rpd000010835 (1008415), страница 4
Текст из файла (страница 4)
1. Поясните, как параметры внешней среды влияют на характеристики керамических конденсаторов
2. Рассчитать тепловое сопротивление от перехода до окружающей среды транзистора типа КТ342, пользуясь данными справочника
3. Рассчитать потери в силовом транзисторе IRF840 схемы нереверсивного регулятора тока в RL-нагрузке (схема в лекциях) при КЗ = 0,5; IН = 3А; ЕП = 300В; суммарном времени переключения 0,1мкс на частоте в 10кГц. Нарисовать эскиз установки транзистора на радиатор в виде плоской пластины с изоляцией от радиатора. Рассчитать требуемую площадь поверхности радиатора при температуре среды в 600С.
Билет 27.
1. Поясните, как параметры внешней среды влияют на характеристики электролитических конденсаторов
2. Определить возможные изменения постоянной времени RC-цепи, состоящей из последовательно соединённых резистора типа С2 – 33 – 0,125Вт – 1кОм 5 и конденсатора типа К10 – 17 – 1б – М1500 – 6200пФ10 с учётом технологического разброса параметров элементов в диапазоне температур от 250С до1250с.
3. Рассчитать потери в силовом транзисторе IRFPS40N60K схемы нереверсивного регулятора тока в RL-нагрузке (схема в лекциях) при КЗ = 0,5; IН = 20А; ЕП = 300В; суммарном времени переключения 0,1мкс на частоте в 10кГц. Нарисовать эскиз установки транзистора на радиатор в виде плоской пластины с изоляцией от радиатора. Рассчитать требуемую площадь поверхности радиатора при температуре среды в 600С.
Билет 28.
1. Поясните, как параметры внешней среды влияют на характеристики МДП-транзисторов.
2. Определить допустимую амплитуду пульсаций напряжения на конденсаторе типа К50 –15 –50В -100мкф от импульсных токов через него на частоте в 10кГц при длительности нарастания и спада напряжений в 10-5с
3. Рассчитать потери в силовом транзисторе FA57SA50LC схемы нереверсивного регулятора тока в RL-нагрузке (схема в лекциях) при КЗ = 0,5; IН = 20А; ЕП = 300В; суммарном времени переключения 0,1мкс на частоте в 10кГц. Нарисовать эскиз установки транзистора на радиатор в виде плоской пластины с изоляцией от радиатора. Рассчитать требуемую площадь поверхности радиатора при температуре среды в 600С.
Билет 29.
1. Поясните этапы выполнения поверхностного монтажа. Назовите его достоинства и недостатки.
2. Определить допустимую амплитуду переменного напряжения для конденсатора типа К10 – 47а – МП0 –1500пФ на частоте 100кГц; пользуясь данными справочника.
3. Рассчитать потери в силовом транзисторе IRFM260 схемы нереверсивного регулятора тока в RL-нагрузке (схема в лекциях) при КЗ = 0,5; IН = 10А; ЕП = 100В; суммарном времени переключения 0,1мкс на частоте в 10кГц. Нарисовать эскиз установки транзистора на радиатор в виде плоской пластины с изоляцией от радиатора. Рассчитать требуемую площадь поверхности радиатора при температуре среды в 600С.
Билет 30.
1. Назовите и поясните методы повышения виброустойчивости печатных узлов СЭУ.
2. Определить номинальную мощность резистора типа ОМЛТ – 1Вт сопротивлением в 2кОм при токе через него в 20ма и температуре окружающей среды в 1200С.
3. Рассчитать потери в силовом диоде типа HFA25PB60 схемы нереверсивного регулятора тока в RL-нагрузке (схема в лекциях) при КЗ = 0,5; IН =15А; ЕП = 300В; суммарном времени переключения 0,05мкс на частоте в 10кГц. Нарисовать эскиз установки диода на радиатор в виде плоской пластины с изоляцией от радиатора. Рассчитать требуемую площадь поверхности радиатора при температуре среды в 600С.
Билет (7).
1. Описать основные параметры и области применения магнитных материалов для дросселей СЭУ.
2. Определить допустимую амплитуду пульсаций напряжения на конденсаторе типа К53 – 18 – 30В – 10,0мкф от импульсных токов через него на частоте в 10кГц при длительности нарастания и спада напряжений в 10-5с.
3. Рассчитать потери в силовом транзисторе КП707Б схемы нереверсивного регулятора тока в RL-нагрузке (схема в лекциях) при КЗ = 0,5; IН = 10А; ЕП = 300В; суммарном времени переключения 0,14мкс на частоте в 10кГц. Нарисовать эскиз установки транзистора на радиатор в виде плоской пластины с изоляцией от радиатора. Рассчитать требуемую площадь поверхности радиатора при температуре среды в 600С.
Билет (8).
1. Назвать и охарактеризовать основные этапы развития элементной базы СЭУ
2. Определить номинальную мощность резистора типа С2 – 33И сопротивлением в 1кОм при токе через него в 20ма и температуре окружающей среды в 1000С.
