооблучениянаоптическиеифотоэлектрическиесвойствамикрокристаллическогогидрированного кремния // ФТП. 2003. Vol. 37. P. 1100-1103.147[52] Lips K., Kanschat P., Will C., Lerner C., Fuhs W. Spin-dependent processes in a-Si:H Schottkybarrier diodes // J. of Non-Cryst. Solids. 1998. Vol. 227-230. P. 1177-1181.[53] Finger F., Müller J., Malten C., Wagner H. Electronic states in hydrogenated microcrystallinesilicon // Phil.

Mag. B. 1998. Vol. 77. P. 805-830.[54] Müller J., Finger F., Malten C., Wagner. H. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1997. P. 452.[55] Will D., Lerner C., Fuhs W., Lips K. Transport and recombination channels in un-dopedmicrocrystalline silicon studied by ESR and EDMR. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc.

1997. Vol. 467.P. 361-366.[56] Müller J., Finger F., Malten C., Wagner H. Doping and temperature dependence ofparamagnetic states in microcrystalline silicon // J. of Non-Cryst. Sol. 1998. Vol. 227- 230. P. 10261030.[57] Fluckiger R., Meier J., Goetz M., Shah A. Electrical properties and degradation kinetics ofcompensated hydrogenated microcrystalline silicon deposited by very high-frequency-glowdischarge // J. Appl.

Phys. 1995. Vol. 77 (2). P. 712-716.[58] Torres P., Meier J., Flucker R., Selvan J.A., Keppner H., Shah A., Littlewood S.D., Kelly I.E.,Giannoules I. Device grade microcrystalline silicon owing to reduced oxygen contamination// Appl.Phys. Lett. 1996. Vol. 69. P. 1373-1375.[59] Lecomber P.G., Willeke G., Spear W.E. Some new results on transport and density of statedistribution in glow discharge microcrystalline silicon // J. Non-Cryst.

Solids. 1983. Vol. 59-60. P.795-798.[60] Lips K., Kanschat P., Will D., Lerner C., Fuhs W. ESR and transport in microcrystalline silicon// J. Non-Cryst. Solids. 1998. Vol. 227-230. P. 1021-1025.[61] Zhou J.-H., Baranovskii S.D., Yamasaki S., Ikuta K., Tanaka K., Kondo M., Matsuda A.,Thomas P. On the transport properties of microcrystalline silicon at low temperatures // ФТП. 1998.Vol.

32 (8), P. 905-909.[62] Zhou J.-H., Baranovskii S.D., Yamasaki S., Ikuta K., Tanaka K., Kondo M., Matsuda A.,Thomas P. On the Transport Properties of Microcrystalline Silicon at Low Temperatures // Phys.Stat. Solidi (b). 1998. Vol. 205. P. 147-150.[63] Grebner S., Popovic P., Furlan J., Gu Q., Schwarz R. The Increased Response Time inHydrogenated Microcrystalline Silicon - a Fermi Level Effect or a Structural Effect in a GrainyMaterial? // Mat. Rec. Soc.

Symp. Proc. 1996. Vol. 420. P. 795.148[64] Tsu D.V., Chao B.S., Ovshinsky S.R., Jones S.J., Yang J., Guha S., Tsu R. Heterogeneity inhydrogenated silicon: Evidence for intermediately ordered chainlike objects // Phys. Rev. B. 2001.Vol. 63. 125338-1-125338-9.[65] Tsu D.V., Chao B.S., Ovshinsky S.R., Guha S., Yang J. Effect of hydrogen dilution on thestructure of amorphous silicon alloys // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. P. 1317-1319.[66] Kaneko T., Wagashi M., Onisawa K., Minemura T. Change in crystalline morphologies ofpolycrystalline silicon films prepared by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapordeposition using SiF4+H2 gas mixture at 350 °C // Appl.

Phys. Lett. 1994. Vol. 64. P. 1865-1867.[67] Gogoi P., Dixit P.N., Agarwal P. Amorphous silicon films with high deposition rate preparedusing argon and hydrogen diluted silane for stable solar cells // Sol. Energy Mater. Solar Cells.2007. Vol. 91. P. 1253-1257.[68] Ahn J.Y., Lim K.S. Amorphous silicon solar cells with stable protocrystalline silicon andunstable microcrystalline silicon at the onset of a microcrystalline regime as i-layers // J. of NonCryst.

Solids. 2005. Vol. 351. P. 748-753.[69] Schropp R.E.I., Van Veen M.K., Van der Werf C.H.M., Williamson D.L., Mahan A.H.Protocrystalline Silicon at High Rate from Undiluted Silane // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., vol. 808,pp. A8.4.1-5 (2004)[70] Kroll U., Meier J., Shah A., Mikhailov S., Weber J. Hydrogen in amorphous andmicrocrystalline silicon films prepared by hydrogen dilution // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 80. P.4971-4975.[71] Xu L., Li Z.P., Wen C., Shen W.Z.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
А знаете ли Вы, что из года в год задания практически не меняются? Математика, преподаваемая в учебных заведениях, никак не менялась минимум 30 лет. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6458
Авторов
на СтудИзбе
304
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее