rpd000002644 (1008390)

Семестр

Трудоем-кость,

час.

Лек-ций,

час.

Практич. занятий,

час.

Лаборат. работ,

час.

СРС,

час.

Экзаменов,

час.

Форма промежуточного контроля

3

72

16

18

0

38

0

Зч

Итого

72

16

18

0

38

0

Соловьев И.Н.

_________________________

Заведующий обеспечивающей кафедрой 306

_________________________

Заведующий выпускающей кафедрой 306

_________________________

Декан выпускающего факультета 3

_________________________

N

Шифр

Результат освоения

1

З-5

Знать основные понятия и методы аналитической геометрии, линейной алгебры

2

У-3

Уметь применять методы математического анализа при решении инженерных задач

3

В-5

Владеть инструментарием для решения математических, физических и химических задач в своей предметной области

4

Знания на уровне представления об уровне современных микроэлектроннык устройств, тенденций и перспектив ее развития.

5

Знания на уровне воспроизведения о возможностях использования основных микроэлектронных устройств для решения типовых инженерных задач дисциплин специальности.

6

Знания на уровне понимания основных характеристик полупроводниковых микроэлектронных устройств для подготовки решения инженерных задач дисциплин специальности.

7

Умения теоретические устанавливать взаимосвязи между характеристиками элементной базы и требуемыми характеристиками электронных устройств.

8

Умения практические производить расчеты рабочих режимов работы в основных устройствах преобразования электрической энергии.

9

Навыки четко сообщать полученные знания; выбирать и применять элементную базу для задач проектирования простейших преобразовательных устройств

N

Шифр

Компетенция

1

ПК-1

Способностью и готовностью использовать информационные технологии, в том числе современные средства компьютерной графики в своей предметной области

2

ПСК-1

Способность применять знания свойств современной элементной базы и законов электротехники для анализа основных процессов, расчёта и построения типовых структур устройств преобразования, регулирования и распределения электроэнергии.

Модуль

Раздел

Лекции

Практич. занятия

Лаборат. работы

СРС

Всего часов

Всего с экзаменами и курсовыми

Основы микроэлектроники

Основы физики полупроводниковых приборов

4

4

0

10

18

72

Основные характеристики полупроводниковых приборов

8

10

0

20

38

Аналоговые и импульсные режимы работы полупроводниковых приборов

4

4

0

8

16

Всего

16

18

0

38

72

72

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Тема лекции

Дидакт. единицы

1

1.1.Основы физики полупроводниковых приборов

2

Основы зонной теории строения твердых тел, собственные, примесные полупроводники, понятие о дырках.

1.1, 1.2

2

1.1.Основы физики полупроводниковых приборов

2

Проводимость, подвижность носителей заряда, дрейфовый и диффузионный токи, время жизни.

1.3, 1.4

3

1.2.Основные характеристики полупроводниковых приборов

2

Электронно-дырочный переход. Вольт амперная характеристика перехода, барьерная и диффузионные емкости.

2.1, 2.2

4

1.2.Основные характеристики полупроводниковых приборов

2

Принцип работы биполярного транзистора. Схемы включения. Режимы работ транзисторов.

2.3, 2.4

5

1.2.Основные характеристики полупроводниковых приборов

2

Структура металл-диэлектрик–полупроводник ( МДП ). Транзистор. Характеристики. Схемы включения.

2.1, 2.5

6

1.2.Основные характеристики полупроводниковых приборов

2

Полевые транзисторы с управляемым р-п переходом, Динисторы, тиристоры, IJBT-транзисторы.

2.5, 2.2

7

1.3.Аналоговые и импульсные режимы работы полупроводниковых приборов

2

Транзистор как регулятор мощности. Работа транзисторов в аналоговых режимах. Операционный усилитель.

3.1

8

1.3.Аналоговые и импульсные режимы работы полупроводниковых приборов

2

Работа транзисторов в импульсных режимах. Составляющие потерь транзисторов в режиме переключения. Энергетические соотношения в импульсных устройствах.

3.2, 3.3

Итого:

16

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Тема практического занятия

Дидакт. единицы

1

1.1.Основы физики полупроводниковых приборов

2

Энергетические зонные диаграммы собственных и примесных полупроводниковых материалов, уровень Ферми, дырочная и электронная проводимости.

1.1, 1.2, 1.3, 1.4

2

1.1.Основы физики полупроводниковых приборов

2

Р-П переход при обратном и прямом включении. ВА- характеристики различных материалов, .влияние температуры. Выпрямительный диод, стабилитрон.

1.1, 1.4

3

1.2.Основные характеристики полупроводниковых приборов

2

Способы определения решения простейших нелинейных цепей. Графо-аналитический метод. Выпрямительный режим работы диода.

2.1, 2.2

4

1.2.Основные характеристики полупроводниковых приборов

4

Характеристики биполярных транзисторов в схемах с общим эмиттером, базой , коллектором. Режимы работы транзисторов.

2.3, 2.4

5

1.2.Основные характеристики полупроводниковых приборов

4

Характеристик полевых транзисторов в различных схемах включении. Принципиальные отличия полевых транзисторов от биполярных.

2.5

6

1.3.Аналоговые и импульсные режимы работы полупроводниковых приборов

4

Работа транзистора как регулируемого сопротивления--аналоговый режим и как ключевого элемента-импульсный режим.

3.1, 3.2, 3.3

Итого:

18

№ п/п

Раздел дисциплины

Наименование лабораторной работы

Наименование лаборатории

Объем, часов

Дидакт. единицы

Итого:

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Наименование типового задания

1

Основы физики полупроводниковых приборов

2

Вольт амперные характеристики кремниевых, германиевых диодов, диодов Шоттки при нормальной и повышенной температуре.

2

Основные характеристики полупроводниковых приборов

2

Схема замещения диода и стабилитрона. Определение к.п.д. схемы с выпрямительным диодом и резистивной нагрузкой.

3

Основные характеристики полупроводниковых приборов

2

Определение режимов работы при заданных входных и выходных напряжениях ,сопротивлении нагрузки и базы.

4

Основные характеристики полупроводниковых приборов

2

Принципиальные отличия от биполярных транзисторов. Схемы включения с общим истоком, общим затвором и общим стоком.

5

Аналоговые и импульсные режимы работы полупроводниковых приборов

2

Анализ усилителя в классе А. Энергетические соотношения. Импульсная работа биполярных и полевых транзисторов.

Итого:

10