Озыв АО РКС (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов)

Акционерное обгцество 46Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем» (АО 44Российские космические системы») Лвввовоо10ввв уо., 0. 53. Мосввв. 111250 1 сов 14951 673 95-19, фввс: 14951509. 12410. соов11.' со11661сф; 1всссо201 19 ОКП1) 1 И77389. О1 В11 1097746649601. ИПИ 7722695769, КП11774550001 ИЫФ йГ:Я Ученому секретарю диссертационного совета Д 212.131.02 к.ф,-м.н. Л,Ю,Фетисову Московский технологический университет, 119454 Москва, Проспект Вернадского, 78 Направляю Вам отзыв на автореферат диссертации Дроздова Дмитрия Геннадьевича «СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специалыюсти 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.

Приложение: отзыв на 2 л. в 2 экз. АО в РОССИИСК1"; С уважением, ученый секретарь АО «Российские космические системы» .А.Федотов Акционерное об1цестио «Российскаи корпорации ракетно-космического приборостроении и информационных систем» ~АО «Российские космические системы55) Лвввяотогпав 5о.. л. 53.Моокво. !!!25а 'Ъ.. вь 5 ВЗ КГ~ ~:Ю5)ва ПО." .В:«»~~ вувв ОК!!О !!477389. О!Л ! !09774664968!. П!П! 7722698789. К!П! 77485ППП! Нв Э8в от отзыв на автореферат диссертации Дроздова Дмитрия Геннадьевнча кСВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах Развитие радиационно-стойких аналоговых ИМС в первую очередь определяется возможностями сушествующих технологических процессов.

Применение комплементарных биполярных технологических процессов, как показывает практика, способно обеспечить создание ИМС, предназначенных для использования в аппаратуре космических аппаратов, установок физики высоких энергий. Отсутствие отечественных технологических процессов изготовления комплементарных биполярных транзисторов с граничными частотами более 5 ГГц делает цель диссертационной работы значимой для отечественной электронной промышленности. В качестве основного инструмента исследования сверхвысокочастотпых комплементарных биполярных транзисторов автор использовал приборно-технологическое моделирование, значимость которого возрастает по мере усложнения конструкций н увеличения рабочих частот полупроводниковых приборов.

Для обеспечения точности результатов проектирования в работе большое внимание уделено результатам исследований моделей технологических операций и физических процессов. С учетом экспериментальных данных проведена отладка моделей технологических операций для широкого диапазона режимов их проведения, моделей расчетов высокочастотных характеристик с учетом ограниченных вычислительных ресурсов. Для обеспечения, как высоких, так и согласованных значений граничной частоты комплементарных биполярных транзисторов предложены методы оптимизации профилей распределения примеси, а также их конструкций.

Это, в частности, метод формирования градиентного профиля распределения примеси, методы обеспечения симметрии областей пассивной базы, режимы формирования активной базы н эмнттера. Для комплементарных биполярных транзисторов применяется комбинированная изоляция, способная обеспечить увеличение порога возникновения тиристорного эффекта. Также рассмотрены методы формирования профиля распределения примеси в случае полной диэлектрической изоляции на основе КНИ-подложек, способной повысить радиационную стойкость исследуемых транзисторов.

В качестве замечания следует отметить, что в работе не представлены результаты моделирования интегральных элементов исследуемого технологического процесса с учетом воздействий ионизирующих излучений, что возможно в современных системах приборно- технологического моделирования. Тем не менее, высказанное замечание не снижает общего положительного впечатления от представленной диссертационной работы. В целом, диссертационная работа Дроздова Дмитрия Генпадьевича, насколько возможно судить по автореферату, выполнена на высоком научно-техническом уровне, характеризуется практической значимостью и является целенаправленным и завершенным исследованием, удовлетворяющим требованиям ВАК, предъявляемым к кандидатским диссертациям, а ее автор заслуживает присуждения ему степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.

Заместитель генерального конструктора по ЗКБ, кандидат технических наук, доцент Владимир Борисович Стешенко Начальник отделения «Дизайн — центр космических микроэлектронных систем», кандидат технических наук Денис Анатольевич Строганов Подписи В.Б.

Стешенко и Д.А. Строганова удостоверяю Ученый секретарь АО «Российские космические системы», АС С.А.Федотов кандидат технических наук, с,н.с. .