rpd000010757 (1008409), страница 4

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 4)

Билет 5.

1. Какими способами можно снизить тепловые потери в выходных цепях ключей на МДП и биполярных транзисторах? Сравните эффективность рассматриваемых способов для обоих типов транзисторов.

2. . Рассчитайте ориентировочный КПД схемы магнитно-транзисторного ключа (схема в лекциях) при I_Н = 1А; К_З = 1; U_П = 27В; ; К_{I МИН} = 15; U_БЭ1 = U_БЭ2 = 0,7В; U_Д1 = U_Д2 = 0,6В; n_Т = W_Б/W_К = 5; R_{0 1} = R_{0 2} = 0,1Ом (потерями в трансформаторе пренебречь).

3. Назовите особенности процессов переключения силовых транзисторов в регуляторах ЭД, сильно влияющие на динамические потери.

Билет 6.

1. Почему нельзя спроектировать высоковольтный, высокочастотный биполярный транзистор с большим усилением по току?

2. Рассчитайте ориентировочный КПД схемы рис. 2,1а («Устройства управления») при n_К = 2; I_Н = 1А; К_З = 1; U_НАС = 6В; U_П = 27В; I_{Б 1} = 0,1А; К_{I МИН} = 10; U_БЭ1 = U_БЭ2 = 0,7В; ; R_{0 1} = 1Ом; R_{0 2} = 0.

3. Иллюстрируйте влияние на сквозные токи 1 рода в полумостовой схеме на МДП-транзисторах величины напряжения, включающего транзисторы, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях U _ВКЛ.

Билет 7.

1. Сравните эффективность параллельного соединения биполярных и МДП транзисторов как метода уменьшения тепловых потерь в силовых транзисторных ключах.

2. Рассчитайте ориентировочный КПД схемы рис.2,1б («Устройства управления») при I_Н = 1А; К_З = 1; U_НАС = 3В; U_П =27В; I_{Б 1} = 0,01А; R_{0 1} = 10Ом; R_{0 2} = 0; R_{0 3} = 0; К_{I МИН} = 10; U_БЭ1 = U_БЭ2 = U_БЭ3 = 0,7В.

3. Иллюстрируйте влияние на динамические потери в схеме нереверсивного регулятора тока БПТ+Д (схема в лекциях) ёмкости С_БК, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях С_БК.

Билет 8.

1. Назовите разновидности промышленных драйверов. Поясните их достоинства и недостатки.

2. . Рассчитайте ориентировочный КПД схемы рис. 2,3а («Устройства управления») при I_Н = 1А; К_З = 1; U_НАС = 3В; U_П = 27В; К_{I МИН} = 10; U_ОП = 0,5В. Потерями во входном каскаде пренебречь.

3. Иллюстрируйте влияние на динамические потери в схеме нереверсивного регулятора тока БПТ+Д (схема в лекциях) коэффициента усиления транзистора по току, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях К_I.

Билет 9.

1. Какие справочные параметры биполярных транзисторов и каким образом можно определить по их выходным вольт-амперным характеристикам?

2. Рассчитайте ориентировочный КПД схемы рис. 2,2 («Устройства управления») при I_Н = 1А; К_З = 1; U_НАС = 6В; U_П = 27В; К_{I 2} = 20; К_НАС2 = 1,5; U_БЭ1 = U_БЭ2 = 0,7В; ; R_{0 1} = 1Ом; R_{0 2} = 0,1Ом; I_НАС = 0,1А; U_Д = 0,7В.

3. Иллюстрируйте влияние на сквозные токи 1 рода в полумостовой схеме на МДП-транзисторах величины пороговых напряжений, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях U_{ПОР 1,2}

.

Билет 10.

1. Нарисуйте качественно верную зависимость тепловых потерь в схеме СТК с регулированием I_Б биполярного транзистора, использующей информацию об I_К и I_Б , в функции от тока нагрузки при К_З = 1. Объясните её характер.

2. Рассчитайте допустимую длину проводов «l» между регулятором и блоком питания (схема соединения 1 в лекциях), если в регуляторе применён транзистор типа 2Т861А, U_П = 30В, I_Н = 1А.

3. Иллюстрируйте влияние на сквозные токи 1 рода в полумостовой схеме на МДП-транзисторах величины пороговых напряжений, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях U_{ПОР 1,2}.

Билет 11.

1. Напряжение источника, открывающего транзисторный биполярный ключ, выбирается оптимальным. Поясните, откуда возникает оптимальность.

2. Рассчитайте величину опорного напряжения U_ОП в схеме тепловой защиты транзистора типа 2Т825А (схема в лекциях), если известно, что напряжение на датчике температуры при 25⁰С составляет 0,65В, а температурный коэффициент напряжения составляет –2мВ/⁰С.

3. Иллюстрируйте влияние на динамические потери в схеме нереверсивного регулятора тока БПТ+Д (схема в лекциях) базового тока, отключающего транзистор, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях I_ОТКЛ.

Билет 12.

1. Нарисуйте качественно верные зависимости тепловых потерь в схеме СТК на двухкаскадном составном биполярном транзисторе и в схеме СТК на МДП- транзисторе в функции от тока нагрузки при К_З = 1. Объясните их характер.

2. Рассчитайте индуктивность дросселя, способного защитить транзистор типа 2Т841А в схеме защиты от КЗ (схема в лекциях), если известно, что неаварийный ток нагрузки составляет 5А, напряжение питания – 200В, время прохождения сигнала через схему защиты – 0,2мкс.

3. Иллюстрируйте влияние на динамические потери в схеме нереверсивного регулятора тока МДПТ+Д (схема в лекциях) напряжения, включающего транзистор, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях U_ВКЛ.

Билет 14.

1. Нарисуйте качественно верные зависимости тепловых потерь в схеме СТК на двухкаскадном составном биполярном транзисторе и в схеме СТК на трёхкаскадном составном биполярном транзисторе в функции от тока нагрузки при К_З = 1. Объясните их характер.

2. Рассчитайте индуктивность дросселя, способного защитить транзистор типа КТ840А в схеме защиты от КЗ (схема рис 4.2 в пособии «Устройства управления»), если известно, что неаварийный ток нагрузки составляет 2А, напряжение питания – 300В, время прохождения сигнала через схему защиты – 0,3мкс.

3. Иллюстрируйте влияние на сквозные токи 2 рода в полумостовой схеме на МДП-транзисторах величины напряжения, включающего транзисторы, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях U _ВКЛ.

Билет 15.

1. Нарисуйте качественно верные зависимости тепловых потерь в схеме СТК на комплементарном трёхкаскадном составном биполярном транзисторе и в схеме СТК на насыщенном биполярном транзисторе в функции от тока нагрузки при К_З = 1. Объясните их характер.

2. . Рассчитайте допустимую длину проводов «l» между регулятором и блоком питания (схема соединения 3 в лекциях), если в регуляторе применён транзистор типа 2Т866А, U_П = 60В, I_Н = 10А, а транзистор запирается пассивно.

3. Иллюстрируйте влияние на динамические потери в схеме нереверсивного регулятора тока МДПТ+Д (схема в лекциях) напряжения, отключающего транзистор, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях U_ОТКЛ.

Билет 16.

1. . Нарисуйте качественно верные зависимости тепловых потерь в схеме СТК на комплементарном трёхкаскадном составном биполярном транзисторе и в схеме СТК на обычном трёхкаскадном составном транзисторе в функции от тока нагрузки при К_З = 1. Объясните их характер.

2. Рассчитайте индуктивность дросселя, способного защитить транзистор типа 2Т866А в схеме защиты от КЗ (схема рис 4.2 в пособии «Устройства управления»), если известно, что неаварийный ток нагрузки составляет 15А, напряжение питания – 30В, время прохождения сигнала через схему защиты – 0,2мкс.

3. Иллюстрируйте влияние на динамические потери в схеме нереверсивного регулятора тока МДПТ+Д (схема в лекциях) проходной ёмкости транзистора, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях С_ЗС.

Билет 17.

1 Нарисуйте качественно верные зависимости тепловых потерь в схеме СТК с изменяющейся структурой и в схеме СТК на насыщенном биполярном транзисторе в функции от тока нагрузки при К_З = 1. Объясните их характер.

2. Рассчитайте тепловые сопротивления транзистора 2Т836А от его перехода до его корпуса и от его перехода до окружающей среды в статическом режиме, используя данные справочника. До какой температуры нагреется его переход мощностью тепловых потерь в 1Вт. если транзистор не установлен на теплоотвод?

3. . Иллюстрируйте влияние на динамические потери в схеме нереверсивного регулятора тока МДПТ+Д (схема в лекциях) порогового напряжения транзистора, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях U_ПОР..

Билет 18.

1. Нарисуйте качественно верные зависимости тепловых потерь в схеме СТК с изменяющейся структурой и в схеме СТК на двухкаскадном составном биполярном транзисторе в функции от тока нагрузки при К_З = 1. Объясните их характер.

2. Рассчитайте индуктивность дросселя, способного защитить транзистор типа КТ872А в схеме защиты от КЗ (схема рис 4.2 в пособии «Устройства управления»), если известно, что неаварийный ток нагрузки составляет 5А, напряжение питания – 500В, время прохождения сигнала через схему защиты – 0,5мкс.

3. Иллюстрируйте влияние на динамические потери в схеме нереверсивного регулятора тока с пассивным формирователем процесса включения (схема в лекциях), индуктивности дополнительного дросселя, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях L_ФТ.

Билет 19.

1. Нарисуйте качественно верные зависимости тепловых потерь в двухтактном магнитно-транзисторном ключе (схема в лекциях) и в схеме СТК на насыщенном биполярном транзисторе в функции от тока нагрузки при К_З = 1. Объясните их характер.

2. . Рассчитайте допустимую длину проводов «l» между регулятором и блоком питания (схема соединения 2 в лекциях), если в регуляторе применён транзистор типа 2Т841А, U_П = 3000В, I_Н = 5А.

3. Иллюстрируйте влияние на динамические потери в схеме нереверсивного регулятора тока с пассивным формирователем процесса отключения (схема в лекциях), сопротивления резистивного приёмника энергии, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях R_ФТ.

Билет 20.

1. Нарисуйте качественно верную зависимость тепловых потерь в схеме СТК с регулированием I_Б биполярного транзистора, использующей информацию об U_КЭ силового транзистора, в функции от тока нагрузки при К_З = 1. Объясните её характер.

2. Гарантирует ли схема защиты от перегрева, приведённая в лекциях, безопасность транзистора 2Т819а2, если если известно, что напряжение на датчике температуры при 25⁰С составляет 0,65В, температурный коэффициент напряжения составляет –2мВ/⁰С, а величина опорного напряжения составляет 0,3В. Привести расчёты.

3. Иллюстрируйте влияние на динамические потери в схеме нереверсивного регулятора тока с пассивным формирователем процесса отключения (схема в лекциях)ёмкости формирователя, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях C_ФТ

.

Билет 21.

1. Поясните причины возникновения сквозных токов 3 рода в полумостовых схемах на биполярных транзисторах. Назовите основные методы их устранения.

2. Определить состояние транзистора и КПД простейшего насыщенного СТК (схема рис1.1 пособия к ЛР) при при I_Н = 2А; К_З = 1; U_УПР = 3В; U_П = 30В; U_БЭ = 0,75В; ; R_Б = 90Ом. Характеристики транзистора прилагаются.

3. Иллюстрируйте влияние на сквозные токи 1 рода коэффициента усиления по току биполярных транзисторов «стойки» моста, нарисовав две осциллограммы процессов её переключения при двух значениях К_{I 1,2}.

Билет 22.

1. Поясните причины возникновения сквозных токов 1 рода в полумостовых схемах на МДП-транзисторах. Назовите основные методы их устранения.

2. Определить состояние транзистора и КПД простейшего насыщенного СТК (схема рис1.1 пособия к ЛР) при при I_Н = 0,8А; К_З = 1; U_УПР = 3В; U_П = 270В; U_БЭ = 1В; ; R_Б = 25Ом. Характеристики транзистора прилагаются.

3. Иллюстрируйте влияние на сквозные токи 1 рода величины базового тока, включающего биполярные транзисторы «стойки» моста, нарисовав две осциллограммы процессов её переключения при двух значениях I_{Б ВКЛ.}

Билет 23.

1. Поясните причины возникновения сквозных токов 2 рода в полумостовых схемах на МДП-транзисторах. Назовите основные методы их устранения.

2. Рассчитайте КПД силовых ключей на биполярном насыщенном транзисторе (схема рис.1.1 пособия к ЛР) и на МДП-транзисторе (схема прилагается) при следующих данных: I_Н = 5А; К_З = 1; U_УПР = 3В; U_П = 27В; U_БЭ = 0,75В; ; R_Б рассчитать самостоятельно; напряжение источника, насыщающего биполярный транзистор, выбрать оптимальным; напряжение затвор-исток МДП- транзистора принять равным 9В. Характеристики транзисторов прилагаются.

3. Иллюстрируйте влияние на сквозные токи 1 рода в полумостовой схеме на биполярных транзисторах величины тока нагрузки, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях I_Н.

Билет 24.

1. Назовите основные требования к драйверам силовых МДП-транзисторов. Поясните происхождение этих требований

2. . Рассчитайте КПД силовых ключей на биполярном насыщенном транзисторе (схема рис.1.1 пособия к ЛР) и на МДП-транзисторе (схема прилагается) при следующих данных: I_Н = 5А; К_З = 1; U_УПР = 3В; U_П = 27В; U_БЭ = 0,7В; ; R_Б рассчитать самостоятельно; напряжение источника, насыщающего биполярный транзистор, выбрать оптимальным; напряжение затвор-исток МДП- транзистора принять равным 7В. Характеристики транзисторов прилагаются.

3. Иллюстрируйте влияние на сквозные токи 2 рода в полумостовой схеме на биполярных транзисторах величины коэффициента усиления транзисторов по току, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях К_{I 1,2}.

Билет 25.

1. Какие требования области безопасной работы транзисторов должны выполняться при проектировании и расчёте схем защиты СТК от перегрузок по току?

2. Рассчитайте R_Б из условий минимизации суммарных тепловых потерь в схеме рис.1.1 пособия по ЛР, если I_Н = 2А; К_З = 1; U_УПР = 5В; U_П = 27В; U_БЭ = 0,8В; характеристики транзистора прилагаются.

3. Иллюстрируйте влияние на сквозные токи 2 рода в полумостовой схеме на биполярных транзисторах величины базового тока, включающего транзисторы, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях I_{Б ВКЛ}.

Характеристики

Список файлов учебной работы