Отзыв на автореферат НГТУ (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов)
Описание файла
Файл "Отзыв на автореферат НГТУ" внутри архива находится в следующих папках: СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов, Документы. PDF-файл из архива "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
отзыв на автореферат диссертации Дроздова Дмитрия Геннадьевича «СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01— Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. Диссертационная работа Дроздова Д.Г. посвящена исследованиям и разработке методов проектирования технологического процесса, содержащего в своем составе СВЧ кремниевые комплементарные биполярные транзисторы с предельными для отечественной промышленности техническими параметрами (~7> 1 0 П ц и 1'авэо~ 1 2 В). Возможность применения подобного технологического процесса для изготовления аналогово-цифровых устройств (в частности, аналого-цифровых преобразователей, операционных усилителей, фильтров и др.) делает данную работу актуальной и практически значимой для предприятий российской электроники.
Для решения поставленной задачи автором применялись различные методы и методики анализа конструктивно-технологического базиса с целью его интеграции в едином технологическом маршруте, большая часть которого основывается на двумерном приборно-технологическом ТСА1Э-моделировании.
Для обеспечения высокой точности и достоверности расчетов автором выполнена обширная работа по калибровке физико-технологических моделей процессов с учетом различных экспериментальных данных, электрофизических (физико-топологических) моделей приборов для высокочастотного диапазона, а также определены рациональные варианты построения расчетной сетки. На основе проведенных исследований автором были предложены новые методики для совершенствования инженерных методов проектирования конструкции и технологии изготовления на отечественном производственном оборудовании СВЧ комплементарных биполярных транзисторов, а также СВЧ диодов Шоттки, комплементарных полевых транзисторов с управляющим р-и- переходом, изготовляемых в едином технологическом процессе.
При этом автором были найдены оптимальные значения режимов технологических процессов (прежде всего — ИЛ, термического окисления и диффузии). Сопоставление с зарубежными аналогами электрофизических параметров интегральных элементов спроектированного на основе исследований автора комплементарного техноло- конченное исследование, выполненное на высоком научном и техническом уровне.
Полученные автором результаты отличаются оригинальностью и новизной, инженерно-технологической ценностью, выводы по работе сформули- рованы ясно. Судя по автореферату, можно считать, что диссертационная работа «СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», соответствует требованиям ВАК РФ, предъявляемым к кандидатским диссертациям, а ее автор Дроздов Дмитрий Геннадьевич заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. .Ф В.А. Гридчин Профессор кафедры Полупроводниковых приборов и микроэлектроники, Новосибирского государственного технического университета, доктор технических наук, заслуженный работник Высшей Школы Доцент кафедры Полупроводниковых приборов и микроэлектроники, Новосибирского государственного технического университета С.В.
Калинин Адрес: 630073, Российская Федерация, г. Новосибирск, пр. К.Маркса, 20, Новосибирский государственный технический университет, Телефон: (383) 346-08-75, е-ша11: ч.цгЫсЫпф~агпЬег.ген'.паап.ги .З~ ~,:~"" ~~~: -'г'3 гического процесса показало их высокий уровень и возможность использования при создании радиационно-стойких аналого-цифровых ИМС, а также СВЧ МИС Е- и Я-диапазонов частот. В качестве замечания по содержанию автореферата можно отметить, что практическую ценность работы желательно было указать явным образом. В целом, диссертационная работа Дроздова Д.Г.
представляет собой за- .