шпора (Шпоры по Созинову), страница 4

 Основное достоинство ПVT - большое R_ВХ.

ПVT – нелинейный VT.

d 10 12 14 a 5 6 7 b 7 8 9		n-канальный
		p-канальный

ПVT с переходом Шотки – нет p-области, грани сразу металлизируются.

ПVT с p-n-переходом – на основе Si

ПVT с переходом Шотки – на основе GaAs

ПVT с переходом Шотки - СВЧ ПП-ый прибор, работает на f-ах ~ 10 ГГЦ.

23.Низкочастотные малосигнальные параметры ПVT с управляющим p-n-переходом. Определение низкочастотных малосигнальных параметров ПVT с управляющим p-n-переходом по его статическим хар-кам.

Основное достоинство ПVT - большое R_ВХ.

Основные малосигнальные параметры ПVT:

1. Крутизна

2. Дифференциальное R_СИ

3. Коэффициент усиления

24 Конструкция, технология изготовления и принцип действия МДП-VT-ов с индуцированным и встроенным n-каналом.

-ет 2 разновидности ПVT МДП-структуры:

1. С индуцированным каналом – канал в равновесном состоянии отсутствует, и появляются под воздействием U_ВНЕШН.

2. Со встроенным каналом – канал формируется на этапе изготовления VT и -ет в равновесном состоянии.

Конструкция ПVT МДП с индуцированным каналом.

Основа – пластина слаболегированного p-ПП-ка. Поверхность окисляется. Методом локальной диффузии формируется n-область с  степенью легирования.

Приложим U_СИ.

П одадим отрицательное U_З. U_ЗИ   концентрация ē-ов под затвором концентрация ē превышает концентрацию дырок  инверсия типа проводимости.

Пороговое U - U_ЗИ, при котором происходит инверсия типа проводимости (появляется канал) в приповерхностном слое ПП-ка.

Толщина образуемого канала ~ 1 2 нм.

Конструктивное отличие МДП-VT со встроенным каналом от VT с индуцированным каналом: канал формируется на этапе изготовления VT путём легирования VT.

D 12 14 c 4 5		n-канальный
		p-канальный

2 5. Конструкция, технология изготовления и принцип действия МДП-VT-ов с индуцированным и встроенным p-каналом.

-ет 2 разновидности ПVT МДП-структуры:

1. С индуцированным каналом – канал в равновесном состоянии отсутствует, и появляются под воздействием U_ВНЕШН.

2. Со встроенным каналом – канал формируется на этапе изготовления VT и -ет в равновесном состоянии.

Конструкция ПVT МДП с индуцированным каналом.

Основа – пластина слаболегированного p-ПП-ка. Поверхность окисляется. Методом локальной диффузии формируется n-область с  степенью легирования.

Приложим U_СИ.

П одадим отрицательное U_З. U_ЗИ   концентрация ē-ов под затвором концентрация ē превышает концентрацию дырок инверсия типа проводимости.

Пороговое U - U_ЗИ, при котором происходит инверсия типа проводимости (появляется канал) в приповерхностном слое ПП-ка.

Толщина образуемого канала ~ 1 2 нм.

Конструктивное отличие МДП-VT со встроенным каналом от VT с индуцированным каналом: канал формируется на этапе изготовления VT путём легирования VT.

D 12 14 c 4 5		n-канальный
		p-канальный

2 6. МДП - транзисторы с индуцированным каналом: статические

характеристики.

-ет 2 разновидности ПVT МДП-структуры:

1. С индуцированным каналом – канал в равновесном состоянии отсутствует, и появляются под воздействием U_ВНЕШН.

2. Со встроенным каналом.

С татические характеристики МДП - VT с индуцированным каналом

U_ЗИ

U_{ЗИ пороговое}

U_{ЗИ i} > U_{ПОРОГОВОЕ}

D 12 14 c 4 5		n-канальный
		p-канальный

27. МДП - транзисторы со встроенным каналом: статические хар-ки.

-ет 2 разновидности ПVT МДП-структуры:

1. С индуцированным каналом.

2

I_С

. Со встроенным каналом – канал формируется на этапе изготовления VT и -ет в равновесном состоянии.

Статические характеристики МДП - VT с индуцированным каналом

U_{ЗИ i} > U_{ПОРОГОВОЕ}

D 12 14 c 4 5		n-канальный
		p-канальный

29. Тиристоры: устройство, технология изготовления, классификация, область применения, условные графические обозначения.

Тиристор  ПП-ые приборы с 3-мя и  p-n-переходами с S-образной ВАХ.

