Отзыв официального оппонента Петросянц К.О. (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов), страница 2
Описание файла
Файл "Отзыв официального оппонента Петросянц К.О." внутри архива находится в следующих папках: СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов, Документы. PDF-файл из архива "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 2 страницы из PDF
Стойкость к воздействию специальных факторов для ИМС на основе биполярных технологических процессов подтверждается лишь ссылками на 3 литературных источника; 4. в диссертации не рассмотрены вопросы построения в рамках исследуемого технологического процесса диодов защиты от электростатического разряда, являющихся неотъемлемой частью современных технологических процессов.
0 енка п блика ий Содержание диссертации с достаточной полнотой опубликовано в 28 публикациях„из них в 5-ти изданиях рекомендованных ВАК для публикации результатов диссертаций. Кроме того, получены 4 свидетельства о гос. регистрации топологий ИМС, в разработке которых принимал участие автор. Со е жание авто е е ата полностью отражает основные положения и выводы диссертации, опубликованные работы соответствуют ее базовым теоретическим результатам, а также практическим рекомендациям. Заключение Оценивая диссертацию Дроздова Д.Г. в целом, несмотря на указанные недостатки, следует заключить, что она является законченным научным исследованием, выполненным лично автором, в котором решена важная научно-техническая задача по разработке технологии и компонентной базы аналоговых и аналого-цифровых микросхем нового поколения с повышенными показателями по рабочим частотам и напряжениям.
Считаю, что представленная диссертационная работа выполнена на высоком научном уровне, удовлетворяет требованиям ВАК, предъявляемым к кандидатским диссертациям, а ее автор — Дроздов Дмитрий Геннадьевич— заслуживает присуждения ему ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах». Официальный оппонент, доктор технических наук, профессор департамента электронной инженерии Московского института электроники и математики Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики» - Петроаннв Конатентнн Ореатовнч 110Д11ись ийисри10 Сикх~~.сЯ.р.ю.~с,к., Р О КО+О ~~ КатйК.ЬС4КДА~ Тел.
8 1495) 772-95-90*15208 йй /Р 4:.047: Е-та11: 1с е1говуап1з с Ьзе.ги 101000 г. Москва, ул. Мясницкая, д.20 Ыр://жжю.Ьзе.ги Подпись проф. Петросянца Константина Орестовича заверяю .
