Электроника и наноэлектроника (1037622), страница 3
Текст из файла (страница 3)
410 б!!плов). Во;цгос %2. Автозлектронная змиссия., Вопрос )х' 3. Формирование !Дсктронпых пучков. Ленточная конфигурация алектронного пучка ................. „„...(10 баллов). Вопрос Х 4. Магнитные опошнякицис системы, Вопрос №5. Зспшые диаграммы полупроводников. Собственные, примесные полупроводники. !!рова)!ихп!с!ь и-типа. р-!нпа. ..(! 0 павлов) Вопрос йети. !!о;!свой ЧО11-грапзис !ор с и!шуцированным каналом.
Схема транзнс!ора. ......., ........................., ........, ...,( 1 О баллов), Вопрос №7. Исходные положения теории производительности машин, примеры практической рс!глизапии теории, показатели цроизводитсльносги технологических машин: фактическая. цнк совая и тсхполо! Ическая производительность, раоочне н холостыс ходы (операции): с !,, «!!!! ппыс и пс сонь!еп!с«нн!,!с ...,.... 410 !хк!!к!в).
Вопрос %8. Механизмы поворо ! а и фиксации карусельных чанпин, кулачково-роликовый мех!!!и! хм. ма !ь ! ий!'.кий механизм, взаь!мое вязь ! сом!«трии механизма н пар«зыетров лингкспня 'с!а)!«!!п«н..........,.............................,.........,.................................(1О ба!!.пн!), Вопрос №9. Осцовпыс !и!!и датчиков для измерения положения. ускорения и скорости с!)Тьск! а позиционирования прецизионных механизмов. а также методы обработки сигналов с датчиков ,(10 баллов).
Воп(х!с №10. Линам ика привила, вынужденные ко!!сбыл!ня: параметрические и автоколебапня. соосгвспная час!о!а арап)акзп!с!ося ва!!а. Расчет по методу Рзлея«кри!и«!еская часто!а вращения вала..................,,...........,,.......,..................,....,.......... (10 баллов). 1гилег утверкелеп иа заеедаиии кафедры МТ-11 Р.' .! м,й. х" 2(17 г. ."р, Заведу!ощий кафе,:)рой! (ЙТ-11 !-4' у! '! /Панфиз!ов 1О,В,/ жда)О» ума)ьа ндров 2017 ); (ь! руктура и содержание типового варианта экзаменационного задания для проведения вступительных испытаний в магистра Гуру кафедры РЛ6 по !гаправлспи)о подгони)ки ! 1.04.04 к")лектропика и нацоэлек-Гроника» В::. врос 1.
Рассчитагь и!!лексы Миллера для плоскости ()Л!В прямоуголыюго параллелепипеда ЛВС(:)А)В!С!1)!. 11остоянная решетки равна а, нача.')О к~ординат в точк~ А„А(~=а, 1Ю1=а, АВ=3а. (10 баллов). ВГ)прОс ' 11срсчис.:!нть основные э! апы изготовления полупроводниковой интегральной микросхемы. (10 оаллов).
1(.д,р!!с Т. (.'!1)ормулнров!Г)), 1 закон Фика и указать размерность величин, входящих в него. (10 оал.нгв), 11)!!г' . 11срсчпсли п Гсхполо! ические факторы, влияющие на коэффициент диффузии. (10 баллов). Вопрос 5 В чем закл)очаются конструкгивно-технологические особенности изготовления деталей информационных радиоэлектронных средств (ИР".)С)7 (10 баллов). Вопрос 6 К)!к!!с суп!сс! ву!о! виды по! рсшностей механической обработки7 В чем их с) н!!!ос ! ь" .(10 ба;!:)<)в). Вопрос 7 11!"!! ьс !~'.! .' ~ '! !р~:;:Гс,.:!епне, а '! Йкже напишите выражение для Оценки дйфГ!)уз)н)н)!Г!)1! !! б;-Ч !,с(ч!!и! сх)ко~"!ей .);!я рсц порея!)да. (10 баллов). Вопрос 8 В однородном э')ектри !сском иоле )лек-Гроп проходит уск!)ря)ощую раз)юсть поГспцналон 10В. 1(а')а)п ЦГ)я скорое Гь э))ск)рона равна ну)но, Иайти коегечнуго скорость )))ск)рона (движущегося в вакууме) и его кинетическую энергию.
(10 о ~ в Вопрос 9 Изменение анодною тока лУ, =4мА получается в триоде при изменении вводного папряхксния М', — -50В или при изменении сеточного напряжения И/, =-1,25В, Опрслслизз крутизну характеристики Б, внутреннее сопротивление Л,. и козффициснт усиления лампы а . (10 баллов), Вопрос 10 Ука;кн1с основную характеристику варикапа: 1)~' „: ~11',) 2)у„,:::=Л~),„Л 3) ~.',, =ХА„,.„,)4)~ „, =Лс,.-) 5)с,„,.„. = 111),„1 (10 баллов).
(.хеВ$й ииенивании задаиий Варианта Максималы ая сучма баллов за 10 задач варианта -- 100, Расиреаеиеиие балдин ииз задачам сд дууи1ее 'Ночерзадачи ~ 1, :2 ~ 3 ~ 4 1 5 ~ б ~ 7, 8 ~ 9 ' 10 1эаллы ~. 10 ! !О ! 10 , 10 ~ 10 1 10 10 ~ 10 ~ 10 1 10 Задачи 1,',3.4,5,6,7,11,9,111: ,' С~спеиь решеииости задачи,, 1 ~~ 0,75 ~~ 0,5 ~ О,'"5 0 Баллы ! 10 ~ 7 ~ 5 ~~ 2 . 0 ()з веты для (инового варианта экзаменационного задания для проведения вс(ун(псльпых исг(ытаний в магистратуру кафедр РЛ6 но паиравлсин(О подготовки 11.04.04 «)лсктр((ника и наноэлектроника» Вопрос 1. Рассчитать индексы Миллера для плоскости 0А~В прямоугольного параллелепипеда АВС!ЗА(В ~С(0и 11остоянная решетки раина а, начало координат в точке А, А!3 — --а, ИЗ(=а, ЛВ--За. 110 баллон).
