Диссертация (1097947), страница 76
Текст из файла (страница 76)
В первом случае учитываются столкновения первого и второго рода электронов сH 2 X 1g , v и H 2 N 1 (процессы 3.0 и 14.0, 14.1, 14.2, 14.3, 14.4, таблица 17, рис. 231).Во втором случае рассматриваются процессы столкновения первого и второго родаэлектронов с H 2 X 1g , v 0 и H 2 N 1 , соответственно (процессы 3.0 и 14.7, таблица17, рис.
232):H 2 X 1g , v 0 eРасчетыпоказывают,чтовH 2 N 1 e . (4.3.3.5)первомслучае,установлениестационарныхраспределений заселенностей состояний N 1 молекулы водорода имеет монотонныйхарактер (рис.231). Установление стационарных распределений заселенностей молекулы416водорода в состояниях N 1 во втором случае отличается от первого случая. Зависимостьот времени концентраций молекул водорода первой группы N 1u состояний и состояния2 EF 1g является немонотонной, а второй группы N 1 g монотонной. Это объясняетсяразличием значений коэффициентов скоростей возбуждения электронным ударом изсостояния X 1g , v 0 синглетных состояний первой и второй групп молекулы водорода.В обоих случаях, стационарные функции распределения по синглетным состояниямудовлетворительно описываются формулами Больцмана с температурой возбужденияTe N 1 Te (рис.
233). Они формируются в результате обмена энергией междупоступательными степенями свободы электронов и внутренними (колебательной иэлектронной) степенями свободы молекулы водорода. Это приводит к установлениюдинамического равновесия между поступательными и внутренними степенями свободыэлектронов и молекулы водорода, соответственно. Кинетика синглетных состояний ивремя релаксации энергии по внутренним степеням свободы молекулы водорода зависятот степени колебательно – поступательной неравновесности vib H 2 водородной НТП. Вусловиях газоразрядной плазмы, при которых превалирует возбуждение колебательных иэлектронных состояний молекулы водорода электронным ударом, измерения временнойзависимости интенсивностей излучения для переходов H 2 N 1u X 1g , v молекулыводорода могут позволить получить информацию о степени колебательного возбуждениямолекулярного водорода.Учет в кинетической схеме модели процессов (3.0 и 14.0, 14.1, 14.2, 14.3 и 14.4,таблица 17) и излучательных переходов H 2 N 1u X 1g , v (62.0, таблица 17) оказываетвлияние на формирование заселенностей молекулы водорода по состояниям N 1u первойгруппы и основного состояния X 1 g на колебательных уровнях v 1 .
В водородной НТП,прозрачной для УФ излучения, времена электронной релаксации концентрацийH 2 N 1 u коррелируют с соответствующими временами для концентраций H 2 X 1g , v .Это соответствует установлению динамического равновесия между колебательной иэлектронной степенями свободы молекулы водорода (в пределах первой группысостоянийN 1u . Стационарные функции распределения молекулы водорода посостояниям N 1u и ФРКУ молекул водорода в состоянии X 1 g описываются формуламиБольцмана с одинаковыми температурами, Tv X 1g = Te N 1 u =1.5 эВ (рис. 233а).417Величиныэтихтемпературменьше,чемтемператураэлектронов,Tv X 1g = Te N 1 u < Te =4 эВ. Расширение кинетической схемы посредством учетаизлучательных переходов H 2 N 1u X 1g , v приводит к уменьшению стационарныхзначений концентраций первой группы состояний N 1u : концентрации H 2 2 B1u иH 2 2C1 u уменьшаются, приблизительно, в 6 – 7 раз; концентрации H 2 3B1u ,H 2 3D1u иH 2 4 B1u , уменьшаются приблизительно, на порядок.
Учет вкинетической схеме радиационного распада первой группы синглетных состояний N 1uмолекулыводородаприводиткнарушениюдинамическогоравновесиямеждупоступательными степенями свободы электронов и внутренними степенями свободы(колебательной и электронной) молекулы водорода в пределах первой группы состоянийN 1u . Равновесие сохраняется между поступательными степенями свободы электронов иэлектронной степенью свободы молекулы водорода в пределах второй группы состоянийN 1 g (рис. 233б). При выполнении рассмотренных условий в водородной газоразряднойплазме, в которой явлением поглощения УФ излучения можно пренебречь, из измеренийфункции распределения молекулы водорода по синглетным состояниям первой группыN 1u можно определить величину колебательной температуры Tv X 1g .
