sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами), страница 7
Описание файла
DJVU-файл из архива "Справочник по транзисторами", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электротехника (элтех)" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "электротехника (элтех)" в общих файлах.
Просмотр DJVU-файла онлайн
Распознанный текст из DJVU-файла, 7 - страница
Обратный ток змиттера при Т= 293 К ие более МП9А, МП10, МП11,МП!!А пРи !тэв = 15 В. МП10А, МП10Б при 1тэь = 30 В . Сопротивзение базы прн бкв = 5 В, уэ = 1 чА, Т= 500 кГц ие более . Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при холостом ходе в схеме с общей базой при !lкв = 5 В, 1э =1 мА, т"= 1 ьГц не более .
Бмьость коллекторного перехода при !ткь = 5 В не оогзее, Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т = 213 — 323 К МП9А, МП10, МГП1, МП11А МП10А МП!ОБ . ири Т=323 — 343 К МП9А, МП10, МП11, МП11А . МП10А, МГ110Б . Постоянное напряжение эчиттер-база при Т= 213 — 323 К МП9А, МП10, МП11, МП11А МП10А, МП10Б . при 7'= 323 — 343 К МП9А, МП!0, МП11, МП11А . М П1ОА, М Г110Б . Постоянный ток коллектора .
Постоянный тол коллектора в режиме насыщения . Постоянная рассеиваемая мощность лри р > бббб Па при Т = 2!3 — 323 К при Т= 343 К при р с бббб Па при Т = 213 — 323 К при Т= 343 К Обшес тепловое сопротивзенне при р > бббб Па . при р с бббб Па . Температура перехода Температура олр> жающсй среды . 15 В 30 В 10 В 20 В 15 В 30 В 10 В 20 В 20 чА !50 мА 150 мВт 75 лзВт 100 мВт 50 лзВт 200 К/Вт 300 К1'Вт 158 К От 213 до 343 К 1,0 1,5 1,9 1,Я 1,2 1,1 Ц 1,0 0,9 'о 5 1а 15 га гво„„в Зависимость относительного коэффипиента перелачи тока в режиме малого сигнала от напряжения коллектор.оаза 1,0 ' О г,в 5 7,5 10 1Р,РТ„жя Зависичость относительного коэффициента передачи тока в режиме чалого сигнала от тока эмиттера у,о 0,9 о,д 0,1 т то Вэд,ом о,в 'гтв гув гвв в~в гвв лв т,и Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи база- эмиттер Зависимость относительного коэффипиента перелачи тока в режиме мачого сигнала от темпе- ратуры Транзисторы кремниевые планарные л-р-л универсальные низкочастотные маломощные Прелназначены дтя применения в усилительных, импульсных и переключающих схемах в составе микромодуяей залитой и капсулированиой конструкций Выпускаются в мегалзостекчянном корпусе на керамической плате Обозначение типа приводится на плате (вывод ! -база) Масса транзистора нс более 0,8 г 41 бг "1,о о,в о,в 50,9 0,9 ТМ10А, ТМ10Б, ТМ10В, ТМ10Ж Электрические параметры Граничная частота коэффициента перелачи тока в схеме с общим эмиттером прн 1/кк = 10 В, /з = 3 мА не менее.
Коэффициент передачи тока в режггие малого сигнала прн !/ка = 10 В. 1з — — 3 мА при Т= 293 К ТМ10А ТМ10Б Тм!ОВ ТМ10Ж не менее . при Т= 213 К ТМ10А ТМ10Б ТМ10В ТМ10Ж не менее Сгатичеслит~ козффишзент перелачи тока в схеме с общим эмпттером при С'кв — — 1О В, /з = 10 мА ТМ10А ТМ10Б тм1ов ТМ10Ж не менее Граничное напряжение при 1з„= 25 мА ие менее ТМ10А, ТМ10Ж .
