Диссертация (1105074), страница 20
Текст из файла (страница 20)
Уменьшение потенциалаплазмы при продвижении из газоразрядной в технологическую камерудолжно приводить к появлению быстрых ионов в технологическойкамере.150БлагодарностиВ заключение хочу выразить глубокую благодарность моему научномуруководителю,Александровне,ведущемузанаучномувнимательноесотрудникуруководство,КралькинойЕленепредложеннуютему,многократные плодотворные обсуждения работы и доброе отношение,профессору Александрову Андрею Федоровичу за внимание к работе, замногочисленные обсуждения результатов работы и полезные замечания,сделанные им при выполнении работы,профессору Кузелеву Михаилу Викторовичу за помощь при проведениитеоретических расчетов и многочисленные полезные замечания, сделанные импри выполнении работы,доценту Карташову Игорю Николаевичу за помощь при проведениитеоретических расчетов и многочисленные полезные замечания, сделанные импри выполнении работы,Павлову Владимиру Борисовичу за помощь при освоении экспериментальногооборудования и проведении экспериментов,Вавилину Константину Викторовичу за помощь при проведении численногомоделирования и обсуждении результатов,Тараканову Владимиру Павловичу, создателю кода KARAT, за помощь вадаптации программы для моделирования индуктивного ВЧ разряда,аспирантам и студентам лаборатории физики ВЧ разрядов, плазменных ВЧтехнологий и космических движителей кафедры физической электроникиМГУ за поддержку и помощь при выполнении работы,а также всему коллективу кафедры физической электроники физическогофакультета МГУ за внимание к моей работе.151Список цитированной литературы1.Charles C., Alexander P., Costa C.
et.al. Helicon Double Layer Thrusters// Proceedings of The 29th International Electric Propulsion Conference.— 2005. — N.290.2.Charles C. Plasmas for spacecraft propulsion // Journal of Physics D:Applied Physics. — 2008. — V.42. — P.163001.3.Charles C., Boswell R.W., Laine R. et.al. An experimental investigation ofalternative propellants for the helicon double layer thruster // Journal ofPhysics D: Applied Physics. — 2008. — V.41.
— P.175213.4.Попов О.А. Индукционные источники света. Учебное пособие. // М:Изд. дом МЭИ. — 2010. — C.64.5.Strabel M., Lyons C. S., Mittal K.L. Plasma Surface Modification ofPolymers: Relevance to Adhesion // VSP International Science Publishers.— 1994. — P.290.6.Bisten M., Freisinger J., Heland J. et.al. The RF-ion Sources 'RIM' and'PRIS' for material processing and surface modification // Proceedings ofThe 22nd International Electric Propulsion Conference.
— 1991. — N.91066.7.Bell F. H., Joubert O., Vallier L. Polysilicon gate etching in high densityplasmas. I. Process optimization using a chlorine-based chemistry //Journal of Vacuum Science and Technology B. — 1996. — V.14. — P.96.8.Benjamin N., Chapman B., Boswell R. Progress of an advanced diffusionsource plasma reactor // Advanced Technology Integrated Circuit Process,Proceedings of The International Society for Optical Engineering. — 1990.— V.1392.
— P.95.9.Campbell G.A., Chambrier A., Mendoza F. et.al. MORI, a high density rfplasma source for etching of polysilicon and metal films on wafers //Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers Proceedings. — 1992.— V.226. — P.1803.15210.Campbell G.A., Pearson D.I.C., Chambrier A.P. High ion flux RF sourcefor ion assisted processes // Proceedings of 33rd Annual TechnologyConference, Society of Vacuum Coaters. — 1990.11.Chapman B., Benjamin N., Os C.F.A.
et.al. Plasma dry processing in thehelicon reactor // The 12th Symposium on Dry Process. — 1991.12.Charles C., Boswell R.W., Kuwahara H. SiO2 deposition fromoxygen/silane pulsed helicon diffusion plasmas // Applied Physics Letters.— 1995. — V.67. — P.40.13.Charles C., Giroult-Matlakowski G., Boswell R. W. et.al. Characterizationof silicon dioxide films deposited at low pressure and temperature in ahelicon diffusion reactor // Journal of Vacuum Science and Technology A.— 1993. — V.11. — P.2954.14.Dalton T.J., Sawin H.H. Spatially resolved plasma and wafer surfacepotential measurements // Gaseous Electronics Conference.
— 1993. —RA-4.15.Ding J., Jenq J., Kim G.H. et.al. Etching rate characterization of SiO2 andSi using ion energy flux and atomic fluorine density in a CF4/O2/Arelectron cyclotron resonance plasma // Journal of Vacuum Science andTechnology A. — 1993. — V.11. — P.1283.16.Gibson G.W., Blayo N., Ibbotson D.
et.al. Side by side comparison of ionenergy distribution functions for helicon and multipolar ECR sources in anHBr discharge // Gaseous Electronics Conference. — 1993. — AA-1.17.Giroult-Matlakowski G., Charles C., Durandot A. et.al. Deposition ofsilicon dioxide films using the helicon diffusion reactor for integratedoptics applications // Journal of Vacuum Science and Technology A. —1994.
