Отзыв на авторефферат МИЭТ (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов)

отзыв на автореферат диссертации Дроздова Дмитрия Геннадьсвича «СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах В диссертационной работе Дроздова Д.Г. с использованием средств приборно- технологического моделирования проведено исследование и разработка комплементарного биполярного технологического процесса, включающего в себя сверхвысокочастотные комплементарные биполярные транзисторы, п- и р-канальные полевые транзисторы с управляющим р-и переходом и диоды Шоттки. Исследование выполнено с целью создания отечественного технологического процесса изготовления современных биполярных аналоговых и аналого-цифровых интегральных микросхем, что делает его важным и актуальным.

При разработке современных технологических маршрутов с помощью методов приборно-технологического моделирования крайне важным является выбор и калибровка моделей. В данной работе представлен подробный анализ моделей различных технологических операций, а также режимов их проведения с учетом специфики использования отечественных производственных мощностей. С помощью разработанного метода оценки качества моделей проведен их выбор и настройка параметров для решения задач конкретной работы — разработки процесса формирования транзисторов с граничными частотами 10 — 15 ГГц. Проанализировано влияние шага конечно-разности ой сетки для технологического и приборного моделирования; выбраны модели ионной имплантации и диффузии примесей при формировании эмизтера, в том числе и модель диффузии из легированного поликремния, проведена настройка моделей расчета электрофизических параметров.

Представленные методы использованы при оптимизации высоковольтного комплементарного биполярного технологического процесса, мощных СВЧ транзисторов и могут применяться для других полупроводниковых приборов подобного класса. С учетом предложенных методов приборного-технологического моделирования автором проведены исследования влияния режимов формирования коллектора и базы и-р-и- и р-п-р-биполярных транзисторов на граничную частоту и пробивное напряжение приборов и определены режимы, обеспечиваюгцие согласование электрических характеристик транзисторов, формируемых в одном технологическом маршруте.

Также на базе маршрута создания комплементарных биполярных транзисторов разработаны маршруты создания диодов Шоттки и транзисторов с управляющим р-ппереходом. Средствами приборно-технологического моделирования исследовано влияние режимов формирования на электрические характеристики диодов Шоттки с р+-охранными кольцами и комплементарных Л" ЕТ.

Результаты моделирования согласуются с результатами измерений экспериментальных кристаллов. В качестве замечания к работе стоит отнести недостаточно подробное описание вопросов повышения скорости расчетов, а также экономии вычислительных мощностей, что являлось критерием выбора расчетов с помощью аналитических моделей. Также в автореферате недостаточно полно приведено сравнение результатов моделирования и измерений, в частности не показано влияние технологического разброса на измеряемые электрические характеристики. Несмотря на замечание, считаю.

что диссертационная работа «СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», соответствует требования ВАК РФ, предъявляемым к кандидатским диссертациям, а ее автор заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. К.т.н., доцент каф.

ИЭМС МИЭТ Красюков А.Ю. .