При изготовлении тиристора берут пластину ПП-ка с пар-ми области n₁ и методом двухсторонней диффузии формируют области p₁ и p₂.

Методом односторонней диффузии формируют область n₂  наименее легированная область n₁, а наиболее легированная - область n₂.

Контакт к внешнему p-слою - АНОД, а к внешнему n-слою - КАТОД. Внутренние области р- и n-типа - БАЗЫ.

Выводы от баз образуют управляющие электроды УЭ1 и УЭ2.

В зависимости от числа выводов тиристоры делят:

1. диодные (динисторы), имеющие два вывода - от А и К.

2. триодные (тиристоры), имеющие выводы от А, К и одной из Б.

3. тетродные, имеющие выводы от всех областей.

В начале своего развития тиристоры претендовали на роль многофункционального прибора. На них пытались делать триггеры, счётчики, мультивибраторы и др. самые разнообразные эл. устр-ва.

Однако постепенно выяснилось, что по большинству направлений они не выдерживают конкуренции с др. ПП-выми приборами.

Единственная конкурентоспособная область  это мощные токовые ключи разл. назначения, которые сейчас успешно и широко используются.

Для выкл. тиристора при его использовании в качестве токового ключа необходимо  ток через тиристор до значения > I удержания.

Выключить тиристор ч/з воздействия на управляющий электрод невозможно.

-ют тиристоры, которые могут быть выкл. по управляющему электроду импульсом I обратного знака  запираемые по управляющему электроду.

Если в качестве управляющего используется электрод УЭ1  управляемый по К, если в качестве управляющего электрод УЭ2  управляемый по А.

П ри U_А < 0 тиристоры закрыты  запираемые в обр. направлении.

-ют тиристоры, проводящие в обр. направлении, которые как бы зашунтированы VD-ом.

Выпускаются тиристоры, имеющие симметричную ВАХ для обеих полярностей U_А  симисторы.

30. Тиристоры: принцип действия, статическая ВАХ, параметры.

Физ. процессы в тиристоре. Представим тиристор виде 2х БVT (рис. 2).

Д ва фактора, влияющие на физ. процессы в тиристоре: зависимость коэффициента передачи по току  от I_Э и лавинное умножение носителей в обеднённом слое “К”-ного перехода.

На “А” подано “” U: центральный переход П2 смещён в пр. направлении, а крайние переходы П1 и П3 - в обр.  полярность U-ий на переходах соответствует режиму отсечки VT1, VT2 и через тиристор будет протекать I_ОБР двух последовательно вкл. П1 и П3.

При “+” U на “А”: крайние переходы П1 и П3 будут смещены в пр. направлении, а центральный переход П2 - в обр.  полярность U-ий на переходах соответствует активному режиму работы VT1 и VT2.

I_ВЫХ VT1  I_ВХ VT2, а I_ВЫХ VT2 - I_ВХ VT1  VT1 и VT2 образуют двухкаскадный усилитель, выход которого соединён со входом.

В схеме возможен регенеративный процесс лавинообразного  тока.

При  “+” U-ях на “А” ч/з “К”-ные переходы будут протекать I_ОБР, которые будут усилены VT1 и VT2. Так как эти токи малы, а I_Э  0 коэффициент передачи тока эмиттера   0  в тиристоре установится ток, ненамного > I_к0.

По мере  U на на “А”  I тиристора  за счёт лавинного умножения носителей заряда в переходе П2  приводит к  I тиристора  приводит к  коэффициентов передачи I_Э VT1 и VT2   I тиристора.

При некотором токе К_УС , образованной VT1 и VT2 превысит единицу.

Ток не ограничен, то в тиристоре возникает регенеративный процесс лавинообразного  тока, заканчивающийся насыщением VT1 и VT2  все их переходы будут смещены в пр. направлении. Такой процесс будет происходить в эл. ключе на VT.

Ток ограничен, при питании тиристора от источника тока при снятии его ВАХ  с  тока через тиристор U на нём будет  (рис. 3).

В цепи управляющего перехода протекает некоторый ток   ток тиристора и  коэффициентов передачи I_Э VT1 и VT2   U, при котором начинается регенеративный процесс включения тиристора (рис. 3).

 изменяя ток управляющего электрода можно управлять U вкл. тиристора.

ВАХ тиристора имеет пять участков (рис. 3).

Участок 0-1. U_A > 0; I  0  тиристор закрыт (режим пр. запирания).

Участок 1-2. В (.) 1 и 2 R дифф-ное тиристора = 0, а между ними < 0. Участок с “” R дифф-ным тиристора. Координаты 1 и 2  пар-ры тиристора:

- U_ВКЛ;

- I_ВКЛ;