Электроника и наноэлектроника (1037622)
Текст из файла
Министерство образовании и корни Российской сослсриааи оосхсрилвяос сосуднрсн исииос бюджстнос обрваоинесзьнос Хчрсхокиис ивкнессо обрииовнини кй)основским государственный хехпвческнй упиверснхех имени Н.Э, Баумана 1пацпоиальпый иссиедоватеиьский универсмхет)в 1ан)Г1"Уе ии. Н,Э. Баумана) ЖДАК) ОРОК ТОР учебной рабохс .3.
Баумана ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ В МАГИСТРАТУРУ ОО иаиравдснию пОЛГОтОВки 11,04.й4 )лсктро)инка и ианомекхвопмка нн н нвнненеавнве наивввиеиив иелвееввкн Факуд ьхех 'Чашиносхрон в сальные техно.ни ии 1М'1) Радиозлсккроника и дазсрнаа техника ()еЛ) 1иииее иввневееанве факвлеесее Кецю~неииае наииеиеванне1 )хафеза(ы) Элекхронпыс гехиологии в машиностроении (Рв)И1) 'х ехнолов ии приборостроении (Рлб) Невнее иаиен невание кафелмн Ыеирюнениее иеинененаиие~ Москва. 201~ к 1. ОЬЩИЕ ПОЛОжЕИИЯ й ВС(уИНТ«ЛЬНЫМ ИСШгГТВННЯМ В Ма(ИСТратуру Г(оиусКВЮТСЯ Лниа.
ИМЕЮИВ(Е,ЗОВ ГМСНГ государе(всшюго образца о Высшем образовании любого уров)(Я (диплом бакалавра или спсииг.(иста!. Лица НРедьявигииис лнилом чагпстРае маУт быть )ачпслеиы только на договоРной осио)гс 11рисм осуп(сствляс(ся па конкурсной основе ио результатам вступительных исш (такий. 11р(и рамма В«(уиигсльиых и«иь((апий в магистратуру по направлению погпотовки: 11.04.04 '.)лектроннка п наноэлекгронпка коа и канненованне наврав,евина конго)овки состав;и:иа на Основании Фс)(срги(ВНОГО ГОсударсзве)(ИО! О Образовательного стаида1зта Выси(его образования иод(-оговкн бакшгавра по направлению: 11.03.04 'Эг(екгпонпка п наноэлектроника ка ( и наименование иав(в военно иваго гонки и Охва ! ИВа«г батов(е!«;.и!сини *(ниы (к)дг()тонки ОакешаврОВ по названному наирав.'(с((и(о.
11ро(рампа «х)лсргк)п ошюанис формы вступительных испытаний. переиень вги(росов ,; (н В( ), и(',и; (ьиых исшгпаиип и список.ппс1га гуры рекомендуемой для подготовки. 2. ЦЕЛЬ ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ Вс((ии(сльиыс исш (гаиня призвав(ы оир(лслигп степень готовности поступакнцего к освогл(шо основной о!)разина(с(ы(ой программы магистратуры по направлению: 11.04.04 ' к(ектроппка п нанозлекгронпка ко) и на нег(ноннино ианрав ееннн ио)(го(анки 3.
ЭОРМА ЕП ОВЕДЕИИЯ ВСТУПИТЕЛЬИЫХ ИС11ЫТАИИЙ Вс(уиитсльныс испытания ировсс(ягся В письменной форме в соотвстс(вии с х(".') Ги(ов:ю(шым ири(."миОЙ ьомнссн('.и М1 1 У р'к;писанием. 1! .)(((Вюпгсмв ирс;(:(агасгся оп(с(пть письыепн(з иа 10 вопросов и запри! 0)наста. 1таси().иок«нигых В поря„'(кс Вотрас(ания '(руг(нос ГН и ОХВВ гь(вгвоших содсржани(.' разде)(ОВ и тсм иро! раммы соответсгвуюпгих вс)упитсльных испьпаний. Иа ответы по вопросам и зада гам биг(ета отводится 210 минут. 1С)у)(ь(а(ы исги граций опшпгвшотся по сгобалльной шкале. р«Зу. П тто Ы НГЛ(Ы (тп(Н11 гИ.ГВИГВЮТСЯ НЕ ПОадпсс НЕМ Нсрст трн рабоннх дия, 4. ПРО1'РАМ)ЦА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАПИЙ 11иш мсниос иш(ьп апис проводится (ю поо! раымс, Оазирук)шсйся (га основной ~б!)В(ове! (с)и*пой иро!'раи(х(с оакатвв1зиата по иаправлени(О 11.03,04 "Эр(ек(ронпка и ианозлектронпка ко.е и наинековаиие наиравекиин онаго(онкн !!Сречеиь раздет)ои н зим дисциилии.