Процессыпоглощения УФ излучения H 2 X 1g , v могут приводить к образованию атомарноговодорода в основном и электронно – возбужденных состояниях, а также молекул водородав синглетных состояниях [184, 217], и, таким образом, оказывать влияние на кинетикуH 2 X 1g , v и H 2 N 1 .Расчеты с учетом процессов (3.0 и 14.0, 14.1, 14.2, 14.3, 14.4, 62.0, 62.1 и 62.2,таблица 17) показывают, что радиационный распад состояний N 1u в расположенныениже термы N 1 g молекулы водорода, а также каскадное заселение состояний N 1u врезультате радиационного распада из более высоко расположенных термов N 1 gмолекулы водорода играют важную роль в кинетике второй группы состояний N 1 gмолекулы водорода. Данные излучательные переходы слабо влияют, как на механизмызаселения и обеднения, так и на стационарные значения концентраций первой группысостояний N 1u молекулы водорода.
Как и в случае первой группы синглетныхсостояний,расширениекинетическойсхемызасчетрадиационныхпереходов418H 2 N '1 g N 1 u и H 2 N 1 u N 1 g приводит к нарушению динамическогоравновесия между поступательными степенями свободы электронов и электроннойстепенью свободы молекулы водорода в пределах второй группы N 1 g состояний иуменьшению значений концентрацийN 1 gсостояний (за исключением 2 EF 1gсостояния) и времени электронной релаксации. Верхние излучательные состояния3GK 1g , 3I 1 g и 3 D1 u (переходов H 2 3GK 1g 2 B1u , H 2 3I 1 g 2 B1u и т.д.,таблица 14) применяются для спектральной диагностики водородной НТП [307, 308, 330,1549, 1577].
Из приведенного выше анализа кинетики синглетных состояний следует, чтодля спектральной диагностики плазмы предпочтительно использовать состояние 3I 1 g и3 D1 u , поскольку в заселение излучающего состояния 3GK 1g молекулы водородаследуетожидатьвкладаизлучательныхпроцессовH 2 D1u GK 1gиH 2 B1u GK 1g .Расширениекинетическойсхемызасчетучетапроцессовступенчатоговозбуждения и дезактивации электронным ударом синглетных состояний N 1 молекулыводорода не оказывает заметного влияния на механизм формирования стационарныхзаселенностей первой группы синглетных состояний N 1u молекулы водорода и ФРКУмолекулы водорода в основном состоянииX 1 g .
Стационарные распределениязаселенностей молекулы водорода по состояниям N 1u первой группы и основногосостоянияX 1 gописываются формулами Больцмана при температурах, равных,приблизительно, 1.5 эВ при учете в СИМ (нумерация из таблицы 17): столкновенийпервого и второго рода электронов с H 2 X 1g , v и H 2 N 1 (процессов 3.0 и 14.0, 14.1,14.2, 14.3, 14.4), радиационных переходов (процессов 62.0, 62.1 и 62.2), ступенчатоговозбуждения и дезактивации электронным ударом синглетных состояний H 2 (процессов14.8).
Роль этих процессов существенна в кинетике второй группы синглетных состоянийN 1 g молекулы водорода в ИТР [1557]. Включение в СИМ процессов ступенчатоговозбуждения и девозбуждения состояний N 1 молекулы водорода электронным ударомприводит к заметному увеличению стационарных значений концентраций второй группысинглетных состояний N 1 g . Они компенсируют нарушение динамического равновесиямежду колебательной и электронной (в пределах второй группы синглетных состояний)419степенями свободы молекулы водорода, вызванного радиационными переходамиH 2 N '1 g N 1 u и H 2 N 1 u N 1 g .
В результате формируется стационарнаяфункция распределения молекул водорода по синглетным состояниям N 1 g , котораяудовлетворительно аппроксимируется формулой Больцмана с температурой возбужденияTe N 1 g , равной температурам Tv X 1g и Te N 1 u , Te N 1 g = Tv X 1g =Te N 1 u < Te . Из спектральных измерений функции распределения молекул водорода посинглетным состояниям N 1 g можно определить значение Tv X 1g .ФРКУ молекулы водорода в основном состоянии X 1 g , рассчитанные с учетомкинетической схемы модели, расширенной за счет столкновительных процессов (66.0,66.1 и 66.2, таблица 17), удовлетворительно описывается формулой Больцмана сколебательной температурой, которая Tv X 1g =1.5 эВ.
Она слабо отличается от той, чтополучена без учета процессов столкновительного тушения возбужденных синглетныхсостояний молекулы водорода. Стационарная функция распределения заселенностеймолекулы водорода в состояниях N 1u первой группы удовлетворительно описываетсяформулой Больцмана с температурой возбуждения Te N 1 u , равной, приблизительно,1.7 эВ. Она слабо отличается от той, что получена без учета процессов столкновительноготушения возбужденных состояний молекулы водорода ( 1.5 эВ). В рамках развитой СИМводородного ИТР роль процессов дезактивации H 2 2 B1u , H 2 3B1u и H 2 3D1u при соударениях с молекулами водорода не существенна по сравнению с ролью процессов(3.0, 14.0, 14.1, 14.2, 14.3, 14.4, 14.8, 62.0, 62.1, 62.2, 66.0, 66.1 и 66.2, таблица 17).