Ответы с Ириными дополнениями, страница 9
Описание файла
Документ из архива "Ответы с Ириными дополнениями", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "материалы и элементы электронной техники" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "материалы и элементы электронной техники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Ответы с Ириными дополнениями"
Текст 9 страницы из документа "Ответы с Ириными дополнениями"
Обычно тепловое разрушение происходит в виде проплавления или прожигания узкого канала в месте наибольшей структурной неоднородности — наибольшей дефектности материала (например, в микротрещине или поре, заполненной влагой). В этом месте возникают наибольшие релаксационные потери и наибольшая плотность тока и, следовательно, наибольшее количество выделяемого тепла.
Упрощенным расчетом пробивного напряжения при электротепловом пробое диэлектрической конструкции является графоаналитический метод. Этот метод позволяет оценить значения Unp и Uраб и, главное, наглядно демонстрирует причины, приводящие к электротепловому пробою.
Процесс тепловыделения характеризуется мощностью, рассеиваемой в диэлектрике, и выражается уравнением диэлектрических потерь
P=U2ωCtgδ. (5.18)
Процесс теплоотдачи характеризуется мощностью, отводимой от диэлектрика, и выражается с помощью формулы Ньютона
P = σS(T-To), (5.19)
где σ — коэффициент теплоотдачи, Вт/(м2 • К); S — площадь поверхности диэлектрика, м2; Т— температура поверхности диэлектрика, К (считается, что температура по всему объему диэлектрика и на его поверхности одинаковая и равна T); Тo — температура окружающей среды, К.
Рис. 5.19. Температурные зависимости мощности тепловыделения Р (1 и 2) и мощности теплоотдачи Pт с поверхности детали (3)
В случае теплового равновесия (Р = Рт) имеем
U2ωCtgδ.= σS(T-To) (5.20)
Для наглядности дальнейших рассуждений воспользуемся графическим построением зависимости Р и Рт от температуры (рис. 5.19).
На диэлектрическую конструкцию подадим напряжение U1. В диэлектрике возникнут процессы тепловыделения (кривая 1) и теплоотдачи (прямая 3). Кривая 1 пересекает прямую 3 в двух точках, соответствующих T1раб и T1кр. За счет тепла, выделяемого в результате диэлектрических потерь, материал конструкции нагреется до некоторой температуры, равной T1раб, при которой наступит состояние устойчивого теплового равновесия между тепловыделением и теплоотдачей (Р = Рт). Однако под действием кратковременных перенапряжений, потерь в магнитопроводах и проводниках, посторонних случайных источников тепла диэлектрик может нагреться до температуры, превышающей Т1раб.
Если эта температура станет равной или большей Т1кр, то выделяемая мощность превысит мощность отводимого тепла; наступит тепловое разрушение — электротепловой пробой. Следовательно, максимально допустимая температура нагрева диэлектрика за счет посторонних источников тепла должна быть ниже Г1кр. В данных условиях напряжение £/, будет не опасным для нормальной работы диэлектрической конструкции.
Повысим напряжение до значения U2. Мощность тепловыделения в данном случае будет характеризоваться кривой 2, а значение Т2Раб в результате сильно возросших диэлектрических потерь станет равным Т2кр. В этом случае никакого теплового равновесия между Р И Рт не произойдет, поэтому температура диэлектрика начнет безгранично возрастать вплоть до температуры его теплового разрушения. Наступит электротепловой пробой.
16. Объяснение электросопротивления металлов с позиции классической электронной теории и волновой механики. Зависимость электропроводности металлов от температуры. (Понятие температуры Дебая)
С позиции классической электронной теории металлы рассматриваются как система, состоящая из положительных ионов, образующих узлы кристаллической решетки, и свободных (коллективизированных) электронов — электронов проводимости, заполняющих остальное пространство решетки. В отсутствие электрического поля электроны проводимости под действием теплового поля хаотически перемещаются по металлу (см. рис. 12.3, а). Если к металлическому проводнику приложить электрическое поле, то у каждого электрона проводимости, кроме хаотического (теплового) движения, возникает упорядоченное движение — дрейф (рис. 12.3, б): в металле потечет электрический ток.
