Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1105259), страница 30

Файл №1105259 Диссертация (Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства двухфазных пленок гидрогенизированного кремния) 30 страницаДиссертация (1105259) страница 302019-03-14СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 30)

Vol 5 No. 2. P. 150-155.[114] Ефремов М.Д., Болотов В.В., Володин В.А., Кочубей С.А., Кретинин А.В. Образованиенанокристаллов кремния с выделенной ориентацией (110) в аморфных пленках Si:H настеклянных подложках при наносекундных воздействиях ультрафиолетового излучения //ФТП. 2002. T. 36(1). C. 109-116.[115] Voutsas A. T., Hatalis M. K., Boyce J., Chiang A.

Raman spectroscopy of amorphous andmicrocrystalline silicon films deposited by low-pressure chemical vapor deposition // J. Appl. Phys.1995. Vol. 78. P. 6999-7006.[116] Smit C., van Swaaij R.A.C.M.M., Donker H., Petit A.M.H.N., Kessels W.M.M., van deSanden M.C.M. Determining the material structure of microcrystalline silicon from Raman spectra //J. Appl. Phys. 2003.

Vol. 94. P. 3582-3588.[117] Cheng-Zhao Chen, Sheng-Hua Qiu, Cui-Qing Liu Low temperature fast growth ofnanocrystalline silicon films by rf-PECVD from SiH4/H2 gases: microstructural characterization //J. Phys. D: Appl. Phys. 2008. Vol. 41. P. 195413-195418.[118] McCulloch D.J., Brotherton S.D.

Surface roughness effects in laser crystallizedpolycrystalline silicon // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 66. P. 2060-2062.[119] Properties of amorphous silicon and its alloys. Pедактор Tim Searle, INSPEC, London. 1998.[120] Gontad F., Conde J.C., Filonovich S., Cerqueira M.F., Alpuim P., Chiussi S. Study on excimerlaser irradiation for controlled dehydrogenation and crystallization of boron doped hydrogenatedamorphous/nanocrystalline silicon multilayers // Thin Solid Films. 2013. Vol. 536.

P. 147-151.[121] Carey, J.E., 2004, Femtosecond-Laser Microstructuring of Silicon for Novel OptoelectronicDevices, Ph.D. dissertation, Harvard University, Cambridge, MA.[122] Tull, B.R., Carey, J.E., Mazur, E., McDonald, J.P., Yalisove, S.M., 2006, “Silicon SurfaceMorphologies after Femtosecond Laser Irradiation”, MRS Bulletin, 31(8), pp.

626-633.[123] Fork D. K., Anderson G. B., Boyce J. B., Johnson R. I., Mei P. Capillary waves in pulsedexcimer laser crystallized amorphous silicon // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68. P. 2138-2140.153[124] McCulloch D.J., Brotherton S.D. Surface roughness effects in laser crystallizedpolycrystalline silicon // Appl.

Phys. Lett. 1995. Vol. 66. P. 2060-2062.[125] Lowndes. D.H., Fowlkes, J.D., Pedraza, A.J. Early stage of pulsed-laser growth of siliconmicrocolumns and microcones in air and SF6 // Appl. Surf. Science. 2000. Vol. 154-155. P. 647658.[126] Mathe, E., Naudon, A., Elliq, M., Fogarassy, E., Unamuno, S. Influence of Hydrogen on theStructure and Surface Morphology of Pulsed ArF Excimer Laser Crystallized Amorphous SiliconThin Films // Appl. Surf. Science. 1992. Vol.

54, pp. 392-400.[127] Lemons R. A., Bösch M. A. Periodic motion of the crystallization front during beamannealing of Si films // Appl. Phys. Lett. 1981. Vol. 39. P. 343-345.[128] Bachrach R. Z., Winer K., Boyce J. B., Ready S. E., Johnson R. I., Anderson G. B. Lowtemperature crystallization of amorphous silicon using an excimer laser // J. Electron.

Mater. 1990.Vol. 19. P. 241-248.[129] Marmorstein A., Voutsas A.T., Solanki R. A systematic study and optimization of parametersaffecting grain size and surface roughness in excimer laser annealed polysilicon thin films // J. Appl.Phys. 1997. Vol. 82.

