Акт о внедрении Пульсар с приложениями (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов)

УТВЕРЖДАЮ Первый заместитель генерального директора АО «НПП «Пульсар» М,М. Крымко 2017 г. АКТ о внедрении в АО «НПП «Пульсар» результатов диссертационной работы Дроздова Дмитрия Геннадьевича «СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах В работе Дроздова Дмитрия Геннадьевича «СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов» предложены конструктивные и технологические решения, послужившие основой при разработке ИМС радиационно-стойкого СВЧ усилителя 1324УВ6, радиационно-стойкого четырехканального источника тока 1348ЕТ2, широкополосного пассивного СВЧ смесителя 1324ПС5 (А4505).

В частности, была проведена оптимизация топологии СВЧ комплементарных биполярных транзисторов и диодов Шоттки с учетом особенностей технологического процесса, обеспечившая повышение производственной технологичности при изготовлении данных изделий. Показатели технологичности разработанных изделий, определенные на этапе выполнения НИОКР согласно РМ 11 091.288, составили Кт = 78 % (1324УВ6), К1 = 77 % (1348ЕТ2), Кт = 71 % (1324ПС5).

Приложения: 1. Акт об использовании топологии ИМС 1324УВ6 на 2 л. 2. Акт об использовании топологии ИМС 1348ЕТ2 на 2 л. 3. Акт об использовании топологии ИМС А4505 на 2 л. Начальник отдела ЦП-1 НО РСВЧ МИС и СМ АО «НПП «Пульсар», к.т.н. .7 А.С. Будяков 2017 г.

Ф <( >> Конструктивно-технологические, а также топ ологические решения, полученные с применением результатов диссертационной работы Дроздова Дмитрия Геннадьевича были внедрены в процесс разработки и изготовления ИМС в научном отделении разработки СВЧ монолитных интегральных схем и субмодулей АО «НПП «Пульсар» при выполнении следующих работ; НИР с<Пеликан-Б» и ОКР «Цифра-5». На изделия, разработанные при выполнении данных НИОКР, разработана конструкторская документация с литерой «А», изделия освоены в серийном производстве с категорией качества «ВП».

Вклад автора подтверждается актами об использовании топологии при выполнении данных НИОКР, Помимо актов новизна и практическая значимость предложенных решений подтверждаются наличием свидетельств о государственной регистрации топологии № 2013630144 «Радиационно-стойкий широкополосный усилитель 1324УВ6» ('ИМС 1324УВ6), № 2013630143 «Радиационно-стойкий четырехканальный источник тока 1348ЕТ2» ('ИМС 1348ЕТ2)„№ 2012630043 «Широкополосный пассивный СВЧ смеситель А4505» ('ИМС А4505), соавтором которых является Дроздов Дмитрий Геннадьевич. «Утверждаю» ОАОссНПП<сП льса» (предпрнятие) ора ский АКТ об использовании топологии ИМС « -"~ » '' 201/ г.

Дата поступления: 20 июня 2013 г. Дата регистрации: 62 октября 2013 г. Заявка № 2013630084 Свидетельство № 2613630144 Начальник подразделения Начальник отдела Руководитель работы Е.М. Савченко/ /А.Д. Першин/ .С. Будяков/ .В. Вагин/ .А. Пронин/ .Г.Дроздов/ Автор(ы) Название топологии ИМС: «Радиационно-стойкий широкополосный усилитель 1324УВ6» (ИМС 1324УВ6) Правообладатель: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации Авторы: Савченко Е.М., Першин А.Д., Будяков А.С., Вагин А.В., Пронин А,А. Дроздов Д.Г. Реферат: см. приложение Использовано: с 20 августа 2012 г.

в отделении № 8 «Центр проектирования» ОАО «НПП «Пульсар» при выполнении ОКР «Разработка и освоение производства ИМС радиационно-стойкого широкополосного усилителя», шифр «Цифра-5». Общий вид топологии ИМС 1324УВб„зафиксированный на машиночитаемом носителе информации, прилагается. Отражено в технической документации КД на ИМС БКВП.757644.232 Начальник патентного отдела ф ~ ° !Е. П. ЦыбинЫ .М. Савченко/ Ф /А. И. Шаров/ /Е. М, Савченко / ПРИЛОжВНИВ Реферат ИМС предназначена для работы в приемных трактах и трактах промежугочной частоты устройств связи, радиолокации и навигации, в системах автоматического контроля и регулирования, в системах обработки аналоговых и аналого-цифровых сигналов. В основу технологического процесса положена кремниевая.комплемевтарная биполярная эпитаксиально-планерная технология изготовления высокочастотных р-и-р и и-р-и транзисторов с тремя слоями металлизации и поликремниевыми резисторами.