а — электрическое поле отсутствует; б — в электрическом поле
Таким образом, прохождение электрического тока в металлических проводниках обусловлено упорядоченным движением — дрейфом электронов проводимости под действием внешнего электрического поля.
Количественно это явление описывается законом Ома. Согласно закону Ома, в дифференциальной форме плотность тока пропорциональна напряженности поля:
j = γЕ, (12,4)
где j — плотность электрического тока, А/м2; Е — напряженность поля, В/м; γ — коэффициент пропорциональности, представляющий удельную электропроводность, См/м.
На основании классической электронной теории удельная электропроводность у металлов определяется выражением
γ = ena = enλ/2mν (12.5)
где е — заряд электрона, А•с; n — концентрация электронов проводимости, м─3; а — подвижность электронов,, обусловленная действием электрического поля, м2/(В•с); λ, — средняя длина свободного пробега электрона между двумя столкновениями с решеткой в ускоряющем поле напряженностью Е (λ. = eEτ2/2m ), в/м; m— масса электрона, кг; v — средняя скорость теплового движения электронов в металле, м/с; τ — время между двумя столкновениями, с.
У всех металлов величину средней скорости v теплового движения можно считать постоянной. Концентрация n электронов проводимости, как и скорость v, мало зависит от природы металла. Поэтому удельная электропроводность γ металлических проводников зависит в основном от средней длины свободного пробега электрона λ, величина которой существенно влияет на подвижность а электронов: чем меньше λ., тем меньше а. Величина λ в свою очередь зависит от степени деформации кристаллической решетки металлического проводника. У идеального металлического проводника при Температуре, равной 0 К, электроны проводимости не будут сталкиваться с узлами кристаллической решетки, поэтому длина свободно пробега электрона λ, и, следовательно, электропроводность γ Должны быть бесконечно большими, а удельное сопротивление ρ pавно нулю.
С позиции волновой механики движущиеся в металле электроны проводимости обладают не только корпускулярными свойствами, но и волновыми. Следовательно, основными их параметрами являются не только масса, скорость и энергия, но и частота и длина волны.
Движение электрона в металле с позиции волновой механики — это распространение электронной волны в твердом теле, а сопротивление металла возникает в результате рассеяния электронной волны на тепловых колебаниях решетки и ее дефектах, размеры которых соизмеримы с расстоянием порядка четверти длины волны электрона.
В металлах длина волны электрона равна примерно 5 А. Поэтому дефекты размерами больше ~ 5/4 А производят значительное рассеяние электронов и уменьшают тем самым их подвижность а; в результате удельное электрическое сопротивление увеличивается. Дефекты меньше ~ 5/4 А не вызывают заметного рассеяния электронных волн.
В идеальных кристаллах, т.е. при отсутствии дефектов и тепловых колебаний узлов решетки, электронные волны распространялись бы без рассеяния, и величина λ, ограничивалась бы только геометрическими размерами кристаллов, а ρ было бы равно нулю.
Таким образом, с позиции как классической электронной теории, так и волновой механики удельная электропроводность у металлических проводников непосредственно зависит от средней длины свободного пробега электрона λ.
В реальных металлических проводниках рассеяние электронов проводимости происходит на дефектах кристаллической решетки, вызывающих ее искажение (деформацию); в результате уменьшается λ, и, следовательно, уменьшается γ (см. формулу (12.5)). Деформация кристаллической решетки происходит под действием различного рода нарушений периодичности электрического поля, создаваемого положительными ионами решетки, в результате наличия ионов примесей, вакансий, дислокаций, механической деформации и т.п.; тепловых колебаний решетки.
Электроны проводимости рассеиваются на дефектах решетки, и чем больше таких дефектов, тем выше сопротивление проводника.
При движении электронов проводимости под действием проложенного поля они приобретают дополнительную кинетическую энергию, которую при столкновении с узлами и дефектами кристаллической решетки передают ей; в результате металл нагревается. Мощность удельных тепловых потерь Р, Вт/м3, выделяющихся в металлических проводниках, подчиняется закону Джоуля—Ленца:
Р = γЕ2. (12.6)
Влияние температуры на удельное сопротивление
Концентрация n электронов проводимости в металлических проводниках от температуры не зависит, однако от температуры зависит их подвижность а. С увеличением температуры возрастают тепловые колебания узлов кристаллической решетки и создаются большие препятствия на пути дрейфа электронов, что приводит к снижению их подвижности а; в результате удельная электропроводность γ уменьшается (см. формулу (12.5)).
