rpd000002644 (1008390), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Прикрепленные файлы:
Вопросы для подготовки к экзамену/зачету:
1.Что такое зонная диаграмма вещества?
2.Нарисовать зонные диаграммы проводников, полупроводников и диэлектриков.
3.Что такое зона проводимости?
4.Что такое валентная зона?
5.Что такое запрещення зона?
6.Чем отличаются зонные диаграммы кремния и германия?
7.Что такое уровень Ферми?
8.Что такое собственный полупроводник?
9.Что такое «дырка»?
10.Какие электрические заряды присутствуют в поупроводниках?
11.Что такое примесный полупроводник?
12.Что такое полупроводник п или р–типа?
13.Нарисовать зонные диаграммы полупроводников п и р–типа?
14.Виды токов в полупроводниках?
15.Что такое дрейфовый ток?
16.Что такое диффузионный ток?
17.Что такое р-п переход?
18.Свойства и характеристика p-n перехода.
19.Связь характеристик с зонными диаграммами.
20.Полупроводниковые диоды. Выпрямительные диоды.
21.Выписать основные данные диодов 2Д 213,Д 226 А, Д 223 А. Чем вызвано одинаковое прямое напряжение, несмотря на существенное отличие прямого тока?
22.Диод как нелинейный элемент. Графо-аналитический метод определения режимов работы диода.
23.Переход металл-полупроводник.
24.Диоды Шотки. Отличие от диодов на основе р-п перехода.
25.Определение параметров диодов по ВАХ.
26.Транзисторы. Что общего у всех типов транзисторов?
27.Что такое биполярный транзистор? Структура, основные характеристики.
28.Основные схемы включения биполярных транзисторов.
29.Полевые транзисторы. Разновидности полевых транзисторов.
30.Статические характеристики полевых транзисторов.
31.МДП транзисторы: структура, характеристики.
32.Особенности работы транзисторов в усилительном режиме.
33.Понятие рабочей точки.
34.Построение нагрузочной прямой по постоянному и переменному токам.
35.Усилитель в режиме класса А.
36.Усилители в режиме классов В и С.
37.Свойства транзисторов в импульсном режиме.
38.Транзистор как ключевое устройство.
39.Состояние транзисторных ключей.
40.Процесс переключения транзисторов.
41.Потери в транзисторных устройствах, работающих в линейном и импульсных режимах.
42.Усилители в режиме класса Д.
43.Силовые транзисторные ключи.
44.Операционные усилители. Классификация. Основные параметры. Частотные свойства. Основы расчета схем с типовым включением операционного усилителя.
-
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ И ИНФОРМАЦИОННОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
а)основная литература:
1.Степаненко И.П. Основы микроэлектроники : Учебное пособие для вузов. – 2-е изд., перераб.
и доп. – М .: Лаборатория Базовых знаний, 2004. 488 с. Захаров А.Г.
б)дополнительная литература:
1. Т. Сугано, Т. Икома, Е. Такэиси. Введение в микроэлектронику. /Пер. с япон. М.: Мир. 1988. 320 с.
2. Технология СБИС: в 2-х кн. / Пер. с англ.; Под ред. С. Зи. М.: Мир. 1986. Кн. 1, 404 с. Кн. 2, 453 с.
3. У. Тилл, Дж. Лаксон. Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление /Пер. с англ. М.: Мир. 1985. 501 с.
4. Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы электроники. СПб.: Изд–во «Лань», 2001. 272 с.
5. Захаров А.Г. Физические основы микроэлектроники. Учебное пособие. Таганрог: Из-во
ТРТУ.,1999.288с.
6. Калякин А.И.Основы электронной техники: Учеб. Пособие для вузов :Таганрог: Из-во.:ТРТУ, 2001. 160с.
в)программное обеспечение, Интернет-ресурсы, электронные библиотечные системы:
Програмное обеспечение кафедры 306.
-
МАТЕРИАЛЬНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
Для обеспечения освоения дисциплины необходимо наличие учебной аудитории, снабженной средствами для представления презентаций лекций и проведения практических занятий.
Приложение 1
к рабочей программе дисциплины
«Основы микроэлектроники »
Аннотация рабочей программы
Дисциплина Основы микроэлектроники является частью Математического и естественно-научный цикл дисциплин подготовки студентов по направлению подготовки Электроэнергетика и электротехника. Дисциплина реализуется на 3 факультете «Московского авиационного института (национального исследовательского университета)» кафедрой (кафедрами) 306.
Дисциплина нацелена на формирование следующих компетенций: ПК-1 ,ПСК-1.
Содержание дисциплины охватывает круг вопросов, связанных с: основами микроэлектроники и охватывает круг вопросов связанных с изучением физико-технических свойств полупроводниковых материалов, изучением характеристик полупроводниковых приборов, основных режимов их работы, умением анализировать работу полупроводниковых устройств в простейших устройствах электроники, таких как выпрямительные ,усилительные и преобразовательные устройства электроники.
Преподавание дисциплины предусматривает следующие формы организации учебного процесса: Лекция, мастер-класс, Практическое занятие.