Разработанная ИМС характеризуется следующими основными параметрами: - диапазон рабочих частот — 30 ... 3000 МГц; - выходная мощность — 140 мВт; - КСВ по входу и выходу — 1,2; - коэффициент передачи — 20 дБ; - коэффициент шума — 2,9 дВ; - напряжение питания — 5,0 В; - ток потребления — 90 мА. «Утверждаю» Зам. генерального директора ОАО «НПП «П льса» (предприятие) ский АКТ об использовании топологии ИМС « ~" » /' 201У г. Заявка № 2013630083 Свидетельство № 2013630143 Дата поступления: 20 июня 2013 г. Дата регистрации: 02 октября 2013 г.

Начальник патентного отдела Начальник подразделения Начальник отдела Руководитель работы " /Е.М. Савченко/ 7А.А. Мартинов~ А.С. Будаков/ А.В. Вагин/ А.А. Пронин / Д,Г. Дроздов / "~/А.А. Зайцев/ Автор(ы) Название топологии НМС: Радиационно-стойкий четырехканальный источник тока 1348ЕТ2» (ИМС 1348ЕТ2) Правообладатель: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации Авторы: Савченко Е.М., Мартынов А.А., Будяков А.С., Вагин А.В., Пронин А.А.

Дроздов Д.Г., Зайцев А.А. Реферат: см. приложение Использовано: с 20 августа 2012 г. в отделении № 8 «Центр проектирования» ОАО «НПП «Пульсар» при выполнении ОКР «Разработка и освоение производства ИМС радиационно-стойкого широкополосного усилителя», шифр «Цифра-5». Общий вид топологии ИМС 1348ЕТ2, зафиксированный на машиночитаемом носителе информации, прилагается. Отражено в технической документации КД на ИМС БКВП.757644.232 Ф ' ж.П.цы,и.Ы . М. Савченко! А.

И. Шаров/ /Е. М, Савченко / ПРИЛОЖЕНИЕ Реферат ИМС предназначена для работы в трактах устройств связи и РЛС, в системах контроля и регулирования, в системах обработки сигналов, в системах радиопротиводействия и радиоэлектронной борьбы. В основу технологического процесса положена кремниевая комплемеитарная биполярная эпитаксиально-планарная технология изготовления высокочастотных р-и-р и и-р-и транзисторов с тремя слоями металлизации и поликремниевыми резисторами. Разработанная ИМС характеризуется следующими основными параметрами и эксплуатационными характеристиками: - количество каналов — 4; - ток потребления, мА — не более 15; - выходной ток, мА — не менее б0, не более 120; - выходное сопротивление, Ом — не менее 300; - нестабильность по напряжению питания, мА/ — не более 5,0; - нестабильность по нагрузке, мА/Ом — не более 0,5; о О».д ФГУП "ШХП "П льса ора (предприятие) .Колковский 2012 г.

АКт об использовании то 2012 г. Дата регистрации: 36 марта 2012 г. Дата поступления: 9 феврали 2012 г. Свцдетельство № 2012630043 Занвка № 2612636007 Название топологии ИМС «Ши окополосный пассивный СВЧсмеситель А4505» ИМС А 4505 Правообладатель Феде альное гос да ственное ита нос п едп иятие «Н чно-и оизводственное п едп иятие «П льса» Авторьп .Б дяковА.С. Вагин А.В. оздов .Г. Мельнич С.А. П овин А.А. Савченко Е.М Реферат: см. и илолсение Использовано; 25 нояб я 201 0 г.

в ент е п оекти ванна ФГУП «НПП «П леса» и и выполнении НИР «Исследование влияния технологии конст и и схемотехнического шенин на п едель о достижимые па амет ы ВЧ (где) Об ий вид топологии ИМС А4505 за икса ованный на машиночитаемом носителе ин о ма ии и илагается (в соответствии с графической информацией, зарегистрированной топологии имс в Фипс) Отражено в технической документации: на ИМС А4505 БКВП 752б44.209 Начальник пат.-неслед.отдела .М.Савченко Начальник подразделении Начальник технического отдела И.Ша ов Руководитель работы Авторы: .»дАдС/ МСавченко/ и СВЧи ег альных мик осхем» ши «Пе икан-Б» ;~1(о~йа / А.

СЕЙ~~ ! ~А.С»одно« А.В.Вагинl Я~ АХДооздов1 ПРИЛОЖЕНИЕ Реферат ИМС предназначена для преобразования частоты в устройствах связи н РЛС, в системах навигации. В основу технологического процесса положена кремниевая комплементарная биполярная эпитаксиально-планарная технология изготовления высокочастотных р-п-р и а-р-п транзисторов и диодов Шоттки с тремя слоями металлизации и поликремниевыми резисторами. Разработанная ИМС характеризуется следующими параметрами: - диапазон рабочих частот по входу — 1,6-5,0 ГГц; - диапазон рабочих частот по выходу ПЧ вЂ” 0,01-1,0 ГГц; - потери преобразования — 8,2 дБ; - неравномерность коэффициента преобразования — 2,0 дБ; - точка компрессии по входу на 1 дБ — 1О дБм", - изоляция ПЧ от гетеродина — 35 дБ; - изоляция РЧ от гетеродина — 34 дБ.

.