Величина, на которую изменится удельное сопротивление проводника при изменении его температуры на 1 К, называется температурным коэффициентом удельного сопротивления ТКρ (αρ). Дифференциальное выражение ТКр, К-1, имеет вид
ТКр=1/ρ dρ /dT. (12.7)
На практике пользуются средним значением ТКр, К~', для определенного интервала температур:
TKρ = 1/ρ1 (ρ2-ρ1) / (T2-T1)
где ρ1 и ρ2 — удельные сопротивления проводника при температурах T1, и Т2 соответственно, при этом Т2 > Т1. У многих металлов ТКρ имеет примерно одну и ту же величину, равную
ТКр ≈ 1/273 ≈ 0,004 К-1.
Исключение составляют металлы: Fe, Co, Ni, Na, К, Сг и др., У которых ТКρ больше или меньше 0,004 примерно в 1,5—2 раза (см. табл. 12.1).
Как отмечалось выше (см. гл. 10.3.2), у сплавов, образующих твердые растворы, ТКρ имеет минимальное значение, и в ряде случаев практически равен нулю, что объясняется сильной деформированностью кристаллической решетки, которая при нагревании практически дополнительно не деформируется или деформируется очень мало. Поэтому λ и следовательно ρ, изменяются незначительно или не изменяются вовсе. Это свойство используется для получения термически высокостабильных образцовых проволочных резисторов на основе сплавов Cu-Ni, Cu-Ni-Mn, Ni-Cr-Fe и др образующих твердые растворы. Благодаря тому, что у чистых металлов относительно высокий ТКр, их (Си, Ni, Pt,W) используют в качестве термосопротивлений, в системах измерения и регулирования температуры.
Типичная зависимость удельного сопротивления металлических проводников от температуры в широком интервале представлена сплошной линией на рис. 12.5. У идеального металлического проводника при понижении температуры и приближении к 0 К удельное сопротивление стремится к нулю (ветвь а). У технически чистого металлического проводника на н ебольшом участке 1, составляющем несколько Кельвинов, наблюдается «остаточное» сопротивление рост, величина которого не зависит от температуры, но сильно зависит от наличия примесей. Чем чище металл, тем меньше рост и уже участок 1. На участке1 некоторые металлы могут перейти в состояние сверхпроводимости и удельное сопротивление их становится равным нулю (ветвь б). На участке II для многих металлов при нагревании происходит быстрое увеличение удельного сопротивления р ~Т5, где n с ростом температуры плавно изменяется от 5 до 1. Рост удельного сопротивления с температурой на участке II объясняется тем, что при нагревании включаются все новые частоты тепловых колебаний (фононов) кристаллической решетки, на которых рассеиваются носители заряда. При температуре, примерно равной Tθ, спектр колебаний возбуждается полностью. Для большинства металлов температура Tθ лежит в пределах 100—400 К. Температура Дебая — температура, при которой возбуждаются все моды колебаний в данном твёрдом теле. Дальнейшее увеличение температуры не приводит к появлению новых мод колебаний, а лишь ведёт к увеличению амплитуд уже существующих, т. е. средняя энергия колебаний с ростом температуры растёт. При дальнейшем повышении температуры (участок III) удельное сопротивление растет практически прямо пропорционально увеличению температуры. На этом участке ρ возрастает, так как при нагревании прямо пропорционально увеличиваются амплитуды тепловых колебаний узлов кристаллической решетки. Для многих металлов, у которых зависимость ρ(T) соответствует сплошной линии на рис. 12.5, на участке III наблюдается слабое отклонение ρ(T) от линейной зависимости. На участке IV начинающемся при Тпл, удельное сопротивление изменяется скачкообразно вверх или вниз. У большинства металлов, объем которых в расплавленном состоянии больше, чем в твердом, удельное сопротивление при плавлении скачкообразно возрастает (ветвь в; табл. 12.2).