Отзыв Миландр (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов)

отзыв на автореферат диссертации Дроздова Дмитрия Геннадьевича «СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — «твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» Г1ри создании современных аналоговых интегральных микросхем необходимо применение технологических процессов, обеспечивающих высокие значения параметров интегральных элементов, а также широкий элементный состав. В связи с этим задача разработки технологического маршрута изготовления комплементарных биполЯРных тРанзистоРов с Рт > 10 ГГц и ~Зкэо > 12 В, а также РЯда дРУгих интегральных элементов, предназначенного для создания широкой номенклатуры изделий электронной техники на отечественных предприятиях, является актуальной и практически значимой.

Для решения задач по разработке технологического маршрута создания СВЧ ком плементарных биполярных транзисторов в работе применяется приборно- технологическое моделирование в САПР Яупорзуз ТСАР Яеп1аигпз. Повысить точность моделирования позволяет выполненная автором настройка ряда моделей, учитывающая особенности решаемых задач.

При анализе СВЧ транзисторов автором определена конструкция, способная обеспечить требуемые высокие значения граничной частоты прп-транзистора. Для проверки возможности реализации выбранной конструкции в условиях применения отечественного производственного оборудования проведены исследования режимов проведения технологических операций.

последовательности формирования элементов конструкции. Для обеспечения высоких значений 1т для рпр-транзистора автором рассмотрены варианты профилей распределения примеси. Проведена модификация метода селективной имплантации коллектора, обеспечивающая применимость в условиях процесса с проектными нормами >1 мкм и возможность формирования профиля распределения примеси, подходящего для выбранной толщины эпитаксиальной пленки. При этом обеспечивается возможность улучшения параметров рпр-транзистора, что обеспечивает симметрию динамических характеристик с прп-транзистором.

Помимо комплементарных биполярных транзисторов в технологический процесс интегрированы и- и р-канальные 1РЕТ, а также СВЧ диоды Шоттки. Проведена модификация конструкций отмеченных интегральных элементов, позволившая обеспечить высокие статические и динамические характеристики. При этом напряжения пробоя данных элементов составляют не менее 15 В. Результаты разработки конструктивных и технологических методов проверены с помощью измерений специализированных кристаллов комплементарных биполярных транзисторов, диодов Шоттки, и- и р-канальных 1РЕТ. Подводя итоги, можно отметить, что диссертационная работа Дроздова Д.Г.

«СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов» заслуживает положительной оценки. Работа полностью соответствует требованиям ВАК, предъявляемым к кандидатским диссертациям, автор работы заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах, Новоселов А.Ю. Подпись Новоселова Алексея Юрьевича одтверждаю М.И.

Павлюк Генеральный директор АО «ПКК Милан АО «ПКК Милан». Адрес: 124498, г. Москва, Зеленоград, Георгиевский проспект, дом 5. Телефон: +7 1495) 981-54-33 е-1па11: 1п1о~а~пт1!апг1г.гц Сайт: чем .ш1 1апдг.гц .