Список публикаций Официального оппонента Ключников А.С. (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов)
Описание файла
Файл "Список публикаций Официального оппонента Ключников А.С." внутри архива находится в следующих папках: СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов, Документы. Документ из архива "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Онлайн просмотр документа "Список публикаций Официального оппонента Ключников А.С."
Текст из документа "Список публикаций Официального оппонента Ключников А.С."
Список публикаций Ключникова Алексея Сергеевича
-
В.Д. Евдокимов, А.Г. Балашов, А.С. Ключников Исследование эмиттерно-базового узла SiGe ГБТ с целью повышения динамических характеристик прибора методами приборно-технологического моделирования// XXXIX Гагаринские чтения. Научные труды Международной молодёжной научной конференции в 9 томах. – М.: МАТИ, 2013. – Т. 3. – С. 17–18.
-
В.Д. Евдокимов, А.Г. Балашов, А.С. Ключников Оптимизация эмиттерного узла SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с целью повышения частотных характеристик методами приборно-технологического моделирования// 20-я Всероссийская межвузовская научно- техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2013» – М.: МИЭТ, 2013. – С. 89.
-
А.Г. Балашов, А.С. Ключников, В.Д. Евдокимов Подходы к масштабированию N-P-N SiGe ГБТ// XL Гагаринские чтения. - Международная молодежная научная конференция. – 2014. – Т. 3. – С. 24–26.
-
Е.А. Артамонова, А.С. Ключников, А.Ю. Красюков, Т.Ю. Крупкина, Н.А. Шелепин Настройка численной модели для исследования транзисторных МОП-структур КНИ-типа с проектными нормами 180 нм в среде TCAD// Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2014 (МЭС-2014). С. 151-154.
-
А.С. Бенедиктов, П.В. Игнатов, А.С. Ключников, А.Н. Смирнов, Т.Ю. Егорова Исследование работы МОП-транзисторов на структурах кремний на изоляторе при высоких температурах// Нано- и микросистемная техника. – 2015. № 6. с. 53- 56.
-
Ю.А. Чаплыгин, А.Г. Балашов, В.Д. Евдокимов, А.С. Ключников, Исследование быстродействия SiGe ГБТ при переходе к суб-100 нм топологическим размерам// Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2016 (МЭС-2016). С. 32-36.
-
К.А. Панышев, А.С. Ключников Эффект радиационно-индуцированной защелки в 90 нм КМОП-технологии в зависимости от угла и места падениятяжелой заряженной частицы// Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. – 2016. – №. 3. – С. 4-9.
-
Г.В. Баранов, А.С. Ключников Физические особенности использования POLYSI затвора в Tri-gate транзисторе//
Тезисы докладов 2-ой научной конференции форума «Микроэлектроника-2016» . 2016. С. 186-187. -
С.Н. Орлов, Е.С. Горнев, А.С. Ключников, В.П. Тимошенков, О.А. Греков Матрица транзисторов для 3D – элементов микросистемной техники, формируемых внутри канавок в кремниевой пластине Тезисы докладов 2-ой научной конференции форума «Микроэлектроника-2016» .2016.С. 469-474.
-
В.А. Нагнойный, А.Ю. Красюков, Г.В. Баранов, А.С. Ключников Влияние размерного фактора на проявление короткоканальных эффектов в Tri-gate транзисторе// Тезисы докладов конференции «Кремний 2016». – 2016. С. 103
Ученый секретарь
диссертационного совета Д212.131.02
кандидат физико-математических наук Л.Ю. Фетисов