Акт внедрения НИИИС (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов)
Описание файла
Файл "Акт внедрения НИИИС" внутри архива находится в следующих папках: СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов, Документы. PDF-файл из архива "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Гф> Ю ° УТВИ ЖДАЮ Седакова>, д,т.н., .Ю. Седаков 2017 г, АКТ внедрения в ФГУП <ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова> результатов диссертационной работы Дроздова Дмитрия Геннадьевича на тему«СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов>, представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27,01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. Экспертная комиссия, назначенная приказом директора института от 20.07.2017 №2445/вр в составе: Зозуля С.В. — начальник НИО разработки полукомплексов и узлов СВЧ; Тибин А,В.
— начальник НИО разработки СВЧ и КВЧ приемопередающих устройств; Данилов И.Н. — старший научный сотрудник НИГ разработки ЧМ полукомплексов, к.т.н., рассмотрев материалы диссертации Дроздова Д.Г., констатирует: члены комиссии 1. Полученные Дроздовым Д.Г. в ходе работы над диссертацией результаты послужили основой для разработки интегральных микросхем (ИМС) радиационно-стойкого широкополосного усилителя 1324УВ6 и радиационно-стойкого четырехканального источника тока 1348Е'Х2. Конструктивно-технологические, а также топологические решения, используемые при разработке данных микросхем, охраняются согласно председатель комиссии Бажилов В.А. — начальник научноисследовательского управления разработки сверхвысокочастотных устройств, к.т.н.; свидетельствам о государственной регистрации топологии № 2013630144 «Радиационно-стойкий широкополосный усилитель 1324УВ6» (ИМС 1324УВ6) и № 2013630143 «Радиационно-стойкий четырехканальный источник тока 1348ЕТ2» (ИМС 1348ЕТ2), соавтором которых является Дроздов Д.Г.
2. ИМС 1324УВ6 и 1348ЕТ2 освоены в серийном производстве в АО «НПП <сПульсар» с приемкой категории качества «ВП», что позволило применить их в ряде перспективных приборов по основной тематике работ ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю. Е, Седакова», разрабатываемых в интересах Государственной корпорации по атомной энергии «Росатом».
В частности, ИМС 1324УВ6 совместно с 1348ЕТ2 использовались при создании малогабаритных приемо-передающих модулей (блоков ВЧ), разработанных и разрабатываемых в настоящее время в рамках тем «Полином-Точность-2», «Полиэтилен-ИС-Круиз-2», а также приборах по тематике «Радиотехнические системы специального контроля». Технический эффект от внедрения предложенных автором в диссертации решений, реализованных в ИМС 1324УВ6 и 1348ЕТ2, состоит в уменьшении массогабаритных показателей блоков ВЧ, в состав которых входят указанные микросхемы на 10-15% по сравнению с аналогичными разработками в которых применялись транзисторные усилители на дискретных элементах. Экономический эффект от внедрения технологических результатов диссертации Дроздова Д.Г.
заключается в снижении затрат на разработку и производство блоков ВЧ приборов основной тематики ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова» в среднем на 8-10%. Председатель комиссии А Бажилов Члены комиссии: ,В. Зозуля .В. Тнбин .Н. Данилов .