Заключение диссертационного совета (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов), страница 2
Описание файла
Файл "Заключение диссертационного совета" внутри архива находится в следующих папках: СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов, Документы. Документ из архива "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Онлайн просмотр документа "Заключение диссертационного совета"
Текст 2 страницы из документа "Заключение диссертационного совета"
Выбор официальных оппонентов и ведущей организации обосновывается тем, что они являются одними из ведущих специалистов в данной области.
Диссертационный совет отмечает, что в результате выполненных соискателем исследований:
1. Предложена инженерная методика приборно-технологического проектирования СВЧ комплементарного биполярного технологического процесса.
2. Разработан метод формирования градиентного профиля распределения примеси в коллекторе pnp-транзистора, обеспечивающий симметрию динамических характеристик с npn-транзистором, формируемым в едином технологическом цикле, и увеличение показателя качества комплементарных биполярных транзисторов до уровня не менее 150 ГГц*В.
3. Предложены последовательность технологических операций и режимы их проведения, обеспечивающие создание комплементарных биполярных транзисторов с граничными частотами более 10 ГГц и пробивными напряжениями коллектор-эмиттер более 12 В.
4. Предложена конструкция СВЧ диода Шоттки, интегрированного в исследуемый технологический процесс, обеспечивающая значение частоты среза более 260 ГГц при пробивном напряжении более 15 В.
5. Разработан метод подавления обратной диффузии, что в рамках исследуемого комплементарного биполярного технологического процесса обеспечивает симметрию статических параметров полевых транзисторов с управляющим p-n переходом, и позволяет создать комплементарную пару транзисторов.
Теоретическая значимость исследования: данные, полученные в работе, объяснены с использованием апробированных методов.
Значение полученных соискателем результатов исследований для практики подтверждается тем, что предложенные методы проектирования использованы при разработке конструктивно-технологических решений для интегральных элементов, применяемых в интегральных микросхемах 1324УВ6, 1348ЕТ2, 1324МП2, 1324ПС5 (применение ИМС, разработанных с применением результатов диссертационной работы, подтверждается актами внедрения АО «НПП «Пульсар», АО «Российские космические системы», ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова»).
Полученные в диссертационной работе результаты рекомендуются к использованию при создании новых, а также оптимизации существующих технологических процессов изготовления цифро-аналоговых ИМС, а также СВЧ МИС L-, S- и C- диапазонов частот на предприятиях отрасли: ФГУ «ФНЦ НИИСИ РАН», АО «НИИМЭ», АО «Ангстрем», АО «НПО «Восход» и др. Результаты работы также могут быть использованы при разработке учебных курсов по методам математического моделирования, предназначенных для студентов университетов специальностей, связанных с разработкой изделий электронной техники.
Оценка достоверности результатов исследования выявила: что полученные результаты не противоречат современным теоретическим представлениям; что результаты диссертации неоднократно апробированы на конференциях; что все основные результаты опубликованы в научных журналах из перечня ВАК.
Все вышеперечисленное в совокупности свидетельствует о достоверности полученных результатов и сделанных на их основании выводов.
Автором разработана методика проектирования, используемая для модификации технологического процесса и топологий интегральных элементов. Для оценки пригодности предложенных решений проведены исследования характеристик транзисторов, диодов Шоттки, полевых транзисторов с управляющим p-n переходом на основе топологий кристаллов, разработанных автором. Постановка задач и анализ полученных результатов проведены совместно с руководителем.
В диссертации решены основные вопросы поставленной научной задачи, она соответствует критерию внутреннего единства, что подтверждается наличием последовательного плана исследования и непротиворечивой методологической платформы и взаимосвязанностью выводов.
На заседании 24.10.2017 диссертационный совет принял решение присудить Дроздову Дмитрию Геннадьевичу ученую степень кандидата технических наук.
При проведении тайного голосования диссертационный совет в количестве 23 человек, из них 4 доктора наук по специальности диссертации, участвовавших в заседании, из 29 человек, входящих в состав совета,
проголосовали: за присуждение учёной степени - 23, против присуждения учёной степени -0, недействительных бюллетеней нет.
Зам. председателя
диссертационного совета А.Н. Юрасов
Ученый секретарь
диссертационного совета Л.Ю. Фетисов
24.10.2017