Отзыв Ангстрем (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов)

013ЫВ иа ав)орсфсрат $1исссртациоицо)! рь!Ги) Г1»1 $1розюва 71х!1$!1з1!51 1 сциадьсвича ца тему «ОВЧ ком!шсмс!Ггариый биполярный Гехнологичсский процссс с ВЫСОКОЙ стсцсиыо с!1~!К)ст1З$111,:$$!111)м!11»!Сс)51!х царамсз 1э0$$ Т1эаизист01эов)ь предста!Злешюй ца соискание учс!!ой сгс)юци кандидата техцических иаук по специальности 05.27.01 -- «Гвсрдотслы)ая элскзроника, радиоэлсктронные комнонснты, микро- и 1$япоэ)1скз роника„приборы на кван говых эффсктах» И1эо)г)во,!сз.ва ковку 1эсц.госц$)соби!»)х издслий радиоэлскгроц!юй тсхпики нспрсмсцпым условпсм )и).15$стся и)л)оль юваш)с соврсме)шых техиологичсских цроцсссов, особ ш)остью ко)орых явнясгся расширсш)ый кон1т1эук1 ивио-тсхио)101 ичсский !)!! $ис, В 'И1с п)ости) и)ци1ч ис В сос 151Вс 1В'ско.'1ьких типов тра11зист01ров с р1ллич11ь!ми 11!)рг)х!с!1эам)и, диодОВ, 1эсзист1)ров С 1Э$$1Л$$гии»!М ИОВС1ЗХЦОСЗ ИЫМ СОЦРО)И Вг!СЦ'1СМ И ! ..'!.

! ВЮ10 Ц1Т01)СССЫ ЦО»ВО.'15И01 рс а.'1 и 30 Вь) Вать И ~~1 ( 1зсг1»ш1' и)Г)1 0 $11'»' и 151 $ и $) ц а: и» ц !) ! '0 и аз ц а '1с и и 51, с $ ! с'1 с '»1ы $1а кристаллс. 11ри этом разра!)Огкг! $);!Иогх) ироцссса для рсализации ц)ирокой номснк )атуры изделий позволит обссцсчить су)цсствсцный экономический )ффскт. Последцее обстоятельст)ю имеет также больпюс значецие для отечественной микрозлсктроц)к)й И1эом),циз)сц)!ос! и и создаст реальную основу для рсшсния задач цо импорто)амси!свин) И!)1С.

и изделий ца их основс. В тгой связи тсл)у диссертационной рабогы можно огнссти к классу актуалы)ь)х научно-технических проблсм„имеющих большос црактичсскос значение. Для рсшения 1юсгавлсиных в работс задач автором с помощью мстодов 1)РиООРИО-тсх1ю)10гичсск01'0 ИРОск1'и1эоваци51 ИРОвод5п'с51 исс:1сдоваци51 коист1эукциЙ и 'Гсх110.101'ци и'110 ГОВ)1сиия к1)")ц)!смсц)ариых бииол51рцых транзисторов, диодов 11!оп ки, ком)псмс!)гарцых !юлсвых транзисторов с управляю)цим р-и 1)срсхо 1ом. Обьсдиисиных В сдииыи 1схноло)ичсский ЦРОЦССС. Ос)н)гиюс ьчи)мгц)ис ири ра)раб)$)1кс коми.')ск!С)1ГГЗ1эи)»1Х бицолярцых трацзисторов удслс!и воцросам симмстрии иарамстров, прсждс вссго ,'15И11!Ми»)сскг!х.

Обссис~)ГГГ!» Сог~)Г)совгии)ост)» зиачсиий частот!»! С)1ицичц010 усилсция удастся за счЁт формирования областей коллсктора с малым сопротивлением, применения !Схио))ог))и самосовмсщсиия для областей пасси В)юЙ Оазы, И1эофил51 1эг)сир~,)!с)!си ия И1эимсси. С учЁтОм то!0, что црс„! $0)ксицыс мс)0,.!ы такжс ) вс)1ичиваюз зиачсиия И1эоб)1ВИ010 Иаир)!жсция коллсктор-эмиттср болес 12 15, удастся приблизить значсния иоказатсля Г) Ик „, ком)щемснтарных биполяриых трацзисторов к $иачеиию, соответствуюи!Сму тсорстичсскому «ограничсцию Джоцсоиг)» для крсмнисвых транзисторов.

11ри разраоо гкс д1)одов!11оп ки ос)ни)нос щ)иманис удслсцо возможнос)и цовыц)сиия час1011»1 с1тсза в 1Х1»ш.ах 01!$иса с!10св исс!10:!Тсм010 ! схцо)101'ичсск01 О И1ЗО)юсса. ~ 1. $51 ) .!» 'Иис! И1Я .'!1И$;!м!$чсс!Ги\ своЙс)В И1эовс'!с$$ы цсс. )сдОВВ$$ия и 01)гим иза)шя элсмс)ГГОВ к()цст1эъ кции, 1юзвО!)и ВИ1510 Обссис~)и!ь значения частоты срсза болес 2601'111.

.:1 рос Директор центра микро>лсктропикп— , 'с х3, Главный аонслр>ягор ас> «> н стас с, г:слП,Я 13 ьГ'-, ° 11.Р. Мсппсвич !1О>п>ись Чап>«вис>11 1!.Р. заве!з51>о 11ач. отдела кадров И:.Л, Давыдова 1 « дкииоиср>рос обийество «Аи>с>1>ск»ь !!Лоив«>ь !!!оки»в. лом "; Сл!>оси>с>с:-3'Зе»«йиогрй«1, москва.

!"-!160, рсл. л 7906001 "561,!!.!о Чв>и«вии ДЛ51 интегра11ии ком!>лсмс1п арпых полсвых т!тапзисторов с управл5!>оп!им Р-П ПСРСХОДОМ В ИССЛСДУСМЬ>й ЗСХПОЛО1 Пс>ССКПЙ ПРОЦССС ПОКаЗЬЦ>а пеобходимость умеш,шсния обрагцой диффузии из сильполегироваипых скрытых слоев. Применение метода подавления обратной диффузии способно обеспечить симметричцыс зпачспия напряжения отсечки и плотности тока с>ока, высокис зпачспия иап!эя5ксиия проооя„что улучив>т параметры изделии па основе транзисторов данною типа. В качестве псдостатка авгорефсрата стоит выделить отсутствие зависимостей дл51 дипамичсских параметров 11олсвых г!эьпг>51«з «зров уп!эав51я>огцим р->з переходом, 05!пако указаппый псдостаток пс спижасз ооп1«'.и научной и практической зпачимосзп получспшлх рсзульзато>>ь « 'пгга>«>, по ав>ор !эаб>о>>1 «Г.'!51! кс>кп>лсмсп'гарц>>й би>ц>лярцый технологический про>>ссс с выс»кой сз спсп>,11> спмв>сз !з>п1 5!Гп>амичсских параметра>з трапзисгоров» Дрозд«и> Д.1'.

>аслу>>сиво>ст присужд«пия ему уч«пой степени кандидата технических паук по специальности 05."7.01 «Рвердотельиая электроника. р;«зиоэл«ктроппыс компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы па квьпг>овых >ффсктах». .