P. 4303-4309.[130] Wang H., Kongsuwan P., Satoh G., Lawrence Yao Y. Femtosecond laser-induced surfacetexturing and crystallization of a-Si:H thin film // Proceedings of the 2010 InternationalManufacturing Science and Engineering Conference, MSEC2010-34271. Erie, Pennsylvania, USA.2010. P. 1-10.[131] Daminelli G., Kruger J., Kautek W.

Femtosecond Laser Interaction with Silicon Under WaterConfinement // Thin Solid Films. 2004. Vol. 467. 334-341.[132] Rotaru C., Nastase S., Tomozieu N. Amorphous Phase Influence on the Optical Bandgap ofPolysilicon // Phys. Stat. Solidi A. 1999. Vol. 171. P. 365-370.[133] Palani I.A., Vasa N.J., Singaperumal M. Crystallization and ablation in annealing ofamorphous-Si thin film on glass and crystalline-Si substrates irradiated by third harmonics ofNd3+:YAG laser // Material Science in Semiconductor Processing. 2008. Vol. 11. P.

107-114.[134] Winer K., Anderson G. B., Ready S. E., Bachrach R. Z., Johnson R. I., Ponce F. A., Boyce J.B. Excimer-laser-induced crystallization of hydrogenated amorphous silicon // Appl. Phys. Lett.1990. Vol. 57. P. 2222-2224.154[135] Ivlev G., Gatskevich E., Chab V., Stuchlik J., Vorlicek V., Kocka J. Dynamics of the excimerlaser annealing of hydrogenated amorphous silicon thin films // Appl. Phys. Lett.. 1999. Vol. 75.

P.498-500.[136] Sridhar N., Chung D.D.L., Anderson W.A., Coleman J. Effect of deposition temperature onthe structural and electrical properties of laser-crystallized hydrogenated amorphous silicon films //J. Appl. Phys. 1996. Vol. 79. P. 1569-1577.[137] Vaněček M., Kočka J., Stuchlik J., Kožišek Z., Štika O., Třiska A. Density of the gap states inundoped and doped glow discharge a-Si:H // Sol. Energy Mater. 1983. Vol. 8(4). P.

411-423.[138] Liao N.M., Li W., Jiang Y.D., Kuang Y.J., Qi K.C., Wu Z.M., and Li S.B. Raman study of aSi:H films deposited by PECVD at various silane temperatures before glow-discharge // Appl. Phys.A. 2008. Vol. 91. P. 349-352.[139] Гайслер С.В., Семенова О.И., Шарафутдинов Р.Г., Колесов Б.А. Анализ рамановскихспектров аморфно-нанокристаллических пленок кремния // ФТТ. 2004. Т. 46.

С. 1484-1488.[140] Campbell I.H., Fauchet P.M. The effects of microcrystal size and shape on the one phononRaman spectra of crystalline semiconductors // Solid State Commun. 1986. Vol. 58(10). P. 739-741.[141] Голубев В.Г., Давыдов В.Ю., Медведев А.В., Певцов А.Б., Феоктистов Н.А.

Спектрырамановского рассеяния и электропроводность тонких пленок кремния со смешаннымаморфно-нанокристаллическимфазовымсоставом:определениеобъемнойдолинанокристаллической фазы // ФТТ. 1997. Т. 39. С. 1348.[142] Zi J., Buscher H., Falter C., Ludwig W., Zhang K., Xie X. Raman shifts in Si nanocrystals //Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 69.

P. 200-202.[143] Viera G., Huet S., Boufendi L. Crystal size and temperature measurements in nanostructuredsilicon using Raman spectroscopy // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 90. P. 4175-4183.[144] Gupta S., Kaijar R.S., Morell G., Weisz S.Z., I. Balberg The effect of hydrogen on thenetwork disorder in hydrogenated amorphous silicon // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75, P. 28032805.[145] Fuhs W., Welsch H.W., Booth D.C. Optical Quenching of Photoconductivity in a-Si: H Films// Phys. Status Solidi B. 1983. Vol.

120. P. 197-205.[146] Shmidt M., Korte L., Laades A., Stangl R., Schubert Ch., Angermann H., Conrad E., MaidelK.V. Physical aspects of a-Si:H/c-Si hetero-junction solar cells // Thin Solid Films. 2007. Vol. 515.P. 7475-7480.155[147] Main C., Reinolds S., Zrinscak I., Merazga A. Comparison of AC and DC constantphotocurrent methods for determination of defect densities // J. Non-Cryst. Solids.

