Технология микроэлектронной промышленности - лекции
Введение в технологию микроэлектронной промышленности
Подготовка подложек в микроэлектронике
Получение металлургического и электронного кремния
Структура и дефекты в монокристаллическом кремнии
Зонная плавка кремния: очистка и выращивание монокристаллов
Оборудование для выращивания монокристаллического кремния
Выращивание монокристаллов кремния методом Чохральского
Основы теории роста монокристаллов по методу Чохральского
Факторы, влияющие на дефекты в процессе роста кристаллов
Оценка качества кремния и параметров кристаллов
Окончательная обработка кремния: от слитка до пластины
Эпитаксиальные пленки: причины и преимущества
Эпитаксия из газовой фазы: метод и реактор
Процессы массопереноса в эпитаксиальных реакторах
Химическая кинетика в эпитаксиальном росте кремния
Механизмы наращивания эпитаксиальных пленок
Легирование и автолегирование при эпитаксии
Эпитаксиальное оборудование и техника безопасности
Выбор оптимальной технологии эпитаксии кремния
Дефекты эпитаксиальных пленок
Преимущества молекулярно-лучевой эпитаксии
Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния
Особенности легирования при молекулярно-лучевой эпитаксии
Перспективы развития молекулярно-лучевой эпитаксии
Технология кремний на изоляторе
Оценка параметров эпитаксиальных структур
Осаждение диэлектрических пленок и поликремния
Кинетика осаждения из газовой фазы
Типы реакторов для осаждения в микроэлектронике
Осаждение диэлектрических и поликремниевых пленок
Поликремний: осаждение, легирование и структура
Двуокись кремния: осаждение и применение
Нитрид кремния: свойства и применение в микроэлектронике
Пиролитическое осаждение пленок в микроэлектронике
Сравнение методов осаждения пленок в микроэлектронике
Использование SiO2 в производстве СБИС
Механизм роста и кинетика окисления
Модель окисления кремния Дила-Гроува
Сопоставление теоретических и экспериментальных данных окисления кремния
Рост тонких окислов в микроэлектронике
Оборудование для термического окисления кремния
Особенности роста окислов кремния в микроэлектронике
Свойства термических пленок SiO2
Плазмохимическое окисление кремния
Диффузия в полупроводниках: назначение и задачи
Модели и механизмы диффузии в микроэлектронике
Диффузия в твердом теле: законы Фика и механизмы
Диффузия из бесконечного источника
Диффузия из ограниченного источника в микроэлектронике
Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии
Атомные механизмы диффузии в кремнии
Факторы, влияющие на процесс диффузии в микроэлектронике
Способы контроля диффузионного процесса
Ионная имплантация в микроэлектронике
Оборудование для ионной имплантации
Фаза ионно-имплантированных ионов
Механизм проникновения ионов в подложку
Дефекты и способы их устранения при ионной имплантации
Отжиг легированных структур в микроэлектронике
Методы оптической литографии в микроэлектронике
Фоторезисты в микроэлектронике: негативные и позитивные
Оптическая литография: использование и проблемы
Электронно-лучевая литография: общая характеристика
Проекционная литография в микроэлектронике
Лучевые сканирующие системы в электронно-лучевой литографии
Эффекты близости при литографии
Рентгеновская литография: принципы и особенности
Принципиальная схема установки для рентгеновской литографии
Резисты для рентгеновской литографии
Шаблоны для рентгеновской литографии
Сухое травление в микроэлектронике
Субтрактивные и аддитивные методы переноса рисунка
Разрешение и профили краев при субтрактивном переносе рисунка
Селективность и контроль размеров элементов в технологии СБИС
Методы плазменного травления в микроэлектронике
Ионно-плазменное и ионно-лучевое травление
Плазменное травление в микроэлектронике
Реактивное ионное и реактивное ионно-лучевое травление
Факторы скорости и селективности травления в микроэлектронике
Побочные эффекты плазменного травления
Металлизация в микроэлектронике: назначение, требования и материалы
Методы осаждения металлических пленок
Проблемы металлизации и способы их устранения
Химическое осаждение металлов из парогазовой смеси
Металлизация электронно-лучевым испарением
Металлизация с индукционным нагревом
Металлизация ионным распылением: идея и преимущества
Металлизация с использованием магнетронного источника
Основы технологии производства n-МОП СБИС
Локос процесс в микроэлектронике
Основы технологии производства КМОП СБИС
Технология производства биполярных СБИС
Интегрально-инжекционная логика: структуры и принцип работы
Соединение кристаллов твердыми припоями
Соединение кристалла полимерным клеем
Ультразвуковая сварка в микроэлектронике
Проволочное соединение в микроэлектронике
Автоматизированное соединение на ленточном носителе
Соединение методом перевернутого кристалла
Технология производства керамических корпусов
Производство прессованных пластмассовых корпусов
Очистка поверхности кристалла в микроэлектронике
Герметизация крышки корпуса в микроэлектронике
Герметизирующее покрытие поверхности кристалла
Защита от альфа-частиц в микроэлектронике
Проблемы герметизации в микроэлектронике
Методы исследования в технологии СБИС
Оптическая микроскопия в режиме интерференционного контраста
Просвечивающая электронная микроскопия
Электронография на просвет в микроэлектронике
Расчет напряжений в пленках методом лазерного отражения
Рентгеновская дифракция в микроэлектронике
Обратное рассеяние Резерфорда в микроэлектронике
Оже-спектроскопия в микроэлектронике
Спектроскопия обратного резерфордовского рассеяния
Растровая электронная микроскопия: метод и применение
Масс-спектроскопия вторичных ионов в микроэлектронике
Рентгеновский микроанализ в микроэлектронике
Рентгеновский флюоресцентный анализ в микроэлектронике
Электронная спектроскопия для химического анализа
Нейтронно-активационный анализ в микроэлектронике
