Отзыв ФГУП РНИИРС (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов)

УТВЕРЖДАЮ Первый заместитель директора Федерального государственного унитарного предприятия Ростовскийна-Дону научно-исследовательский т-;,„ радиосвязи» Федерального :",нау",~ц1~.ирооз~одственного центра ~ ' '- ':,!' '-"'-~,„..~, '~.;-„:.' Ф.;~ф~ В.П. КОМОР 'ж'.;:". ' "" ' „;"'.:.")' «А5» ~ ~~ 2017 г.

ОТЗЫВ на автореферат диссертации Дроздова Дмитрия Геннадьевича «СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01— «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ ДИССЕРТАЦИИ Диссертационная работа Дроздова Д.Г.

посвящена научно-технической задаче разработки отечественного технологического процесса, обеспечивающего создание комплементарных биполярных транзисторов с граничными частотами более 10 ГГц. Данный процесс актуален не только для использования в быстродействующих и прецизионных операционных усилителях. С помощью такого процесса возможна разработка СВЧ МИС 1.-, Б-, С- диапазонов частот, способных конкурировать с МИС на основе кремний-германиевых и арсенид-галлиевых технологических процессов в указанных диапазонах частот за счет меньшей стоимости изготовления интегральных схем.

ДОСТОВЕРНОСТЬ ПОЛУЧЕННЫХ В ДИССЕРТАЦИИ РЕЗУЛЬТАТОВ Достоверность полученных в диссертации результатов подтверждается результатами экспериментальных исследований интегральных элементов комплементарных биполярных технологических процессов, БиКМОП процессов, а также мощных СВЧ биполярных транзисторов, адекватностью используемых моделей, корректным применением математического аппарата, результатами рецензирования опубликованных основных положений диссертации в ведущих научных изданиях. НОВИЗНА ОСНОВНЫХ ВЫВОДОВ И РЕЗУЛЬТАТОВ ДИССЕРТАЦИИ Новизна основных выводов и результатов диссертации состоит в том, что автором определены параметры моделей ионной имплантации, диффузии и окисления для режимов формирования областей кремниевых комплементарных биполярных транзисторов, для формирования активной базы без применения низкоэнергетической имплантации и быстрого термического отжига.

Показана возможность повышения симметрии динамических параметров транзисторов за счет градиентного профиля распределения примеси в коллекторе р-п-р-транзистора, сформированного двойной имплантацией в эпитаксиально-план арном технологическом процессе с толщиной пленки 2 мкм и комбинированной изоляцией элементов ИМС. Разработана последовательность технологических операций СВЧ комплементарного биполярного технологического процесса, для которой определены режимы формирования областей пассивной и активной базы, обеспечивающие повышение симметрии динамических параметров.

Предложена конструкция диода Шоттки с охранными кольцами р-типа проводимости, интегрированная в исследуемый технологический процесс, и обеспечивающая значение частоты среза ~с > 260 ГГц при 1.1п~оь > 15 В. Предложен метод дополнительного «тормозящего» легирования, позволяющий управлять процессом обратной диффузии из скрытых слоев коллектора, и способный обеспечить в рамках исследуемого технологического процесса симметрию значений не только динамических, но и статических параметров и- и р-канальных полевых транзисторов с управляющим р-и переходом.

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ Теоретическая значимость полученных результатов состоит в том, что для определения режимов проведения технологических операций при формировании интегральных элементов технологического процесса, автором исследование моделей приборно-технологического выполнено моделирования современного САПР Беп1аигив ТСАВ. С учетом результатов исследований проводилось моделирование технологического маршрута в целом, а также отдельных интегральных элементов. Для повышения значений граничной частоты как п-р-п-, так и р-и-ртранзисторов автор рассматривает оптимизацию профилей распределения примеси, а также элементов конструкции транзисторов. Особо стоит отметить, что при оптимизации параметров не применяется сокращение проектных норм (не менее 1 мкм), что могло бы существенно сократить величины паразитных емкостей, влияющих на значения граничной частоты.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ Результаты исследований использованы при оптимизации элементов ИМС, применяемых при разработке быстродействующих ИМС в ОКР «Двинянин», «Лисица-Ку», «Липтон-Ку», исследованиях конструктивно- технологических базисов ИМС, разрабатываемых в НИР «Пеликан-Б», ОКР «Изотопия», «Цифра-5», «Цифра-8», «Цифра-16», «Высотка-13», СЧ ОКР «Победа-П», «Вихрь». Результаты работы внедрены в процесс разработки и производства ИМС (1324УВб, 1348ЕТ2, 1324МП2, 1324ПС5 (А4505)), освоенных в серийном производстве. ЗАМЕЧАНИЯ И РЕКОМЕНДАЦИИ ВЫВОДЫ 1.

Несмотря на сделанное замечание, судя по автореферату, диссертация Дроздова Дмитрия Геннадьевича выполнена на высоком научно-техническом уровне и соответствует специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника„радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. 2. Диссертация Дроздова Дмитрия Геннадьевича представляет собой научно-квалификационную работу, в которой изложены новые научно обоснованные технические и технологические решения и разработки, имеющие существенное значение для развития страны. Геннадьевича «СВЧ 3. Диссертация Дроздова Дмитрия комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов» удовлетворяет требованиям пункта 9 «Положения о присуждении ученых степеней», утвержденного постановлением правительства Российской Федерации от 24 сентября 2013 года №842, предъявляемым к кандидатским диссертациям.

В качестве замечания к автореферату стоит отметить, что в нем не представлены значения и зависимости для максимальной частоты генерации СВЧ комплементарных биполярных транзисторов, что является важным параметром при разработке целого класса СВЧ МИС. 4. Дроздов Дмитрий Геннадьевич заслу>кивает присуждения ему ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.

Начальник сектора ФГУП Толстолуцкий Сергей Иванович 4> «Ростовский-на-Дону научноисследовательский институт «Г»;.- 2017 г. радиосвязи», к.т.н. (специальность 05.12.21), доцент Адрес: 344038, г. Ростов-на-Дону, ул, Нансена, 130 электронный адрес: го1з1о1ыМсу зц ®гпа11.го, тел.; +7 (Зб3) 250-99-68 .