sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами), страница 12

Обратный ток коллелтора при Скк = 15 В не более . Обратный тол эмиттера при 1/эь = 1,5 В ие более . Емкость коллек~орного перехода при еука — — 5 В, = 5 МГи не более 2,5 4,0 0,5 В 0,7 В 3,0 мкс б,О мкА 80 мьА б,О млА 30 мкА 8,5 пф Тб "г'я 1,1 бе!у гча 1БО 0,8 О,Б ва О,г 1,г сэ 1,О з ОБ ~ О,Ч О гг т лтг гчг т, к 081Б г50 гао 150 100 50 0 ггг ли 515 о 0,1 а,г а,г о,ч о,ви„,в Вхоламе характеристики Зависимость магического коэффиииеитв перелвчи тока от температуры 74 0 15 га ЧБ Бо 75 11,мл Зависимость статичеслозо лоз4зфиииеита перепачи тока от тока змиттера '10' '10' '10' '101гбв,яо„ Зависимость огиосиыльаого про ба в виго иапраиеиия коллектор-амит.

тер от сопротивления базв-эмиттер Сшлхе гд Ок,лэ го го о од оо (,г (,о г,оо„,о Зависимость емкости элпзттерного перехода от напряжении эмитзср-база О 9 В (г (б гО Ьк,о Зависимость емкости колчекторного перехода от напряжения колзектор-база ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г, ТМ5Д, М5А, М5Б, М5В, М5Г, М5Д Транзисторы германиевые спзавные р-вчр )ниверсазьнь е низкочастотные маломощные Прелназначепы для применения в )сичительных, импульсных и переключающих схемах низкой частоты в составе гибридных интегральных микросхем залитой и капе) энровапной конструкций Выпускаются в метадчостекдяином лорпусе иа керамичесьон плате (ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В ТМ5Г, ТМ5Д) и с гибкими выводами (815А, М5Б, М5В, М5Г, М5Д) Обозначение типа приводится на лорпусе Масса транзистора на керамической плате не более 0,8 г, с гибкими выводами не более 0,5 г Прелельные эксплуатанявнные данные Постоянное напряжение колзектор-эмиттер при напряжении база-змиттер 0,5 В...........

15 В Постоянное напряжение коллектор-база в схеме с общей базой . . . . . . . . . . . . . . . . . . . !5 В Постоянное напря,кение эмиттер-база . . . . . . . 1,5 В Посзоянный ток колчектора при Т= 213 — 108 К... 40 мА Импучьсиый тол колзектора лри т„с 10 мкс и средней рассеиваемой мощности, ие превышающей постоянную предечьную рассеиваем)ю люшиость....... !00 л~А Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 21)в — 298 К.................. 75 мВт Тепзовое сопротивчение переход-среда....... 0,8 К/мВт Темпсрат)ра окру.каюшей среды.......

От 213 до 34б К Примечания 1 При Т> 308 К максимально допустимый ток козчектора, мА, рассчитывается по формуле(к члм = 6 'у' 358 — Т 2 При Т> 298 К максимально лопустимая постояигыя рассеиваемая моп!ность колчектора, мВт, рассчитывается по формуле Рк лчч = (358 — ТТ)(гас У,б Кэяяеяяю ГМВЭ, ГМ55, Гмбв, ГМВГ, ГМВЛ М5А, М5б, М5В, М5Г, Мбд Электрические параметры Предельная частота коэффиниента передачи тока при ГГкв = 5 В, Гэ = 1 мА не менее ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5Д, М5А, М5Б, М5Д ТМ5В, М5В ТМ5Г, М5Г Постоянная времени пепи обратной связи при Гlкк = =5 В, Гэ=1 мА, /'=5 МГп не более: ТМ5А, ТМ5Д, М5А, М5Д . ТМ5Б, ТМ5В, М5Б, М5В ТМ5Г, М5Г Статический коэффипиент перелачи тока в схеме с обтпим эмиттером при ГГка = 1 В 1э =!О мА: при Т=293 К: ТМ5А, М5А.

ТМ5Б, М5Б . ТМ5В, М5В . ТМ5Г, М5Г ТМ5Д, М5Д при Г= 213 К. ТМ5А, М5А, ТМ5Б, М5Б . ТМ5В, М5В . 1,О МГц 2,0 МГп 3,0 МГц 2500 пс 3000 пс 3500 пс 20 — 50 35 — 80 60-130 ' 110-250 20-бО 12 — 50 20-80 30-130 78 60 -250 12 — 60 20 — 100 35-120 60 — 250 110- 320 20-60 15 В 0,15 В 0,5 В 2,0 мкс 20 мкА 25 мкА 70 мкА 110 мкЛ 20 мкА 30 пФ 45 пФ Предельные эксплуатационные ланные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при напряжении база-эмиттер 0,5 В Постоянное напряжение коллектор-база ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г, М5А, М5Б.

М5В, М5Г ТМ5Д, М5Д Постоянное напряжение эмиттер-база. Постоянный ток лоллектора при Т = 213 — 308 К . Импульсный зок коллектора при т„= 1О мкс и средней рассеиваемой мощности, не превышающей постоянную прелельную рассеиваемую мощность . Постоянная рассеиваемая мощность кочлектора при Г-- 213 — 298 К . Тепловое сопротивление переход-среда .