3. Рассчитать потери в силовом диоде типа 2Д220Б схемы нереверсивного регулятора тока в RL-нагрузке (схема в лекциях) при КЗ = 0,5; IН =2А; ЕП = 300В; суммарном времени переключения 0,5мкс на частоте в 10кГц. Нарисовать эскиз установки диода на радиатор в виде плоской пластины с изоляцией от радиатора. Рассчитать требуемую площадь поверхности радиатора при температуре среды в 600С.
Билет (9).
1. . Назвать и охарактеризовать основные этапы развития силовых электронных устройств.
2. Определить номинальную мощность резистора типа С2 – 23 сопротивлением в 1кОм при токе через него в 30ма и температуре окружающей среды в 1000С.
3. Рассчитать потери в силовом транзисторе КТ819А схемы нереверсивного регулятора тока в RL-нагрузке (схема в лекциях) при КЗ = 0,5; IН = 5А; ЕП = 30В; суммарном времени переключения 0,5мкс на частоте в 10кГц. Нарисовать эскиз установки транзистора на радиатор в виде плоской пластины с изоляцией от радиатора. Рассчитать требуемую площадь поверхности радиатора при температуре среды в 600С.
Билет (10).
1. . Назвать и охарактеризовать основные конструктивные разновидности источников вторичного электропитания.
2. Определить возможные изменения постоянной времени RC-цепи, состоящей из последовательно соединённых резистора типа С2 – 33 – 0,125Вт – 1кОм 5 и конденсатора типа К10 – 17 –2б – М47 – 3300пФ5 с учётом технологического разброса параметров элементов в диапазоне температур от 250С до1250с.
3. Рассчитать потери в силовом диоде типа 63CPQ100 схемы нереверсивного регулятора тока в RL-нагрузке (схема в лекциях) при КЗ = 0,5; IН =30А; ЕП = 50В; суммарном времени переключения 0,05мкс на частоте в 10кГц. Нарисовать эскиз установки диода на радиатор в виде плоской пластины с изоляцией от радиатора. Рассчитать требуемую площадь поверхности радиатора при температуре среды в 600С.
Билет (11).
1. Опишите принципы конструирования транзисторных регуляторов электродвигателей на мощности в единицы киловатт.
2. Определить допустимую амплитуду пульсаций напряжения на конденсаторе типа К50 – 24 – 63В – 100,0мкф от импульсных токов через него на частоте в 10кГц при длительности нарастания и спада напряжений в 10-5с.
3. Рассчитать потери в силовом транзисторе КП813А1 схемы нереверсивного регулятора тока в RL-нагрузке (схема в лекциях) при КЗ = 0,5; IН = 15А; ЕП = 100В; суммарном времени переключения 0,2мкс на частоте в 10кГц. Нарисовать эскиз установки транзистора на радиатор в виде плоской пластины с изоляцией от радиатора. Рассчитать требуемую площадь поверхности радиатора при температуре среды в 600С.
Билет (12).
1. Опишите принципы конструирования транзисторных аппаратов защтиы и коммутации.
2. Определить допустимую амплитуду переменного напряжения для конденсатора типа К10 – 17а – М1500 – 39нф на частоте 100кГц; пользуясь данными справочника.
3. Рассчитать потери в силовом диоде типа КД212А схемы нереверсивного регулятора тока в RL-нагрузке (схема в лекциях) при КЗ = 0,5; IН =1А; ЕП = 60В; суммарном времени переключения 0,15мкс на частоте в 10кГц. Нарисовать эскиз установки диода на радиатор в виде плоской пластины с изоляцией от радиатора. Рассчитать требуемую площадь поверхности радиатора при температуре среды в 600С.
Билет (14) .
1. Поясните существо тепловых расчётов по критериям подобия.
2. Определить допустимую амплитуду переменного напряжения для конденсатора типа К10 – 43а – МП0 – 0,0205мкФ на частоте 100кГц; пользуясь данными справочника.
3. Рассчитать потери в силовом транзисторе КП809А схемы нереверсивного регулятора тока в RL-нагрузке (схема в лекциях) при КЗ = 0,5; IН = 5А; ЕП = 200В; суммарном времени переключения 0,15мкс на частоте в 10кГц. Нарисовать эскиз установки транзистора на радиатор в виде плоской пластины с изоляцией от радиатора. Рассчитать требуемую площадь поверхности радиатора при температуре среды в 600С.
Билет (15).
1.Назовите и поясните методы охлаждения дискретных ЭРИ и микросхем, входящих в состав печатных узлов СЭУ.
2. Определить допустимую амплитуду пульсаций напряжения на конденсаторе типа К50 – 27 – 350В – 100мкф от импульсных токов через него на частоте в 20кГц при длительности нарастания и спада напряжений в 10-5с
3. Рассчитать потери в силовом транзисторе КП809А1 схемы нереверсивного регулятора тока в RL-нагрузке (схема в лекциях) при КЗ = 0,5; IН = 7А; ЕП = 200В; суммарном времени переключения 0,2мкс на частоте в 10кГц. Нарисовать эскиз установки транзистора на радиатор в виде плоской пластины с изоляцией от радиатора. Рассчитать требуемую площадь поверхности радиатора при температуре среды в 600С.
Версия: AAAAAATQk5c Код: 000010835















