11. Printsipialnaya_skhema_protsessa_ionno-luchevogo (Ответы на экзаменационные вопросы)
Описание файла
Файл "11. Printsipialnaya_skhema_protsessa_ionno-luchevogo" внутри архива находится в папке "Ответы на экзаменационные вопросы". Документ из архива "Ответы на экзаменационные вопросы", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "11. Printsipialnaya_skhema_protsessa_ionno-luchevogo"
Текст из документа "11. Printsipialnaya_skhema_protsessa_ionno-luchevogo"
-
А Принципиальная схема процесса ионно-лучевого травления, достоинства и недостатки.
D420 – Ионное осаждение.
Ионно-лучевой источник с горячим катодом: 1 – электромагнит, 2 – термокатод, 3 – анод, 4 – рабочая камера, 5 – подложка.
К материалам маски при ионном травлении предъявляются следующие требования: высокая разрешающая способность; термостойкость; минимальная скорость травления по отношению к скорости травления слоя.
Общая часть из предыдущего.
Особенности ионного травления:
-
Универсальность, возможно очищать от любых загрязнений поверхности любых материалов.
-
Низкая избирательность травления различных материалов из-за чисто физического мезанизма процесса распыления, это затрудняет локальную обработку, так как материал маски тоже травится.
Достоинства ионного травления:
-
Приимущ. Травление в направлении нормали к поверхности, что обеспечивает хорошие результаты при локальной обработке, так как практически отсутсвует боковая составляющая скорости травленяи.
-
Безынерциальность, процесс травления прекращается сразу же после снятия с образцов потенциала.
Недостатки ионного травления.
-
Низкие скорости травления (0.1-1нм/с)
-
Значительные радиационные воздействия, вызывающие разрушение контактных масок, деградацию электрофиз параметров структур и необходимость охлаждения образцов при травлении.
