Диссертация (1105259), страница 31

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 31)

104910-1-104910-5.[165] Reif J., Costache F., Henyk M., Pandelov S.V. Ripples revisited: nonclassical morphology atthe bottom of femtosecond laser ablation craters in transparent dielectrics // Appl. Surf. Sci. 2002.Vol. 197-198. P. 891-895.[166] Grunthaner F. J., Grunthaner P. J., Vasquez R. P., Lewis B. F., Maserjian J., Madhukar A.High-Resolution X-Ray Photoelectron Spectroscopy as a Probe of Local Atomic Structure:Application to Amorphous SiO2 and the Si-SiO2 Interface // Phys.

Rev. Lett. 1979. Vol. 43. P.1683–1686.157[167] Hoh K., Koyama H., Uda K., Miura Y. Incorporation of Oxygen into Silicon during PulsedLaser Irradiation // Jpn. J. Appl. Phys. 1980. Vol. 19. P. L375-L378.[168] Lee C.-H., Sazonov A., Nathan A. High-mobility nanocrystalline silicon thin-film transistorsfabricated by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol. 86. P.222106-1-222106-3.[169] Аржанникова С.А., Ефремов М.Д., Камаев Г.Н., Вишняков А.В., Володин В.А.Особенности электропроводности легированных пленок α-Si:H с нанокристаллами кремния //ФТП. 2005. Т.

39(4). С. 472-478.[170] Chick K.P., Koon K.C., Tong B.Y. A comparative study of the properties of evaporated a-Sifilms before and after hydrogenation // Thin Solid Films. 1987. Vol. 147. P. 213-222.[171] Joannopoulos J.D., Lucovsky G. The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II:Electronic and Vibrational Properties // Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo,1984.[172] Langford A.

A., Fleet M. L., Nelson B. P., Lanford W. A., Maley N. Infrared absorptionstrength and hydrogen content of hydrogenated amorphous silicon // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45. P.13367-13377.[173] Volodin V. A., Koshelev D. I. Quantitative analysis of hydrogen in amorphous silicon usingRaman scattering spectroscopy // J. Raman Spectrosc. 2013. Vol. 44. P. 1760–1764.[174] Ganguly G., Matsuda A. Light-induced defect densities in hydrogenated and deuteratedamorphous silicon deposited at different substrate temperatures // Phys. Rev. B.

1994. Vol. 49 (16).P. 10986-10990.[175] Gontag F., Vonde J.C., Filonovich S., Cerqueira M.F., Alpuim P., Chiussi S. Study onexcimer laser irradiation for controlled dehydrogenation and crystallization of boron dopedhydrogenated amorphous/nanocrystalline silicon multilayers // Thin Solid Films. 2013.

V. 536. P.147–151.[176] Bricchi E., Kazansky P. G. Extraordinary stability of anisotropic femtosecond directwrittenstructures embedded in silica glass // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 111119-1-111119-3.158[177] Wu C., Crouch C.H., Zhao L., Mazur E. Visible luminescence from silicon surfacesmicrostructured in air // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 1999-2001.[178] Ledox G., Gong J., Huisken F., Guillois O., Reinaud C.

Photoluminescence of size-separatedsilicon nanocrystals: Confirmation of quantum confinement // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. P.4834-4836.159.

Характеристики

Список файлов диссертации