Электроника и наноэлектроника (1037622), страница 4
Текст из файла (страница 4)
= 8.36 10 ' . 1 „' э-плоьпзль р-и перехола; дширина Обедненного слоя. Барьерная емкость возрастает при увеличении плошади р-и перехода и Диэлектрической проницаемости полупроводника и умепьзсспии ширины ОбедпсппОГО слОя. В зависимОсти От площади перехода (',,„мснкс" быль ог единиц до сотен пикофарад.
Диффузионная емкость характеризует накопление подвижных носителей заряда в и- и р-областях при прямом напряясении на переходе. Емкость 1 ',„,, п1эслстзвлясз Собой о п~сзп1е|сие зарядов к разности потенциалов Ч1,„ ""'", С увеличением 1)пр прямой ток растет быстрее, чем напряжение, с.к. Золсп-змперпая харзкьсристика для прямосо тока имеет нелинейный вид, помому Е)диф растет быстрее, чем 11пр и Сдиф увеличивается. Вопрос 8 В Однородном электрическом поле элекпрон проходит ускоряюпзую разность пспснпиалов 1ОВ. Начальная скорость электрона равна нулю. Найти конечную скоросзс элсьсронз (двиск"'~цссося в вакууме) и епо кинетическую энерси|О. (10 баллов).
Решение: Конечная скорость электрона: ' 'П Ки~сс! Ичсскзя э!1срсия: т 11 ' -1',') и'- с: и Ы ..' "" 1 О ' ' К ~; и, —. 9. 1 Оч " 1 0 ' Ы О свет ' У=:1875473,37311; %---1,602 х 10 (-18) Вопрос 9 Иамепсние аноиного тока М„=4мЛ получается в триоле при изменении анодпо~о напряжения ЛГ,=50В или при изменении сеточного напряжения М.', -1,25В, Определить крутизну харак-гсристики Я, внутреннее сопротивление К и коэффициент усиления лампы,и, (10 баллов), Реи~еиие: Л!„ Крутизна: 5:=.
—" —" АГ, ЛГ, 11~ Г~ 1,' ~с11исс сопротивление: 47„ КО".)ффнциспт усиления:,д — -- — —" .Ч,.' Ответ: Ь-:3,2„' к, -'12,5;,и---40. Воирос 10 Укажи ~ с осповнуи характеристику аарикапа: 1)С',„,,: — й~,'„1 2)/„„:=- т(0„„) 31 Г;., =: ~1~3„„,)4)Гт„..., = т(С,,) 5)Г;„„я = й13„,,„1 (10 баллов). Ответа 3п'; 1(1,', „) .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