15 В 15 В 25 В 10 В 70 мА 150 мА 75 мВт 0,8 К/мйт 79 ТМ5Г, М5Г . ТМ5Д, М5Д при 7=346 К ТМ5А, М5А ТМ5Б, М5Б . ТМ5В, М5В . ТМ5Г, М5Г . ТМ5Д, М5Д. Граничное напряжение прн /э„= 5 мА, 47ка = 15 В, !7 > 10 не менее . Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 1!, = 10 мА, 1в = 1 мА не более Напряжение насыщения база-эмиттер при ук = 10 мА, та = 1 мА не более Время рассасывания прп 'тткэ = 15 В, 7к = 10 мА ТМ5А, ТМ5Д, М5А, М5Д при (ь = 1,0 мЛ, ТМ5Б, ТМ5В, М5Б, М5В при 7а = 0,5 мА, ТМ5Г, М5Г прн уь = 0,25 мА не более Обратный ток коллектор-эмнттер прн 1твэ = 0,5 В не более при Т =- 293 К и Т = 213 К при (ткэ = 15 В ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г, М5А, М5Б, М5В, М5Г при 77кэ = 25 В ТМ5Д, М5Д при Г= 346 К при !Iкэ = 15 В ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г, М5А, М5Б, М5В, М5Г при гткэ = 25 В ТМ5Д М5Д .

Обратный ток эмиттера при !/эв = 10 В не более . Емкость кочлекторного перехода при 17ка = 5 В. 7'= = 5 МГц не более Емкость эмиттерного перехода прп гтэа = 0,5 В не более . От 2!3 ло 346 К Температура окружающей срелы Примечания ! Прн Т> 308 К ток коллектора, мА, рассчитывается по формуче !к „, = (О 57358 — Т 2 Прп Т =-. 298 — 346 К макснмачьно лопустимая постоянная рассеиваем~я мошность «отлектора, мВт, рассчитывается по фор- муле Р«мм =(' 8 — УУ7(тпс Ь71Э 50 21 мя 05 ЧО 3О го п,г 10 0 07 Ог 05 оч 0,50эа,а О гп СО 00 ВО 10011,мя Входная характеристп«а Зависимость стаэического коэффициента передачи тока от тока змиттера 1,г 7,0 "771 эго 0,0 ~ 0,0 В 0,4 100 00 00 п,г 0 й г ЕПП1 г 40070 г ЧО 7ООг8„;Ои Еп н5«,775 гп геу ггг гпг гтг гпг 515 555 г, к Зависимость относительного напряжения колле«тор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер Зав77симость статическосо «оэфф7шиенэа передачи тока от тем- пературы ТМ11, ТМ11А, ТМ11Б Транзисторы кремниевые диффузионные р-л-р универсальные низкочастотные мачомощные Предназначены лля применения в усилительньм, импульсных н переключающих схемах низкой частоты в составе гибрилных интегральных микросхем залитой и капсулированной конструкций Выпускаются в металлостекляннам корпусе на керамической плате Обозначение типа приводится на керамической плате Масса транзистора не более 0,8 г 'Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при !7кв = 5 В, 7э = 1 мА не менее ТМ11 .

ТМ11А, ТМ11Б . Граничное напра кение не менее ТМ11 при 7э„= 5 мА . ТМ11А, при 7э„= 10 мА Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при !7кк = 5 В, 7э = 1 мА, /= 50 — 1000 Гц при Т= 293 К ТМ11 ТМ1! А ТМ11Б прн Т= 213 К ТМ!1 ТМ!! А ТМ11Б прн Т=393 К ТМ!1 ТМ11А ТМ11Б Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !7кк = 1 В, Уэ = 1О мА ТМ11 ТМ11А ТМ11Б Входное сопротивление в схеме с общим эмиттером прн 7э = 1 мА, !тка = 30 В ТМ11 и !Iкк = 15 В ТМ1!А, ТМ11Б не более Капряжепие насыщения коллектор-эчнттер при 7к = 10 мА, 7в = 2 мА ТМ! 1 и 7к = 1 мА ТМ11А не более .

0,1 МГп 0,5 МГп 30 В 15 В 9-36 15-60 30 — 160 7 — 36 10 — 60 25 — 160 9-108 15-180 30-380 7-40 10-60 19 — 160 300 Ом 0,5 В ггвллеклэор Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока прн !/кв = 5 В, Зэ = 1 мА не менее МП13. МП13Б, МП14. МП!4А, МП14Б, МП14И . МП15, МП15А Коэффициент шума при 77кв = 1,5 В, уэ = 0,5 мА, Т= 1 кГц МП13Б не более Время рассасывания при Ек = 20 В, 77вэ„=- 4 В, Зтк = = 510 Ом, Зтв = 100 Ом МП14И не менее Амплитуда выходного импульса при Ек = 15 В, Пнэ„= = 15 В, Рк = 100 Ом, 7!в = 1 кОм МП15И не менее при Т= 293 К при Т= 213 и Т= 343 К Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при 17кв=5 В, Тэ=! мА, 7=1 кГц при Т= 293 К МП13 не менее .

МП! ЗБ МП14, МП!4А. МП!4Б, МП15 МП14И МП15А прп Т= 213 К МП13 не менее МП!ЗБ МП14, МП14А . МП14Б, МИ!5. МП14И МП15А при Т= 343 К МП!3 не менее МП!ЗБ, МП!4И . МП14, МП!4А. МП14Б, МП15. МП15А Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более МП14И при Зк = 10 мА, Зв = 1 мА 0.5 МГц 1 МГц 2 МГц 12 дБ 1,4 мкс 5,5 В 4 В 12 70 — ОО 20-40 30 — 60 20-80 50 — 100 7 7 — ОО 7 — 40 12- бО 7-80 20 — 100 12 20 — 150 20- 100 30- !50 50 — 200 0,2 В МП15И при Ек = 15 В, Ея = 15 В, Як =!00 Ом, Яв = 600 Ом зратный ток ьолчектора при Т= 343 К це более МП13, МП1ЗБ, МП14, МП15 МП15А при 1/кв = =10 В МП14А, МП14Б, МП14И прп 1ГКВ = 20 В .