Отвв(з Огрсзки (Га осях коо1эдинаг нрсз(сгавля(от как 0Л, =- Г((а, АВу = на, С(СИ = ра, Для Онрсдслсния ноложсния нужной плоскости вычисляем соотнои(ение ппз:р, 1;(е пь О, р -- обознача(от числа единичных отрезков 1а) на осях Х, У, Х. Если Б(я Гь ООрап! ые Оп О((1с(и!я ГГГих величии, то ИОлучим: -' '- -' 11Осл(. (Ирнвсдьч(ия дробей к о(биному знамснатжио, числитсли этих дробей будут представлять индексы Миллера. Индексы Миллера всегда целочисленные и заклгочьнотся в кру(.лыс скобки, ) 1.(я плоскости !ЗА(Б (т(---1,п=3,р=1„т. с. приводим к обгцсму:нгамспатс;цо и получаем индекс Миллера !313). Вопрос 2 11сречислить осиовныс этапы изготовления нолупроводниковой интегральной микросхемы.
110 баллов), Ответ: 1.Оксидированис 2.Фотолитография З.Травление 4.Термодиффузия. В(н(рос 3. С(1(орм(ти(рова(( ! закон Фика и указа(ь размерное('ь величин, входяШих в него. 110 баллов). О(вст: 1 икон Фика характеризует скорость нроникновения атомов одного вещее (ва в дру( ос ири иостоянствс во времени потока этих атомов и исизмгл Гном градиенте их концентраций, ,где .! - Ил(гн(ос(( иотока вс(цест(К ироходянтего через единицу нлогцади в единицу времени, 13 ~= моль41м с); (1С((1х - градиент концентрации, 1(1С/(1х1= молы(м м);„ 13 - коэффициент диффузии, 113~=- м /с; 'й(ак «» в уравнении, показан(аст, что диф(рузия ироисходит в (ьз! Драил(ч(ии убы Вания ко(и(снпграции щзимсси. ВонроС 4 11ерсчислить технологические факторы, влня!О!цие на коэффициент диффузии.
(10 баллов). Огне!: 11 тсхно;югии ИМС при создании диффузионных профилей рсшакнцими технологичсскими факторами являются: !, Ирсмя,!Нффузии, !сън!сра!ура„ 3, материал кристалла «а), 4. вил нримсси, растворимость приысси, 5. стснснь совср!Нснства кристалличсской рс!Нотки (наличис лсфсктов), 6. состояние повсрхности подложки (наличие загрязнений). 1'о и!осгь, с которой могут поддерживаться эти параметры в техно.:югнчсском процессе„опрсделяют качества диффузионных структур. ВОНРОС 5 В н м гнк.ночаются конструктивно-технологические особенности и нзт!иысния ,:к ! алеЙ информационных ралиоэлектронных средств «ИР'.)С) ! (10 баллоВ).
О !.Ве г! О!ь!!н!Итс!н нымн осоос!шостямн !громышл«нного !Троизволства являстся: 1) испо:!ьзованис большого числа разнообразных методов обработки или !!Срсраб!Отки конс !рукциогц!ых матсриалов, ооших с лругими Отраслями, в псрв) н! Очсрсль с приб!!ростроснисм и маши!!Ос!роснисм, но пригн нюоблснных лля производства ИР' уС; например литье нол лавлснисм, хололная н!с!овал и объсмная штамповка, злектрофизическис и химичсскис металы размсрной и безразмерной обработки и др,; 2) нриманснис мстоцов полупроволниковой и плсночной тсхнологии, спсцифических для микроэлсктроники; 11!н!рос 6 К!!кис су!исству!От вилы ногрсшностсй механической обработки' И чсм их су!Ннос ! ь" .(10 баллов), Отвд !'. 1)сс но! рс!ннос!и механичсской обработки цолраздсляются на 2 основных класса: а) сис!Сматичсскис НОг сшнОсги, под которыми понимаются ногрсшности величины, момснт появления и направление действия ко горых могу! бы! ь рассчитаны с нримс!!с!!Нсм различных нн!Нсичосгсй физики, химии, матсматики; Ь) слтчайные но!2енншнос!!! нод которыми понимаются погрешности которые нс могут быль опрсде!!Сны как по величине, по направленинх а такжс нсвОзможнО Онрслсз!Нть мОмвнт их появлспия.
111зивслпте Определение. з 1зк ке напишите выражение для Опенки диффузисншсэй и бзрьс рной емкостей для 1э-и перехода. (10 баллов). (?твет: 13арьсрная емкость соответствует обратно включенному р-п, который рЗССМЗтрИВЗЕтся, КЗК Обмс~~ЫЙ КОНЛСПСатор, Сдс ПЛЗСтИНЗМИ яаляютс~ ГраинцЫ ООС:пьспнси О слоя, а сзм оосднснный слой слуясит несовсрпсениым лихьэктриком с увеличенными диэлектрическими потерями:с'„,, =- ', ~дс з— относительная диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала; „Ф г:„-элок: рпсьэскзя постоянная (с',.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
