Автореферат (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов), страница 6
Описание файла
Файл "Автореферат" внутри архива находится в папке "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов". PDF-файл из архива "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 6 страницы из PDF
Свидетельство о государственной регистрации топологии ИМС№ 2013630144 "Радиационно-стойкий широкополосный усилитель 1324УВ6"(ИМС 1324УВ6У). Авторы: Савченко Е.М., Першин А.Д., Будяков А.С., ВагинА.В., Пронин А.А., Дроздов Д.Г.3. Свидетельство о государственной регистрации топологии ИМС№ 2013630143 "Радиационно-стойкий четырёхканальный источник тока1348ЕТ2" (ИМС 1348ЕТ2).
Авторы: Савченко Е.М., Мартынов А.А., БудяковА.С., Вагин А.В., Пронин А.А., Дроздов Д.Г., Зайцев А.А.4. Свидетельство о государственной регистрации топологии ИМС№ 2015630070 «Радиационно-стойкий квадратурный модулятор 1324МП2»(ИМС 1324МП2). Авторы: Савченко Е.М., Будяков А.С., Мельничук С.А.,Пронин А.А., Дроздов Д.Г., Гаранович Д.И.Прочие публикации1.
Васильев А.Г., Дроздов Д.Г., Хорин И.А. Технологический процессформирования КМОП-структуры на основе вертикального транзистора сультратонким каналом и слаболегированными областями истока/стока//Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. – 2007.2. A.E. Rogozhin, I.A. Khorin, D.G. Drozdov, A.G. Vasiliev. Modeling ofvertical transistor with electrically variable junctions in ISE TCAD// TheInternational Conference «Micro- and nanoelectronics – 2007» (ICMNE-2007).3. A.E. Rogozhin, I.A.
Khorin, A.G. Vasiliev, D.G. Drozdov. Modeling ofvertical transistor with electrically variable junctions in ISE TCAD// Proceedings ofSPIE V.7025, Micro- and nanoelectronics, 2008.4. Виноградов Р.Н., Дроздов Д.Г., Корнеев С.В., Савченко Е.М.Методические аспекты выбора модели диффузионных процессов длякоррекции технологических режимов в процессе изготовления ИМС//Материалы V международной научно-технической школы-конференции«Молодые учёные – 2008». С. 142–147.5. Виноградов Р.Н., Дроздов Д.Г., Корнеев С.В.
Результаты оптимизациикомплементарного биполярного технологического процесса изготовления ИМСс использованием САПР TCAD// Твердотельная электроника. Сложныефункциональные блоки РЭА. Материалы VII научно-техническойконференции. Москва: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2008. С. 51–53.6. Савченко Е.М., Свинцов И.Е., Кондратьев М.В., Дроздов Д.Г.Особенности создания библиотеки интегральных элементов для САПРCADENCE// Твердотельная электроника.
Сложные функциональные блоки25РЭА. Материалы VII научно-технической конференции. Москва: МНТОРЭСим. А.С. Попова, 2008. С. 109–110.7. Виноградов Р.Н., Дроздов Д.Г., Корнеев С.В., Савченко Е.М. Выбороптимального маршрута моделирования диффузионных процессов сиспользованием САПР ТCAD// Твердотельная электроника. Сложныефункциональные блоки РЭА. Материалы VII научно-техническойконференции. Москва: МНТОРЭС им.
А.С. Попова, 2008. С. 114–116.8. Дроздов Д.Г., Завьялов И.А., Савченко Е.М. Анализ методовэкстракции параметров биполярных транзисторных структур на основепрограммно-аппаратного комплекса компании AGILENT// Твердотельнаяэлектроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы VII научнотехнической конференции. Москва: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2008. С. 117–120.9.
Дроздов Д.Г., Евстигнеев Д.А., Савченко Е.М. Оптимизацияпараметров слоев мощного СВЧ транзистора// Твердотельная электроника.Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы VIII научно-техническойконференции. Москва: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2009. С. 9–10.10. Дроздов Д.Г., Мишаков Д.С., Савченко Е.М. Разработка конструкциии технологии изготовления интегральных кремниевых диодов Шоттки для СВЧМИС пассивных смесителей// Твердотельная электроника. Сложныефункциональные блоки РЭА. Материалы VIII научно-техническойконференции. Москва: МНТОРЭС им. А.С.
