Отзыв на автореферат Елесин В.В. (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов)

отзыв па автореферат диссертации Дроздова Дмитрия Гснпадьевича «СВЧ комплемецтарпый биполярный технологический процесс с высокой стспспью симметрии динамических параметров транзисторов», представленной ца соискание ученой степени капдидата технических наук по специалыюсти 05.27.01-- '1'вердотсльная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы па квантовых эффскгах Основным направлением развития отечественной электроники является создание нового поколения элекгропной компоцегггцой базы (ЭК!З) - радиациоппостойких интегральных микросхем (ИМС) для аппаратуры космического и специального пазначепия. Создание широкой номенклатуры ЭКЮ обеспечивается возможностями огечсствеппых полупроводниковых производств, разнообразием активных и пассивных элементов.

В настоящее время па отечественных предприятиях налажены технологические процессы (ТИ) изготовления комплсмсптарпых МОИ транзисторов уровня 500....90 пм, ориентированные, прежде всего, па построение цифровых ИМС. Между тем, отечественные ТП изготовления комплсментарпых биполярных транзисторов (БТ) с граничными частотами более 5 ГГц для построения аналоговых, впалого-цифровых и радиочастотных ИМС, отсутствуют. В этой связи диссертациошгая работа Дроздова Д.Г., посвящсьшая разработке отечественного комплементарного биполярного технологического процесса с малым разбалансом граничных частот транзисторов, включающего интегральные быстродействующие диоды П!отгки, малошумящие полевые транзисторы с управлякш!им р-и переходом, является актуальпой, !1овизца провсдсппых исследований определяется в первую очередь следующими результатами: - определены параметры моделей ионной имплантации, диффузии и окисления при формировании областей кремниевых БТ, в том числе актиьчюй базы без применения низкоэпергетической имплантации и быстрого термического отжига: - показана возможность повьппения симметрии динамических параметров комгпемептарных Б'!" !разбаланс граничной частоты пе более 20'.4) за счет градисптпого профиля распределения примеси в коллекторах БТ, сформированпых двойной имплаптацисй в эпитаксиальпо-планарпом технологическом процессе с толщиной плепки 2 мкм и комбинированной изоляцией; - предложена конструкция диода П1оттки с охранными кольцами р-типа проводимости, ицтсгрироваппая в исследуемый СВЧ комплемснтарцый биполярный технологический процесс, и обеспечивающая значение частоты среза более 260!'1'и при значепиях напряжения пробоя более 15 В; — предложен метод дополнительного «тормозящего» легироваиия, позволяющий управлять процессом обратной диффузии из скрытых слоев коллектора, способный обеспечить симметрию значений динамических и статических параметров и-и р-ка~альных полевых транзисторов с управляюп1им р-и переходом.

Практическая зцачимость обеспечена использованием результатов работы при создании ИМС СВЧ-усилителей, источников стабильного тока, квадратурпых модуляторов, пассивных смесителей (1324УВ6, 1348ЕГ2, 1324МП2, 1324ПС5). К всвостатнвм аат р фсрата монна отаости отсутствио таин и о ~ини~~мюы коэффициенте шума спроектироваппых Б'Г, о состоянии моделей базовых элементов для САПР. Кроме того, не представлены прогнозные оцепки показателей радиационной стойкости базовых элсмен'гов рассматриваемого технологического процесса, а также сравнение с зарубежными аналогами. Указанные недостатки нс снижают ценности получеппых в диссертационной которая выполнена на высоком научно-техцическом уровне, имеет практическую значимость, является целецаправленным и завершенным исследованием, удовлетворяющим требованиям ВЛК, предъявляемым к кандидатским диссертациям, а ее автор заслуживает присуждения ему степени кандидата технических наук по специальпоспл 05.27.01 — '1всрдотельиая электроника, радиоэлектронпые компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.

Елесин Вадим Владимирович Кандидат технических наук, доцент кафедры электроники (№3) института панотехцологий в электронике, спиптропикс и фото~ике Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ» «МИФИ», Национальный исследовательский ядерпый университет 115409, г. Москва, Каширское ш., 31. +7 (495) 788-56-99 1п1ря://1пер111.гп -'жнитву тустсай р работе результатов. Автореферат достаточно полно отражает содержание диссертационной работы, .