Программой дисциплины предусмотрены следующие виды контроля: промежуточная аттестация в форме Зачет.
Общая трудоемкость освоения дисциплины составляет 2 зачетных единиц, 72 часов. Программой дисциплины предусмотрены лекционные (16 часов), практические (18 часов), лабораторные (0 часов) занятия и (38 часов) самостоятельной работы студента. Дисциплина Основы микроэлектроники является частью Математический и естественно-научный цикл цикла дисциплин подготовки студентов по направлению подготовки Электроэнергетика и электротехника. Дисциплина реализуется на 3 факультете «Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)» кафедрой 306.
Дисциплина нацелена на формирование следующих компетенций: ПК-1,ПСК-1.
Содержание дисциплины преследует цель ознакомления студентов с основами микроэлектроники и охватывает круг вопросов связанных с изучением физико-технических свойств полупроводниковых материалов, изучением характеристик полупроводниковых приборов, основных режимов их работы, умением анализировать работу полупроводниковых устройств в простейших устройствах электроники, таких как выпрямительные ,усилительные и преобразовательные устройства электроники.
Преподавание дисциплины предусматривает следующие формы организации учебного процесса: Лекция, мастер-класс ,Практическое занятие.
Программой дисциплины предусмотрены следующие виды контроля: рубежный контроль в форме Контрольная работа
Приложение 2
к рабочей программе дисциплины
«Основы микроэлектроники »
Cодержание учебных занятий
-
Лекции
1.1.1. Основы зонной теории строения твердых тел, собственные, примесные полупроводники, понятие о дырках.(АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.1.2. Проводимость, подвижность носителей заряда, дрейфовый и диффузионный токи, время жизни.(АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.2.1. Электронно-дырочный переход. Вольт амперная характеристика перехода, барьерная и диффузионные емкости.(АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.2.2. Принцип работы биполярного транзистора. Схемы включения. Режимы работ транзисторов.(АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Проблемная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.2.3. Структура металл-диэлектрик–полупроводник ( МДП ). Транзистор. Характеристики. Схемы включения.(АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.2.4. Полевые транзисторы с управляемым р-п переходом, Динисторы, тиристоры, IJBT-транзисторы.(АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Проблемная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.3.1. Транзистор как регулятор мощности. Работа транзисторов в аналоговых режимах. Операционный усилитель.(АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
1.3.2. Работа транзисторов в импульсных режимах. Составляющие потерь транзисторов в режиме переключения. Энергетические соотношения в импульсных устройствах.(АЗ: 2, СРС: 2)
Тип лекции: Информационная лекция
Форма организации: Лекция, мастер-класс
-
Практические занятия
1.1.1. Энергетические зонные диаграммы собственных и примесных полупроводниковых материалов, уровень Ферми, дырочная и электронная проводимости.(АЗ: 2, СРС: 2)
Форма организации: Практическое занятие
1.1.2. Р-П переход при обратном и прямом включении. ВА- характеристики различных материалов, .влияние температуры. Выпрямительный диод, стабилитрон.(АЗ: 2, СРС: 2)
Форма организации: Практическое занятие
1.2.1. Способы определения решения простейших нелинейных цепей. Графо-аналитический метод. Выпрямительный режим работы диода.(АЗ: 2, СРС: 2)
Форма организации: Практическое занятие
1.2.2. Характеристики биполярных транзисторов в схемах с общим эмиттером, базой , коллектором. Режимы работы транзисторов.(АЗ: 4, СРС: 2)
Форма организации: Практическое занятие
1.2.3. Характеристик полевых транзисторов в различных схемах включении. Принципиальные отличия полевых транзисторов от биполярных.(АЗ: 4, СРС: 2)
Форма организации: Практическое занятие
1.3.1. Работа транзистора как регулируемого сопротивления--аналоговый режим и как ключевого элемента-импульсный режим.(АЗ: 4, СРС: 2)
Форма организации: Практическое занятие
-
Лабораторные работы
-
Типовые задания
1.1.1. Вольт амперные характеристики кремниевых, германиевых диодов, диодов Шоттки при нормальной и повышенной температуре.(СРС: 2)
Тип: Домашнее задание
1.2.1. Схема замещения диода и стабилитрона. Определение к.п.д. схемы с выпрямительным диодом и резистивной нагрузкой.(СРС: 2)
Тип: Домашнее задание
1.2.2. Определение режимов работы при заданных входных и выходных напряжениях ,сопротивлении нагрузки и базы.(СРС: 2)
Тип: Домашнее задание
1.2.3. Принципиальные отличия от биполярных транзисторов. Схемы включения с общим истоком, общим затвором и общим стоком.(СРС: 2)
Тип: Домашнее задание
1.3.1. Анализ усилителя в классе А. Энергетические соотношения. Импульсная работа биполярных и полевых транзисторов.(СРС: 2)
Тип: Домашнее задание
Приложение 3
к рабочей программе дисциплины
«Основы микроэлектроники »
Прикрепленные файлы
Версия: AAAAAARx73c Код: 000002644
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