— V.12. — P.2754.18.Granier A., Nicolazo F., Val´ee C. et.al. Diagnostics in O2 helicon plasmasfor SiO2 deposition // Plasma Sources Science and Technology. — 1997.— V.6. — P.147.15319.Jiwari N., Iwasawa H., Narai A. et.al. Al etching characteristics employinghelicon wave plasma // Japan Journal of Applied Physics. — 1993. —V.32. — P.3019.20.Kadota K., Konno Y., Aoto K. et.al. Density measurements of O-atoms inhelicon wave oxygen discharge by two-photon laser-induced fluorescence// Proceedings of The 2nd International Conference on Reactive Plasmas.— 1994.21.Kamo T., Mieno T., Shoji T. et.al. Measurement of ion fractions in heliconwave CF4 plasma by TOF mass analysis // Proceedings of The 2ndInternational Conference on Reactive Plasmas. — 1994.22.Kitagawa H., Tsunoda A., Shindo H.
et.al. Etching characteristics inhelicon wave plasma // Plasma Sources Science and Technology. — 1993.— V.2. — P.11.23.Kraft R., Boonstra T., Prengle S. Etching 0.35 mm polysilicon gates on ahigh-density helicon etcher // Journal of Vacuum Science and TechnologyB. — 1996. — V.14. — P.543.24.Mieno T., Kamo T., Hayashi D. et.al.
Efficient production of O+ and Oions in a helicon wave oxygen discharge // Applied Physics Letters. —1996. — V.69. — P.617.25.Mieno T., Shoji T., Kadota K. Control of hydrocarbon radicals and filmdeposition by using a whistler wave discharge in range of radio frequency// Applied Physics Letters. — 1991. — V.59. — P.2675.26.Mieno T., Shoji T., Kadota K. Control of hydrocarbon radicals andamorphous carbon film deposition by means of RF whistler wavedischarge // Japan Journal of Applied Physics. — 1992.
— V.31. —P.1879.27.Nogami H., Nakagawa Y., Mashimo K. et.al. SiO2 etching using = 0helicon wave plasma // Japan Journal of Applied Physics. — 1996. —V.35. — P.2477.15428.Petri R., Sadeghi N., Henry D. Measurement of the amount of oxygengenerated by quartz source walls in a SF6 dense plasma: Application to ahelicon reactor // Journal of Vacuum Science and Technology A. — 1995.— V.13. — P.2930.29.Selwyn G. S., Bailey A. D. Particle contamination characterization in ahelicon plasma etching tool // Journal of Vacuum Science and TechnologyA.
— 1996. — V.14. — P.649.30.Shoji T., Mieno T., Kadota K. Production of hydrocarbon radical and filmdeposition in high density RF discharge // Proceedings of The 20thInternational Conference on Phenomena in Ionized Gases. — 1991. —P.1430.31.Tepermeister I., Ibbotson D.E., Lee T.C. et.al. Comparison of advancedplasma sources for etching applications.
I. Etching rate, uniformity, andprofile control in a helicon and a multiple electron cyclotron resonancesource // Journal of Vacuum Science and Technology B. — 1994. — V.12.— P.2310.32.Thomson J.J. On the Illustration of the Properties of the Electric Field byMeans of Tubes of Electrostatic Induction // Philosophical Magazine. —1891. — V.31. — N.190. — P.149–171; — V.32. — P.321–336.33.Eckert H.U., Two dimensional analysis of thermal induction plasmas infinite cylinders // Journal of Applied Physics.
—1977. — V.48. — P.1467.34.Pippard A.B. The Surface Impedance of Superconductors and NormalMetals at High Frequencies. II. The Anomalous Skin Effect in NormalMetals // Proceedings of Royal Society A. — 1947. — V.191. — P.385.35.Александров А.Ф., Богданкевич Л.С., Рухадзе А.А. Основыэлектродинамики плазмы // М.: Высшая школа. — 1978. — C.411.36.Силин В.П., Рухадзе А.А. Электромагнитные свойства плазмы иплазмоподобных сред // М.: Госатомиздат. — 1961.
— C.24437.Гинзбург В.Л., Рухадзе А.А. Волны в магнитоактивной плазме // М.:Наука. — 1975. — C.256.15538.Chen F.F. High Density Plasma Sources // New Jersey: NoyesPublications. — 1996. — P.1 – 75.39.АлександровА.Ф.,БугровГ.Э.,ВавилинК.В.идр.Самосогласованная модель ВЧ индуктивного источника плазмы,помещенного во внешнее магнитное поле // Физика плазмы. — 2004.— Т.30. — С.434-449.40.Вавилин К.В., Рухадзе А.А., Ри М.Х. и др.
Радиочастотныеиндуктивныеисточникиплазмымалоймощностидлятехнологических приложений // Физика плазмы. — 2004. — Т.74. —В.5.— C.44―49; — Т.74. — В.6. — С.25-28; — Т.74. — В.6. — С.2934.41.Aigrain P.Les ‘helicons’ dans les semiconducteurs // Proceedings ofInternational Conference of Semiconductor Physics. — 1960.
— P.224.42.Кралькина Е.А. Индуктивный высокочастотный разряд низкогодавления и возможности оптимизации источников плазмы на егооснове // Успехи Физических Наук. — 2008. — Т.178. — №5. —С.519–540.43.Shamrai K.P., Taranov V.B. Volume and surface RF power absorbtion ina helicon plasma source // Plasma Sources Science and Technology. —1996.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