Попова, 2009. С. 20–21.11. Васильев А.Г., Дроздов Д.Г., Савченко Е.М. Оптимизацияконструкции и технологии изготовления интегральных кремниевых СВЧдиодов Шоттки// Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научныхтрудов. Москва: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 65–68.12. ДроздовД.Г.,СавченкоЕ.М.Особенноститехнологиисамосовмещения при построении комплементарных биполярных транзисторов//Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА.
МатериалыIХ научно-технической конференции. Москва: МНТОРЭС им. А.С. Попова,2010. С. 81–82.13. Будяков А.С., Вагин А.В., Дроздов Д.Г., Мельничук С.А., ПронинА.А., Савченко Е.М. Монолитные СВЧ интегральные схемы широкополосныхпреобразователей частоты на основе кремниевых диодов Шоттки для L, S и Cдиапазонов частот// III общероссийская научно-техническая конференция«Обмен опытом в области создания сверхширокополосных РЭС». Сборниктрудов.
Омск: ЦКБА, 2010. С. 40–43.14. Дроздов Д.Г., Савченко Е.М. Высокочастотная комплементарнаябиполярная технология с последовательным легированием поликремниевыхслоев// Микроэлектроника и информатика - 2011. 18-я Всероссийскаямежвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантовМосква: МИЭТ, 2011. С.
73.2615. Дроздов Д.Г., Савченко Е.М. Особенности конструкций современныхSiGe биполярных транзисторов// Твердотельная электроника. Сложныефункциональные блоки РЭА. Материалы Х научно-технической конференции.Москва: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2011. С. 55–57.16. Савченко Е.М., Дроздов Д.Г. Комплементарные биполярныетехнологические процессы для быстродействующих интегральных схем//Электроника, микро- и наноэлектроника.
Сборник научных трудов. Под ред.В.Я. Стенина. Москва: НИЯУ МИФИ, 2012. С. 263–268.17. Виноградов Р.Н., Дроздов Д.Г., Дюканов П.А., Корнеев С.В.,Савченко Е.М. Оптимизация комплементарного биполярного технологическогопроцесса при переходе к полной диэлектрической изоляции// Твердотельнаяэлектроника. Сложные функциональные блоки РЭА.
Материалы XIВсероссийской научно-технической конференции. Москва: МНТОРЭС им. А.С.Попова, 2012. С. 88–91.18. Виноградов Р.Н., Дроздов Д.Г., Дюканов П.А., Ксенофонтов Д.Л.,Корнеев С.В., Савченко Е.М., Сурков Г.П. Оптимизация технологическогопроцесса создания интегральных полевых транзисторов с управляющим P-Nпереходом// Твердотельная электроника. Сложные функциональные блокиРЭА.
Материалы XI Всероссийской научно-технической конференции. Москва:МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2012. С. 222–223.19. Savchenko E.M., Drozdov D.G. Modeling of the silicon complementarybipolar technology process with germanium implantation// The InternationalConference «Micro- and Nanoelectronics – 2012» (ICMNE-2012).20. Савченко Е.М., Дроздов Д.Г., Вагин А.В., Гаранович Д.И.Современные конструкции интегральных элементов высокочастотногокомплементарногобиполярноготехнологическогопроцесса//Фундаментальныепроблемырадиоэлектронногоприборостроения.МатериалыМеждународнойнаучно-техническойконференции«INTERMATIC– 2013». Часть 3. Москва: Энергоатомиздат, 2013.
С. 60-63.21. Савченко Е.М., Дроздов Д.Г. Вопросы приборно-технологическогомоделирования кремниевых и нитрид-галлиевых полупроводниковыхприборов// Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА.Материалы XII научно-технической конференции. Москва: МНТОРЭС им. А.С.Попова, 2013. С. 235-238.22. СавченкоЕ.М.,ДроздовД.Г.Приборно-технологическоемоделирование БиКМОП процесса c SiGе ГБТ, сформированными сприменением одной фотолитографии// Твердотельная электроника. Сложныефункциональные блоки РЭА. Материалы XIII научно-техническойконференции.
Москва: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2014. С. 154-156.23. Савченко Е.М., Дроздов Д.Г., Сиомко В.О., Вагин А.В. Результатыисследования БиКМОП процесса с SiGe ГБТ сформированными с применениемодной фотолитографии// Фундаментальные проблемы радиоэлектронногоприборостроения. 2014. Т. 14. № 2. С. 88-90.27Заказ №_____ .Тираж 120 экз. Уч.-изд. л 1,75.
Формат 60х48 1/16.Отпечатано в типографии АО «НПП «Пульсар»105187, г. Москва ул. Окружной проезд, д.27.Подписано в печать __.__.2017 г.28.