ТМ1ОБ, ТМ10В . Напряжение насыщения коллектор-эмиттср при 1к = = 10 мА не более при /в = 1 мА ТМ10А, ТМ!ОВ, ТМ10Ж . при /в = 2 мА ТМ10Б Напряжение насыщения база-эчнттср при 1к = 10 мА не ботев при 1 = ! мА тМ1ОА. тМ1ОВ, тМ/ОЖ при 1ь = 2 мА ТМ10Б Обратный ток коллектора вс более при Т=293 К при 1/кк = 20 В ТМ10А, ТМ10Ж при 1/кв = 30 В ТМ10Б, ТМ10В при Т= 293 К, //кь = 10 В Обратный ток эмиттера при !/зв = 3 В не более . Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при коротком замыкании при бгкв = !О В. 1з = 3 мА, 1= 50 — !000 Гц не более Ел/кость лоллекторно~о перехола при !/кь = 1О В, Т= = 2 МГц не более Емкость эмиттерного перекопа при !/эв = 3 В, 1= 2 МГц не более 42 30 МГц 40 — 120 10- 32 20 — 60 80 20-120 8 — 32 !0-60 40 28 — 120 7- 32 14-60 55 20 В 30 В 2,5 В 2,5 В 2 В 2 В 5 мкА 5 мкА 30 мкА 50 мкА 3 мкСм 10 пФ 50 пФ Предельные эксплуатапиоивые даияые П стоянное напряжение коллектор-база, коллектор-эмпттер ТМ!ОА, ТМ!ОЖ .
ТМ!0Б, ТМ!ОВ . Постоянное напряжение змиттер-база Постоянный зок коллектора . Постоянный ток базы . Постоянная рассеиваемая мощность при Тс 333 К при Т= 393 К Температура перехода Тепловое сопротивление . Температура окружающей среды, 20 В 30 В 3 В !О мА !О мА !50 мВт 50 лзВт 423 К 600 К!Вт От 2!3 до 393 К МП35э МП36А, МП37, МП37Л, МП37Бз МП38, МП38А Транзисторы германиевые сплавные и-р-и усилительные низкочастотные с ненормированным (МП35, МП37, МП37А, МПЗ7Б, МПЗ8, МП38А) и нормированным на частоте ! кГц (МП36А) коэффициентом шума Предназначены для усиления сигналов низкой частоты Выпускаются в метаплостеклянном корпусе с гибкимн выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Масса транзистора не более 2 г Электрические параметры Прелезьная частоте коэффипиента передачи тока Вкв = 5 В, уз = ! мА не менее МПЗ5.
МП36А, МПЗ7, МП37А, МП37Б . МП38, МПЗ8А озффипиент шума при 6Гкк = 1,5 В, уэ = 0,5 У= ! кГп для МП36А не более при 0,5 МГп ! МГп 2 МГп мА, !2 дБ 43 13-125 !5-45 15- 30 25- 50 25-55 45- 100 5- 125 6-45 6 — 30 8- 50 8 — 55 17 — 100 10-200 15-90 15-60 25 — 100 25- 110 45 — 180 30 мьА 250 мкА 15 мкА 220 Ом 3,3 мкСм 60 пФ Предельные эксплуатационные данные Посзоянное напряжение коллектор-база при Т = 21З вЂ” 313 К МП35, МПЗ6А, МПЗ7, МПЗ8, МП38А .
МП37А, МП37Б . при Т = 313 — 343 К МПЗ5, МП36А, МП37, МПЗ8, МП38А . МПЗ7А, МП37Б . Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при /1эв и н 200 Ом при 7 = 213 — 313 К МП35, МП36А, МП37, МП38, МП38А, 15 В 30 В Гб В 20 В 15 В Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Ока=5 В, /э=1 мА, /=1 кГц прп Т= 293 К МП35 . МПЗ6А МП37, МП37А . МП37Б МПЗ8 МПЗ8А при Т= 218 К МП35 .
МПЗ6А МП37, МП37А . МП37Б МП38 МП38А при 7 = 333 К МП35 . МП36А МП37, МПЗ7А. МПЗ7Б МПЗ8 . МП38А Обратный ток коляектора при !/кв = 5 В не более при Т = 293 К . при Т= 333 К. Обратный ток эмиттера при 293 К, //эа = 5 В не бодее . Сопротивление базы при Цсв — — 5 В, /э = 1 мА, /= = 500 кГц не более Выходная полная проволимость в режиме лчалого сиг. нала при холостом ходе при 1/кк = 5 В, /э =! мА, /= 1 кГп не бочее Емкосзь коллекторного перехода при 1/ка —— 5 В ие более .
зо в МП37А, МП37Б, нри Т= 3! 3 — 343 К МПЗ5, МПЗбА, МПЗ7, МП38, МПЗНА МП37А. МПЗ7Б . Постоянный ток коллектора в режиме усиления . в режиме насышения или в импульсном режиме . Постоянный ток эмиттера в режиме насыщения . Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 213 — 328 К при Т= 343 К ()бшее тепловое сопротивление .