Вили)чееен)ых в письмениое исе(ьг!'ание ДИСЦИ!!.$1ИНЛ 1. Физические основы электроииых приборов Фуцкции !Вакуума В к)сктроиакууь)иь)х приборах (')В1!). Сорбциопиыс процессы. РЕ(СЕВОримос«ь Еазол В Еаср;(Ом) Ес:Ес, с(эц(иоцариая и иестациоиар))ая диффл-)ия Еазоа. '!(еко)$$$ ФЕ)ка Распрсдслспис ко!и(СИ!рад)(и расгворснного Газа и )асрдом геле. 1'азопропипаемосгь. Расцылнсмыс и псраспь)лясмыс $ СЕ Еср) ! В ')В11, Формнров(и«ис и (прая.)апис потоками заряжеиных частиц Электронная «миссия, раб(на $$$ Ехо)(а. ')«Ес((«ро)$$)кууъ($(ыс системы с иеодиородиым объелеиым зарядом.
Закон *.(Стецепн 3'2«« 1!ериеа))с з))ектро(зе)ого пучка. Модуляция и фокусировка злектроииых пучков. Д)))еже((ис )лсктропои В )лектричсских полях. ')Яек(роста)ические злектроцные линзы. Закон )1аграцжа(сльм«О.Еьца лля -««Ескгр(«$$$(О($:$$«цз(!. Ма)нигнь)е .В)екгроннь)с линзы. Электростатические и м(иппгпью о)клопа)оп(ис сис«счы. Взаимодейсгаие поп)коа частиц с поверхностью и )В!1. ')крапы а «;юь Еро)и(ых приборах. 'Йп оп Ленарда. 1'азоаый ршрял н вакууме.
Виды электронных приборов на основе газового разряда. Использоаапие газоразрядпой плазмы для формироаапия полных потоков. Виды Е.азоразрядных прибор(«а. Р $(оразрядныс )крапы (плазмепиые Г(анели). ')ЛГИ !роппо-дучсаыс трубки 1ЭЛТ) разли пино иазначепия. Ренпллюаскис Грлбкн ) «с(~Ей~ $$$$О-О«!ГВ"юсю(с $(рсобр($)оаа(с:Еи (.)01!). )«Есктроиийс ц)$$)ки и форх(ироаа($$(с эдск(роцпых ц(чкоа ')В11.
Коифюурации «е«скор(«$$$$$(х пучков Вакуумпыс СЕ(с( хч$,(с:$(( юсп«ипею (1:ВГ(! $(риборы. Ламць! белу(исй Волиы. Лампы обратиой аолпы. ,«1а« $!.'$ Р(ч)ь(. Клио!ВО!(ь«, 1 щ)(«(р(«пы. 11олупроаодиикоаыс материалы. Зоиная теория г))ер)(о!.О !.ела, Формироаапис носите.(сй заряда В полупроводниках.
Зопные диаграммы полупроводников. Собстаеииые и примеси*ю по:$)проиолпики. Сте)!.Ис(ике( подвижным носителей заряда. Функции распределения Ферми,'()!В((м( и «л!(Екс«)с.««ЕВ-ЬО«еь«(х(а Еа Конце)прация подвижных носителей заряда и собствсцпых В прил(сс)(ых $(о,(упр(«$)О (ник((х. Упраа.)снис проаодимостью полупроаодниконых струк(ур. Зонные (иаграммы р-ипсрсхода, прямое и обратное Вклк)чсцие р-и-перехода. Полупроводниковый диод и его ВАХ. 1)и(ю.(я!Н(ый В)ап(ис(О(х Ураапеиие Кирхгофа для би(ц):!яйцо)о $)ьзи)ис)ора. Раоо)а бюп .Еяр)ю( о !рацзисгора В режиме усиления по току. Полевые транзнс(оры. М!)11- транзистор с и($,()ниро(«аниым капалом. М«(!1- транзистор со встрос)ЕНЕ)ь) каналом. 1!Олсьой )рспг(исгор с ' $$(хп)ляю$$(им 1)-и псрсхо)((«х(.
ВДХ ПОЕ)сВых Ера)Г)ис(ОРОВ. И.рече«ее. вопросов !. ()заимосаяз), $(а(«ам«роя Вакхумпой системы: быстро!)а Откачки аакуумио)О ооь(ме!. быс $ ро ! а действия насоса и проаодимость $)акуумно!'о трубопроаода. 2. Зааисимость обьсмцой концентрация газа и твердом теле от температуры и э(аа«(с))ия. 3. Зависимое !ь удслыцп о потока ! азопроиицаемости через тонкую степку (п 'Есм(«сраг) ры и Г(аи:Ес)$$)я $'аза. 4 )миссия электро(ЕОВ. Аесрес(мчсский барьср для '):юк)роиоа иа !рапи)ЕС ((ь(е(тс(;$ $)ак)'уь( «.
