Рис. 1.5. График, иллюстрирующий временной ход критической температуры сверхпроводящего перехода в металлических, интсрметаллических (штрихо­вая) и в металлооксидных сверхпроводниках (сплошная линия). Штрихпун­ктирные линии соответствуют температурам кипения жидких гелия, водоро­да, неона, азота и кислорода при атмосферном давлении

В исследование металлооксидных сверхпроводников и поиск но­вых сверхпроводящих материалов этого типа включилась вся миро­вая научная общественность. В 1987 г. на керамике Y—Ва—Си—О была достигнута температура сверхпроводящего перехода 92 К, и, тем самым, был преодолен азотный барьер, что еще сильнее подхле­стнуло массовый интерес исследователей к новым высокотемпера­турным сверхпроводникам. Затем температура сверхпроводящего перехода была поднята до 125 К в соединениях таллия. Регулярно стали появляться сенсационные заявления о сверхпроводимости при комнатных температурах, но они быстро «закрывались». Увы, после экспоненциального роста значение Тс фактически вышло на плато в начале 90-х годов. К настоящему времени рекорд критической температуры принадлежит ртутным соединениям с Tc~140 К. На­ступил этап кропотливой, методичной работы по выяснению приро­ды высокотемпературной сверхпроводимости и тщательному изуче­нию ее свойств.

30. Методы измерения относительной диэлектрической проницаемости и тангенса диэлектрических потерь.

        Диэлектрические измерения - измерения величин, характеризующих свойства диэлектриков в постоянном и переменном электрических полях. К Д. и. относятся измерения диэлектрической проницаемости ε в постоянных и переменных полях, диэлектрических потерь, удельной электропроводности в постоянном электрическом поле, электрической прочности.

         В случае твёрдых диэлектриков Д. и. часто сводятся к измерению ёмкости С плоского электрического конденсатора, между пластинами которого помещён исследуемый диэлектрик. По формуле

        (d — толщина диэлектрического образца, S — площадь его боковой грани, k — коэффициент пропорциональности) находят диэлектрическую проницаемость ε.

В случае жидкостей и газов измеряют ёмкость системы электродов в вакууме (С₀) и в данном веществе (С_ε), а затем определяют ε из соотношения: ε = С_ε/С₀.

         Методы измерения ёмкости и диэлектрических потерь различны для разных частот электрического поля. В постоянном поле и при низких частотах (десятые доли гц) ёмкость, как правило, определяют путём измерений зарядного или разрядного токов конденсатора с помощью баллистического гальванометра (рис. 1).

         В области частот от десятых гц до 10⁷ гц, помимо С, существенно измерение диэлектрических потерь, мерой которых является тангенс угла диэлектрических потерь tg δ. С и tg δ измеряют с помощью мостовых схем, в частности мостов Шеринга.

         В высокочастотной области (от 10⁵ до 10⁸ гц) для измерения ёмкости С_ε и диэлектрической проницаемости ε применяют главным образом резонансные методы (рис. 2). Колебательный контур, содержащий образцовый конденсатор, настраивается в резонанс, и определяется соответствующая резонансу величина ёмкости С'. Затем параллельно образцовому конденсатору присоединяют конденсатор с диэлектриком С_ε, и контур снова настраивается в резонанс. Во втором случае ёмкость С" образцового конденсатора будет меньше. Ёмкость конденсатора, заполненного диэлектриком C_ε, определяется по формуле:

         C_ε = C' - С". (1)

         Различные резонансные методы отличаются друг от друга по способу определения tg δ. В методе замещения диэлектрик заменяется эквивалентной схемой, состоящей из ёмкости и сопротивления. Подбирается такое сопротивление R, которое, будучи включено последовательно или параллельно образцовому конденсатору С, ёмкость которого берётся равной ёмкости диэлектрика С_ε, даёт такой же резонансный ток в контуре, как и образец диэлектрика. Метод расстройки контура основан на том, что ширина резонансной кривой контура определяется его добротностью Q, связанной с тангенсом угла потерь диэлектрика соотношением:

         tg δ = 1/Q. (2)

         Ёмкость и диэлектрические потери определяют также методом куметра. В данной области частот можно применять также метод биений.

         В области сверхвысоких частот (от 10⁸ до 10¹¹ гц) Д. и. основаны на использовании объёмных резонаторов и радиоволноводов, а также на закономерностях распространения электромагнитных волн в свободном пространстве. В случае газообразных диэлектриков измеряют резонансную частоту ω₀ и добротность Q₀ объёмного резонатора (рис. 3), когда в нём создан вакуум, и те же величины ω_ε и Q_ε, когда он целиком заполнен диэлектриком. При этом имеют место соотношения:

         В случае жидких и твёрдых диэлектриков, если они целиком заполняют резонатор, получаются гораздо большие изменения резонансной частоты и добротности. Кроме того, если диэлектрические потери велики, то добротность резонатора становится весьма малой величиной. Это нарушает справедливость формул (3) и (4). Поэтому применяют частичное заполнение резонатора диэлектриком, чаще всего имеющим форму диска или стержня.

         Другой метод Д. и. в области СВЧ состоит в том, что в радиоволноводе устанавливаются бегущая или стоячая электромагнитные волны. Для волновода, заполненного диэлектриком, длина волны λ_ε равна:

        где λ₀ — длина волны в свободном пространстве, λ_кр — критическая (предельная) длина волны, зависящая от типа волн и размеров поперечного сечения волновода. Из формулы (5) можно определять ε. При введении диэлектрика в волновод изменяются условия распространения волн и происходит поглощение энергии электромагнитного поля. Это позволяет определить tg δ.

         Существуют два основных метода измерения ε и tg δ с помощью волновода. Первый основан на наблюдении картины стоячих волн в волноводе, нагружённом известным сопротивлением. Второй — на наблюдении поглощения волн, проходящих через диэлектрик. В случае газов, которые имеют ε ≈ 1 и малые диэлектрические потери, ε и tg δ определяют с помощью установки, схематически изображённой на рис. 3. В среднем участке волновода, отгороженном слюдяными окнами, создаётся вакуум, а затем туда вводится газ. При этом в согласии с формулой (5) длина волны уменьшается и положение минимумов стоячей волны смещается. Д. и. жидкостей и твёрдых тел, имеющих ε ≠ 1, осложняются отражением волн на границе воздух — диэлектрик. В этих условиях наблюдают картину стоячих волн на входе заполненного диэлектриком волновода с помощью измерительной линии. В области миллиметровых, инфракрасных и световых волн измеряют коэффициент отражения или преломления и коэффициент поглощения диэлектрика, откуда находят ε и tg δ.

         Методы измерения удельной электропроводности диэлектриков σ в постоянном поле существенно не отличаются от аналогичных методов для металлов и полупроводников. Для точных измерений очень малых σ используют постоянного тока усилитель.

         Измерения электрической прочности Е_пр основаны на измерении напряжения V_np, которое соответствует наступлению диэлектрического пробоя:

         Е_пр = V_пр/d, (6)

        где d — расстояние между электродами.

        Рис. 1. Измерения диэлектрической проницаемости при помощи баллистического гальванометра G.

        Рис. 2. Измерения ёмкости С_ε и диэлектрической проницаемости ε резонансным методом. Катушка индуктивности L и образцовый конденсатор С образуют замкнутый контур, слабо связанный с генератором переменного тока.

        Рис. 3. Волноводные установки для измерения ε и tgδ газов.