Температура перехола Температура окружающей среды . 1О В 20 В 20 мА 150 мА 150 МА 150 мВт 75 мВт 200 К/Вт 358 К От 213 до 343 К МП101, МП101А, МП101Б, МП102, МП103, МП103А, МП111, МП111А, МП111Б, МП112, МП113, МП113А Неллекглср Транзисторы кремниевые сплавные и-р-и усидительные низкочастотные с ненормированным (МП!01, МП101Б, МП102, МП103, МП!ОЗА, МП111, МП11! Б, МП112, МП113, МП11ЗА) и нормированным (МП!01А, МП111А) козффнциентами шума на частоте 1 крц Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты Выпускаются в метатлостеклянном корпусе с гибкимгг выводами Обозначение типа приводится на оокавой поверхности корпуса Масса транзистора не более 2 г лля типов МП!01, МП!01А, МП101Б, МП102, МП!03, МП)ОЗА и не более 2,5 г для типов МП111, МП11!А МП!!1Б, МП112, МП113, МП113А Электрические параметры Предельная частота коэффициента перелачи тока при !Ткв = 5 В, Зэ = 1 мА не менее МП101, МП101А, МП101Б, МИ!02, МП111, МП11!А, МП11Б, МП!12 .
МП103, МП103А, МП113 МП113А . Коэффициент цээма при !7ка= 1 В, 7э = 0,2 мА, /'= =1 кГц М П 10!А пе более . типовое значение . МП113А не более . Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при !7ка = 5 В, lэ = 5 лэА, /= 1 кГц при Т.= 298 К МП101, МП111. МП101А МП111А МП10!Б, МП102, МП103, МП11!Б, МП112, МП113 МП103А МП113А . при Т= 213 К МП101 МП101А . МП101Б, МП102, МП103 . МП103А . при Т= 398 К МП!01 МП101А МП!О! Б, МП102, МП103 . МП103А Обратный то«коллектора ие более при Т= 298 К МП!01А п!эи Пкк = 10 В МП1!1, МП111Б при (/кв = 10 В МП!!1А при !7 с=5 В. МП!12, МП113, МП!13А при (/ка = 5 В, при Т= 398 К МП101, МП10!Б при !7ка = 10 В МП10! А, МП! 02, МИ!03, МП103А прп Стив = =5 В Обратный ток кодле«тор-эмиттер при Т = 298 К ие более МП101, МП10!Б при 1/кэ = 20 В МП10!А, МП! 02, МП103, МП103А при !7кэ = =10 В Обратный ток эмиттера при Т = 298 К ис более МП101, МП101Б лри (/эв = 20 В 0,5 МГц 1 МГп 1,2 МГц 15 дБ 5* дБ 18 дБ 10-25 10-30 15-45 30-75 35- 105 5 — 25 5 — 30 8-45 10-75 10-75 10- 100 15-120 30-225 1 мкА 3 мкА 1 мкА 3 л~кА 30 мкА ЗО мкА 3 мкА 3 мкА 3 м«А 3 мкА 3 мкА 2 мкСм 1,2* мкСм 3 10 10 150 пФ 110' пФ 170 пФ Предельные эксплуатаниоиные лаиные Постоянное напряжение коллектор-база МП101, МП101Б, МП1!1, МП111Б .
МП101А, МП102, МП103, МП!ОЗА, МП111А, МП112, МП113, МП113А . Постоянное напряжение кочлектор-эмиттер при 3!эв К К2 кОм МП101, МП !01Б, МП1! 1, МП11! Б МП101А, МП!02, МП103, МП!ОЗА, МП111А, МП112, МП! 13, МП113А . Постоянное напряжение эмиттер-база МП!01, МП!01Б . МП!01А, МП102, МП103, МП103А МП!11, МП!11А, МП111Б, МП112, МП113, МП11ЗА, Постоянный ток коллектора . Постоянный ток эмиттера Постоянный ток коллектора в режиме насыщения прн переключении и среднем значении тока эмиттера за с ие более 20 мА МП111, МП111А, МП111Б, МП!12, МП113, МП113А . Имп, Имп, ~пульсный ток коллектора при т„к 1О мс, д > 10 мп!льсный ток эмиттеРа пРи тх К 10 мс, Д > 1О Посто стоянная рассеиваемая мощность при Т= 213 348 К, р > 6650 Па МП101, МП10!А, МП!01Б, МП! 02, МП!03, МП103А .