с учгГГОМ си;$ ЛВОЙКОГО '):Ескерическо!'О слОя и зарят(а алек)ри'!секо! О зеркго)ьио! 0 нзооражеция, 5, '1'срмоздектрон))ая змиссия. Зависимость плотности !ока оп темпера!)ры и рабо(ы (В $' («. В(. Вако(! 1 )п)ардсОпа „«1)$$)ма(иь («. Ля!О.««(ек(роицая )л(иссия. Р!Гснрслслспис но)спи!!ее!1э между элекгролаыи в вакуумном диоде. Зависимосгь ано 11н!1!1 !Ока О!анод!ю!01ган!эяж~ пиЯ !Зак!эн кстс1инн 3!2Я). 8, Фокусирузощие системы ьсэектровакуумных приборов '.3лектростатические линзы. 9. Фокусирующис системы злектровакуумных приборов.
Магнитные линзы. ! О. Формирование электронных пучков. Ленточная конфигурация электрон!ни о пучка. :, ). Формир1эванис электронных пучков. Цилиндрические элек гронные и) эки. 1 . Формирован!Гс ыскэрощэых пучков. Конические;электронныс пучки, 13. ')лск г)эос!Ятичсскпс о ! Клоняющнс сис !Сыы, ! 1, Мщ нитные !11к.вэнякэпи!с сис гсьп !. ,3. !си!роп и!1-.1у !сная 1)эугэка, Формирование изображения.
1б. Виды !.Язового разряда в вакууме, Вольт-амперпая характсристээка и характерные обласги разрядов. 17. Распределение пс ген инала между катодом и анодом в тлеющем разряде. 1Х, Иглн!льзование газо кчо разряла в пропсссах обраоотки !юверхностн и нанесения ГОНКНХ П.!ГЛ1ОК.
19. Ис1ищьзованнс газово! о разряда для формирования ионных пучков. Иопныс источники. 20. Длина свободного пробега электрона в плазме. Кривые Пащсна. 21. Формирование высокочастгэтной плазмы, особенности ес использования. 2'.. Механизмы электрической проволимости материалов .Нгектронной !Схники. Зопн!гя : сория ! Нсрдого 1сла. Згншые диаграммы 23 3!энн! !с лиа1 !ъаммы оол) цр во;1ни, СОО " вс ! ", Нримссныс и .
упровол кн. 1!р в ь!1;Н,1Г!! о-!шиь р-!н!1а. 24. Кошгсн грация !юдвнжшях носителей заряда, Функции распределения Ферми-Днрака и Максвсг!.1а-1!Ольцмана, 25. Определение кснгцентрации подвижных носителей заряда в собс гвенных нОлу|цэоводннках. 26 1)прсделсшю коппсщэрации подвижных носителей заряда в нримеспых пО101111ОЙО„11!Нкйх 27. Влияние температуры на концентрацию носителей заряда в собственных и примесиых полу проводниках. 2Х. Зош!ая днгврамма идс!ц!ьного симметричного р-и цсрсхола. 1)рамос и обра!шя. ве.п!э'1сэпэс 11 и нерехо„'га.
Воль!'выл!с!эная характсристнка илеачьнОГО р-.п - нсрсхОла, 1ОК ОО)эазпю1'О вась!щсш1я. ! 1олупроволпиковый лион. 30 Ви!1!!.!я!л!ый гра!Г1ист!Нэ. ~'сг!левис тока. Схема !)эанзисто!эа на ос!и!Яе !!Наварной !Эеэ!.~н !!Н;Ии, 31, 1йсэсвой М!3!1-!!эап исгор с иплунн)эованным кана:1ом, Схема трапзпсгора, 32, 11о;!свой МДП-транзистор со встроенным кана:юм. Схема транзистора.
33, 1)О.!Свой !!эа!Гпэсэор с управлякэнэиь! р п перехолом. Схема транзистора, Основная Кчебээаи лите!эгэтурн 1. Физика полупроводниковых приборов микрозлекэроники: учеб. пособие,' В.И. С.1ароссэ!ьский Мл Издательство 1Орайт. 2011.. 463 с. 2, Фи!ические основы твердотельной электроники: учеб. Нссээбис дл вузов Спиридонов О. И, - М.: Высэн. шк., 2008, - 190 с. ')лектропика и ?[икро))[сктроцика, Физико-гсхнологич«скис основы: учеб. Иособнс ддя юзов 1?ар[,[бнн З. Л. - М.: Физматлит,2003. -423 с. -!.
[1их(ин Л.11, Он)и ихлшя и квантовая злскгроника. М. Высш. шк.. 2001. 5. Физика Газоно! о р пряла. Н).!1, Райзер. Мд Ицтсл.)СКГ. 2009. 734 с. Д о полн отель нан учейнин лнтеритури 6. Лфанасьсв В.11., 1'анснков Н.Л., Пшслко 11.С, Матсриалы и комаонсн(ы (р)нкциональной з)[сктроники. С1!бд СПОГЭГУ !У!'УГИ). 1999. 7 1[акуумная [схннка: справочник ' нол общ, рсл. К.1.,!!Сь[их(зва, !О.13. 11анф!«0[она.
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
