Диссертация (Оптическая интерферометрия кварцевого волоконного световода легированного редкоземельными ионами в условиях генерации лазерного излучения), страница 6
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "Оптическая интерферометрия кварцевого волоконного световода легированного редкоземельными ионами в условиях генерации лазерного излучения". PDF-файл из архива "Оптическая интерферометрия кварцевого волоконного световода легированного редкоземельными ионами в условиях генерации лазерного излучения", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 6 страницы из PDF
модельФёрстера-Декстера, в которой используется приближение взаимодействующих двухуровневых систем мультипольными осцилляторами [45, 48]. В этом случае в феноменологическихмоделях вводится т.н. константа скорости переноса энергии : =.(1.7)где – расстояние между ионами, = 6, 8, 10 соответственно для диполь-дипольных, диполь-квадрупольных и квадруполь-квадрупольных взаимодействий.
Тогда кинетика распадавозбуждения донора, слабо взаимодействующих с набором акцепторов, задаётся выражением: ()3= exp(− / ), (0)где =4Γ2(︀1−3)︀(1.8) 3/() - мaкропараметр тушения, Γ() - гамма-функция [49].Систематическое изучение кинетики переноса возбуждения между ионами Yb3+ и Er3+ всветоводах и заготовках было проведено в работе [50]. На основе спектрально-кинетическойметодики измерения интенсивности люминесценции при селективной импульсной накачкепоказано, что перенос возбуждения осуществляется в условиях т.н. сильного некогерентного24взаимодействия, при котором вероятность переноса, существенно превышает скорость внутрицентровой безызлучательной релаксации на ионах эрбия.
Увеличение скорости переносадля световодов по сравнению с объёмными образцами стёкол, получаемых из переохлаждённого расплава, связано со значительным уменьшением минимального расстояния между донором и акцептором, при этом в конкуренцию могут вступать взаимодействия различногопорядка мультипольности. В случае малых концентраций донора скорость тушения люминесценции ионов Yb3+ равна скорости безызлучательной релаксации акцепторов, соответствующей времени = 1 мкс для возбуждённого состояния 4 11/2 ионов Er3+ в фосфоросиликатных заготовках При обратном соотношении ( ≫ ) для использованных в данной работеконцентраций ионов Yb3+ 5000-10000 ppm реализовывается миграционно-ускоренная стадиятушения (МУТ).Для описания процесса МУТ для РЗ ионов в стёклах используются следующие асимптотики: () =⎧⎪⎨ (), → 0;(1.9)⎪⎩exp(−¯ ). → ∞¯ в данном случае будет зависеть ужегде () – кинетика статического переноса.
Скорость не только от и , но и от микропараметра донор-донорных взаимодействий . Сростом концентрации доноров доля возбуждений, релаксирующих на статической, нестационарной стадии процесса уменьшается, а исчезающих с постоянной скоростью – увеличивается монотонно с ростом . В случае сильного некогерентного взаимодействия переход кэкспоненциальной стадии осуществляется за время поперечной релаксации.¯ от концентраций и микропараметровТочный вид зависимостей скорости тушения определяется выбором модели миграционно-ускоренного тушения: диффузионной или прыжковой. Большой обзор исследований по тематике МУТ описан в [44], а в работе [51] приведенасводка формул, описывающих эти зависимости, и результаты исследования по применимостимоделей МУТ для различных донорно-акцепторных пар.
Не останавливаясь конкретно на¯ оказываетсяфизических основах каждой из моделей, укажем лишь, что скорость переноса линейна по концентрации акцепторов вне зависимости от модели МУТ и типа межионного взаимодействия [51]. Это позволяет феноменологически ввести коэффициент переносавозбуждения:¯ = ,(1.10)и, при достижении кинетического предела, рассматривать процессы МУТ c использованием25обычных скоростных уравнений [35, 52]: ()= − .(1.11)1.2. Технологические особенности волоконных лазеров и усилителейПо своему функциональному назначению современные мощные волоконные лазерыи усилители представляют собой преобразователи качества излучения. Пространственно испектрально многомодовое излучение накачки мощных полупроводниковых лазерных диодов, поглощаясь в легированной РЗ ионами сердцевине активных волокон, позволяет осуществлять усиление и генерацию лазерного излучения на основной моде активного световодас предельно малой расходимостью, близкой к гауссовой.
Основным параметром, характеризующим качество пучка выходного лазерного излучения, является M2 [53], который определяется как отношение угла расходимости излучения лазера к углу расходимости гауссовогопучка с тем же самым значением диаметра перетяжки:⧸︂2 =,0(1.12)где 0 – величина диаметра перетяжки. В большинстве случаев лазер считается одномодовым, если величина 2 не превышает 1.4.В данном разделе мы обсудим ряд технологических особенностей, влияющих на характеристики и режимы работы конечного устройства.1.2.1.
Развитие технологии волоконных лазеровАктивной средой волоконных лазеров является серцевина оптического волокна из кварцевого стекла, легированная редкоземельными ионами. Поэтому основные физические особенности и проблемы активных сред на легированных стёклах остаются справедливыми идля волоконных лазеров. В то же время волоконная конфигурация обладает рядом существенных преимуществ, таких как интенсивный теплоотвод за счёт большого соотношенияплощади поверхности к объёму, а также отсутствие необходимости юстировки большого количества оптических элементов лазера в связи с волноводным способом распространенияизлучения. Указанные преимущества были поняты довльно давно и волоконная конфигурация активной среды была предложена практически сразу после создания твердотельныхкристаллических и стеклянных лазеров. Уже в первых работах, выполненых еще вначале2660-х годов [54, 55] была продемонстрирована одномодовая генерация на стеклянных световодах, легированных неодимом.