2004. Vol. 338340. P. 228-231.[148] Platz R., Bruggemann R., Bauer G.H. More insights from simulation for the interpretation ofthe constant photocurrent method // J. Non-Cryst. Solids. 1993. Vol. 164-16. P. 355-358.[149] Murayama K., Monji K., Deki H. Luminescence from hydrogen-free silicon nanostructures inamorphous hydrogenated silicon// Phys. Status. Solidi C. 2010. Vol. 7. P. 674-678.[150] Tanielian M., Chatani M., Fritzsche H., Šmíd V., Persans P.D.

Effect of adsorbates andinsulating layers on the conductance of plasma deposited a-Si:H // J. of Non-Cryst. Solids. 1980.Vol. 35-36. P. 575-580.[151] Smirnov V., Reynolds S., Main C., Finger F., Carius R. Aging effects in microcrystallinesilicon films studied by transient photoconductivity // J. of Non-Cryst. Solids. 2004. Vol. 338-340.P. 421-424.[152] Smirnov V., Reynolds S., Finger F., Main C., Carius R. Metastable effects in silicon thinfilms: Atmospheric adsorption and light-induced degradation //J. of Non-Cryst.

Solids. 2006. Vol.352. P. 1075-1078.[153] Tsang C., Street R.A. Recombination in plasma-deposited amorphous Si:H. Luminescencedecay // Phys. Rev. B. 1979. Vol. 19. P. 3027-3040.[154] Belolipetskiy A.V., Gusev O.B., Dmitriev A.P., Terukov E.I., Yassievich I.N. Trions insilicon nanocrystals in an amorphous hydrogenated silicon matrix // Semiconductors. 2014. Vol.48(2). P.

235-238.[155] Finger F., Muller J., Malten C., Carrius R., Wagner H., Electronic properties ofmicrocrystalline silicon investigated by electron spin resonance and transport measurements // J.Non-Cryst. Solids. 2000. Vol. 266-269. P. 511-518.[156] А. Роуз, Основы теории фотопроводимости, М. «Мир», с. 192 (1966).156[157] Kochka J., Mates T., Ledinsky M., Stuchlikova H., Stuchlic J., Fejfar A. Transport propertiesof microcrystalline silicon, prepared at high growth rate // J. Non-Cryst. Solids. 2006. Vol. 352.

P.1097-1100.[158] Spear W.E., Loveland R.J., Al-Sharbaty A. The temperature dependence f photoconductivityin a-Si // J. Non-Cryst. Solids. 1974. Vol. 15. P. 410-422.[159] Sakata I., Kamei T., Yamanaka M. Effects of oxygen impurity on the energy distribution ofgap states in hydrogenated amorphous silicon studied by post-transit photocurrent spectroscopy //Phys. Rev. B. 2007. Vol. 76, P.

075206-1- 075206-8.[160] Bruno G., Capezzuto P., Giangregorio M.M., Bianco G.V., Losurdo M. From amorphous tomicrocrystalline silicon: Moving from one to the other by halogenated silicon plasma chemistry //Phil. Mag. 2009. Vol. 89 (28-30). P. 2469-2489.[161] Shibata N., Oda S., Shimizu I. Hole Transport in Silicon Thin Films with Variable HydrogenContent // Jpn.

J. Appl. Phys. 1987. Vol. 26. P. L276.[162] Bovatsek J., Tamhankar A., Patel R.S., Bulgakova N.M., Bonse J. Thin film removalmechanisms in ns-laser processing of photovoltaic materials // Thin Solid Films. 2010. Vol. 518. P.2897–2904.[163] Her T.-H., Finlay R. J., Wu C., Mazur E. Femtosecond laser-induced formation of spikes onsilicon // Appl. Phys. A. 2000. Vol. 70. P. 383-385.[164] Bonse J., Rosenfeld A., Krüger J. On the role of surface plasmon polaritons in the formationof laser-induced periodic surface structures upon irradiation of silicon by femtosecond-laser pulses //J. Appl. Phys. 2009. Vol. 106. P.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Почему делать на заказ в разы дороже, чем купить готовую учебную работу на СтудИзбе? Наши учебные работы продаются каждый год, тогда как большинство заказов выполняются с нуля. Найдите подходящий учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6458
Авторов
на СтудИзбе
304
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее