rpd000010757 (1008409), страница 3

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 3)

1.3.2. Процессы переключения МДП и IGB транзисторов в схеме T+D. (АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.3.3. Сквозные токи в полумостовых схемах регуляторов. (АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.3.4. Влияние паразитных параметров цепей передачи сигналов к драйверам на процессы переключения СПП (АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.3.5. Основы применения компьютерного пакета PSpice системы OrCAD для моделирования процессов переключения электронных схем и расчёта динамических потерь в (АЗ: 2, СРС: 1)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.4.1. Основные технические требования к транзисторным регуляторам КДПТ для следящих рулевых систем БПЛА. Функциональные схемы регуляторов. (АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.4.2. Техническое содержание основных узлов регуляторов. (АЗ: 4, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.4.3. Алгоритмы расчётов с использованием компьютерных программ анализа электронных схем. (АЗ: 4, СРС: 1)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.5.1. Основные технические требования к транзисторным инверторам регуляторов. Функциональные схемы регуляторов. Техническое содержание основных узлов (АЗ: 2, СРС: 1)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.6.1. Функциональные схемы усилителей для управления ДИД.. Техническое содержание основных узлов. Частотные свойства каскадов. Принципы формирования желаемо (АЗ: 2, СРС: 1)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1. Практические занятия

1. Лабораторные работы

1.2.1. Силовые транзисторные ключи. (АЗ: 8, СРС: 4)

Форма организации: Лабораторная работа

1.3.1. Исследование методов уменьшения динамических потерь в транзисторных импульсных регуляторах мощности. (АЗ: 4, СРС: 4)

Форма организации: Лабораторная работа

1.4.1. Исследование транзисторного импульсного регулятора скорости коллекторного электродвигателя постоянного тока.

(АЗ: 4, СРС: 0)

Форма организации: Лабораторная работа

1. Типовые задания

Приложение 3
к рабочей программе дисциплины
«Силовые электронные регуляторы »

Прикрепленные файлы

Таблица вариантов КР.doc

Таблица вариантов КР

Общие данные: U_П = 23…..34В; ΔƟ = -40……+60 ⁰С; R_ВХ. > 10 кОм; f_C = 10Гц; δ K_РЕГ. = ± 0,05; δ K = ± 1.

CЭР, билеты для 10757, 6 сем., очная..doc

Билеты для бакалавров к экзамену по СЭР 10757, очная, 6 семестр.

Билет 1.

1. Каким образом конструктивно-технологические особенности современных биполярных транзисторов n⁺pn^-n⁺ типа влияют на их выходные вольт-амперные характеристики?

2. На какой максимальный ток нагрузки рассчитан двухкаскадный составной транзистор, если известно, что: U_УПР = 6В; R_УПР = 40Ом; К_I1= К_I2 = 10; К_{НАС. 2} = 2; U_БЭ1 = U_БЭ2 = 0,7В?

3. . Иллюстрируйте графически зависимость динамических потерь от коэффициента заполнения в схеме БПТ+Д (схема в лекциях).

Билет 2.

1. Какие трудности возникают у разработчиков силовых электронных устройств при использовании параллельного соединения транзисторов?

2. Рассчитайте ориентировочный КПД трёхкаскадного составного транзистора при I_Н = 1А; К_З = 1; U_УПР = 9В; U_П = 27В; I_УПР = 0,01А; R_{0 1} = 10Ом; R_{0 2} = 1Ом; R_{0 3} = 0,1Ом; К_{I МИН} = 10; U_БЭ1 = U_БЭ2 = U_БЭ3 = 0,7В.

3. Иллюстрируйте влияние на сквозные токи 2 рода в полумостовой схеме на биполярных транзисторах величины напряжения источника питания, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях Е_П.

Билет 3.

1. От каких справочных параметров биполярных транзисторов и как зависят суммарные статические потери в схемах силовых транзисторных ключей?

2. Рассчитайте ориентировочный КПД схемы рис. 5 (пособия к ЛР) при I_Н = 1А; К_З = 1; U_УПР = 5В; U_П = 27В; I_УПР = 0,01А;; К_{I МИН} = 15; U_БЭ1 = U_БЭ2 = 0,75В; U_Д1 = U_Д2 = 0,6В.

3. Поясните причины возникновения паразитных переключений в мостовых выходных каскадах регуляторов ЭД. Опишите методы устранения паразитных переключений в мостовых выходных каскадах регуляторов ЭД.

Билет 4.

1. . От каких справочных параметров МДП-транзисторов и как зависят суммарные статические потери в схемах силовых транзисторных МДП-ключей?

2. . Рассчитайте ориентировочный КПД схемы рис. 5 (пособия к ЛР) при I_Н = 1А; К_З = 1; U_П = 27В; К_{I 1} = 15; К_{I 2} = 10; U_БЭ1 = U_БЭ2 = 0,75В; U_Д1 = U_Д2 = 0,6В; если напряжение управления выбрано оптимальным.

3 Иллюстрируйте влияние на сквозные токи 3 рода в полумостовой схеме на биполярных транзисторах величины базового тока, включающего транзисторы, нарисовав две осциллограммы процессов переключения при двух значениях I_{Б ВКЛ}.

Характеристики

Список файлов учебной работы