А в 1969 году с использованием одномодового световода сдиаметром световедущей жилы 15 мкм, было продемонстрировано усиление излучения HeNeлазера на длине волны 1.0621 мкм на 40 дБ ( с 230 мкВт до 0.6 Вт)[56].Новые возможности технология волоконных лазеров получила после появления работ[57,58], в которых авторы предложили использовать для накачки волоконных световодов излучение другого лазера, вводимое через торец волоконного световода. Такой способ накачки сразупродемонстрировал многие преимущества волоконных лазеров перед традиционными типами лазеров на основе объемных элементов. Среди этих преимуществ следует назвать оченьвысокую эффективность использования излучения накачки.
Это достигается, во-первых, засчет большой длины поглощающей среды (до нескольких десятков метров) что, даже принизкой концентрации активных ионов, позволяет получать поглощение накачки на уровнедесятков и даже сотен децибел, а во-вторых, за счет полного пространственного совпадениянакачиваемого объема и объема, в котором осуществляется лазерная генерация (усиление).Все это позволяет, во многих случаях, получить практически предельную эффективностьнакачки, ограничиваемую лишь разменом квантов.Несмотря на многие достоинства, волоконные лазеры оставались в зоне в основном теоретического интереса вплоть до середины восьмидесятых годов.
Этому были две причины:первая причина заключалась в несовершенстве технологии изготовления стеклянных световодов требуемого качества, как по неактивным потерям, так и по распределению ПП попоперечному сечению. Вторая причина заключалась в отсутствии подходящего источникалазерной накачки. Обе эти проблемы получили решение к середине 80-х годов прошлоговека.Главным стимулом развития всей волоконной оптики в целом явилось создание волоконно-оптических линий связи (ВОЛС). Существовавшая до 70-х гг. технология изготовления и вытяжки волоконных световодов не позволяла обеспечить распространение излученияс коэффициентом затухания менее 10 дБ/км, в связи с чем ВОЛС уступали по качеству даже медным проводным линиям связи.
Решение проблемы стало возможно после публикациифундаментальной работы [59], где было показано, что ключевым фактором влияющим назатухание излучения в световодах является наличие примесей, в первую очередь переходныхметаллов и ионов гидроксильных групп OH− .Многочисленные попытки создания методики глубокой очистки стекла привели к ре27ализации нескольких успешных технологий производства заготовок световодов из плавленного кварца.
Помимо достижения сверхнизких концентраций неконтроллируемых примесей,данные методики позволяли реализовать произвольный профиль показателя преломленияв световоде путём легирования дополнительными примесями и контролировать его с высокой точностью, исходя из конкретных применений. Наиболее простым и гибким методом,позволяющим варьировать параметры волокна в широких пределах, оказался т.н. модифицированный метод осаждения из газовой фазы (MCVD)[60].В современных волконных световодах, применяющихся в ВОЛС, пассивные потери составляют 0.2 дБ/км = 4.6 · 10−4 см−1 с максимумом прозрачности в диапазоне более 20 нмвблизи длины волны излучения 1.55 мкм. Потребности освоения огромной, по сравнениюс кабельными линиями связи, полосы пропускания привели к появлению технологии WDM(wavelength division multiplexing), при которой световой сигнала распространяется по волокнуна нескольких длинах волн за счёт оптического мультиплексирования. Наибольшее распространение получил подвид этой технологии под названием DWDM (dence wavelength divisionmultiplexing), особенность которого состоит в использовании фиксированного набора оптических частот с интервалом 100 ГГц именно в диапазоне главного телекоммуникационногоокна прозрачности (1.55 мкм).Данный спектральный диапазон попадает в полосу усиления активной среды на основелазерного стекла, легированного ионами Er3+ (см.
рис. 1.3). Это явилось предпосылкой длясоздания волоконных услителей оптического сигнала на основе эрбиевых волокон, обеспечивавших его прохождения в протяжённых многопролётных линиях связи без промежуточногоопто-электронного преобразования.Последним технологическим звеном, способствовавшим развитию волоконных усилителей и лазерной волоконной оптики в целом, явилось создание недорогих и надёжных источников накачки — полупроводниковых лазеров и диодов.
Лазерные диоды на основе двойныхгетероструктур AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами обеспечивали высокоэффективную генерацию оптического излучения накачки и стабильно работали при комнатной температуре[24].Впервые удачное сочетание активированных кварцевых световодов и полупроводниковой накачки продемонстрировано в работах Центра Оптоэлектроники из университета Саутгемптона [61–65].
За короткий промежуток времени были реализованы практически все типы активных сред современных волоконных лазеров. Они использовали в качестве лазерной28среды кварцевые световоды аналогичные световодам разработанным для телекоммуникации,одномодовая световедущая жила которых дополнительно легировалась различными редкоземельными ионами (Nd3+ , Er3+ , Yb3+ и др.), а в качестве накачки — одномодовые диоды на0.8 мкм (рис.