Диссертация (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов)
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов". PDF-файл из архива "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
На правах рукописиДРОЗДОВ Дмитрий ГеннадьевичСВЧ КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕССС ВЫСОКОЙ СТЕПЕНЬЮ СИММЕТРИИДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВСпециальность 05.27.01 – Твердотельная электроника, радиоэлектронныекомпоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектахДИССЕРТАЦИЯна соискание ученой степеникандидата технических наукНаучный руководитель:к.т.н., Савченко Е.М.г. Москва20172ОГЛАВЛЕНИЕСПИСОК ТЕРМИНОВ, ОПРЕДЕЛЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ ..................................................
5ВВЕДЕНИЕ............................................................................................................................................ 6ГЛАВА 1 АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ РАЗВИТИЯКОМПЛЕМЕНТАРНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ........... 111.1 Начало развития КБТП ...................................................................................................... 111.2 Конструкции интегральных pnp-транзисторов .............................................................
111.3 Сверхвысокочастотные комплементарные биполярные технологическиепроцессы....................................................................................................................................... 141.4 Технологические особенности производства ИМС в Российской Федерации ......... 171.5 Симметрия параметров комплементарных биполярных транзисторов .................. 191.6 Радиационная стойкость аналого-цифровых ИМС на основе комплементарныхбиполярных транзисторов ........................................................................................................ 201.7 Параметры биполярных транзисторов ...........................................................................
211.8 Элементы конструкции биполярных транзисторов ..................................................... 221.8.1 Межэлементная изоляция ........................................................................................... 221.8.1.1 Изоляция обратносмещенным p-n переходом .................................................. 221.8.1.2 Полная диэлектрическая изоляция .................................................................... 231.8.1.3 Изоляция с помощью КНИ-подложек ................................................................
231.8.1.4 Комбинированный способ изоляции .................................................................. 251.8.1.5 Боковая щелевая изоляция .................................................................................. 261.8.2 Область коллектора...................................................................................................... 291.8.2.1 Неоднородный профиль распределения примеси в коллекторе ..................
321.8.3 Изоляция активных областей транзисторов ........................................................... 341.8.4 Область базы .................................................................................................................. 351.8.4.1 Технологии самосовмещения ...............................................................................
351.8.4.2 Спейсеры .................................................................................................................. 391.8.4.3 Выбор метода формирования пассивной базы ................................................ 401.8.4.4 Область активной базы......................................................................................... 421.9 Дополнительные элементы КБТП ....................................................................................
421.9.1 Интегральные диоды Шоттки .................................................................................... 431.9.2 Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом ......................................... 451.10 Выводы ................................................................................................................................. 483ГЛАВА 2 ОСОБЕННОСТИ ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯСВЧ КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ .......................................
492.1 Особенности построения расчётной сетки ...................................................................... 492.2 Выбор моделей технологических процессов ................................................................... 522.2.1 Критерии выбора оптимальной модели технологического процесса................. 522.2.2 Ионная имплантация ...................................................................................................
542.2.1.1 Имплантация акцепторной примеси.................................................................. 562.2.1.2 Имплантация донорной примеси ........................................................................ 592.2.1.3 Имплантация через маскирующий оксид кремния ........................................ 612.2.1.4 Имплантация в поликремний .............................................................................
622.2.2 Температурная обработка ........................................................................................... 632.2.2.1 Диффузия акцепторной примеси ........................................................................ 642.2.2.2 Диффузия донорной примеси ............................................................................... 682.2.2.3 Диффузия из поликремния................................................................................... 702.2.2.4 Моделирование процесса окисления .................................................................. 712.2.3 Методология решения задач технологического проектирования .......................
722.3 Анализ электрофизических характеристик интегральных элементов ..................... 732.3.1 Процессы генерации-рекомбинации ......................................................................... 742.3.2 Подвижность носителей заряда ..................................................................................
762.4 Выводы ................................................................................................................................... 77ГЛАВА 3 РЕЗУЛЬТАТЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КБТ ... 783.1 Элементы конструкции КБТ ............................................................................................. 783.1.1 Конструктивные элементы при комбинированном способе изоляции .............. 783.1.1.1 Скрытый слой изоляции n– ................................................................................. 783.1.1.2 Формирование глубоких областей щелевой изоляции ................................... 793.1.2 Область коллектора......................................................................................................
823.1.2.1 Особенности системы слаболегированный слой/скрытый слой .................. 823.1.2.2 Формирование области коллектора при диэлектрической изоляции ......... 833.1.2.3 Параметры эпитаксиальной пленки n-типа ..................................................... 843.1.2.4 Методы управления обратной диффузии .......................................................... 853.1.2.5 Область перекомпенсации ...................................................................................
893.1.2.6 Селектино-имплантированный коллектор ...................................................... 913.1.2.7 Неоднородный профиль, сформированный в процессе перекомпенсации 933.1.2.8 Формирование областей глубокого коллектора .............................................. 943.1.3 Методы изоляции активных областей транзисторов ............................................ 9643.1.3.1 Особенности формирования ЛОКОС-изоляции .............................................. 973.1.4 Особенности формирования областей пассивной базы .........................................
983.1.4.1 Ограничения метода формирования пассивной базы с помощьюимплантации ....................................................................................................................... 983.1.4.2 Особенности формирования самосовмещенной пассивной базы КБТ...... 1003.1.4.3 Оптимизация режимов формирования области пассивной базы............... 1013.1.4.4 Формирование спейсеров ................................................................................... 1063.1.5 Область активной базы: финальный профиль распределения примеси.........
1093.2 Экспериментальные исследования ................................................................................ 1153.3 Выводы ................................................................................................................................. 120ГЛАВА 4 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ КБТП ............................................................ 1214.1 Интегральные диоды Шоттки ......................................................................................... 1214.1.1 Технологические особенности ..................................................................................
