sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами), страница 113

Температурный уход разности напряжений затвор- исток при (!с~ = 10 В 2ПС202А-2 при 2 )с = 0,5 мА не более . типовое значение 2ПС202В-2 прн 2 /с = 1,5 мА не более . типовое значение 2ПС202Б-2 при 2 /о = 0,5 мА и 2ПС202Г-2 при 2 /с = 1,5 мА не более типовое значение 30 МГц 20 нВф Гц 0,5 мА/В 0,65 мА/В 1,0 мА/В 0,65 мА/В 1,0 мА/В 0,3 мд/В 0,5 мА/В 30 мВ 10 мВ 60 мВ 50 мкВ/К !5" мкв/К 100 мкВ/К 50* мкВ/К 150 мкВ/К 80' мкВ/К тела Сдвоенные (вариант 1) и олинарные (вариант 2) транзисторы упаковываются в сопроволительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров транзисторов Сдвоенные транзисторы выпускаются также без кристаллодержателя в виде двух одинаковых транзисторов, подобраннык по основным электрическим параметрам и упакованных в сопро.

водительную тару Обозначение типа приводится на сопроводительной таре Масса сдвоенного транзистора не более 0,5 г, одиночного 0,2 г Начальный ток стока при 1/си = 1О В, !!зи = 0: 2ПС202А-2 . типовое значение 2ПС202Б-2, 2П202Д-1, КПС202А-2, КПС202Б-2, КПС202В-2, КП202Д-1 типовое значение 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2П202Е-!, КПС202Г-2, КП202Е- ! типовое значение Напряжение отсечки при Гои =!О В, Ус —— 10 мкА: 2ПС202А-2 . типовое значение 2ПС202Б-2, 2П202Д-1, КПС202А-2, КПС202Б-2, КПС202В-2, КП202Д-! типовое значение 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2П202Е-1, КПС202Г-2, КП202Е-1 типовое значение Ток утечки затвора при Оси — — О, (Узн — — — 10 В пе более. при Т = 298 К: 2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2П202Д-!. 2П202Е-1 КПС202А-2, КПС202Б-2 . КПС202В-2, КПС202Г-2, КП202Д-1, КП202Е-1 при Т= 398 К: 2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2П202Д-1, 2П202Е-1 Емкость вхолная при 1Усн = 10 В, 6Гзи — — 0 не более типовое значение Емкость проходная при 1Уси = 1О В, 1!зн = 0 не более типовое значение 0,35 — 0,8 мА 0,65ь мА 0,35 — 1,5 мА 0,95' мА 1,! — 3,0 мА 1,9' мА 0,4 — 1,0 В 0,6* В 0,4 — 2,0 В 1,! » В 1,0 — 3,0 В 1,8* В 0,3 нА 0,6 нА 1,0 нА 300 нА 6 пФ Зе пФ 2 пФ !* ПФ Предельные знсплуатаииоиные данные -1апряжение сток-исток .

4апряженне затвор-сток 4апряжение затвор-исток . 3осгоянная рассеиваемая мощность (в составе условной микросхемы) каждого из пары транзисторов: 2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2: при Т= 2!3+ 328 К при Т= 398 К 2П202Д-!, 2П202Е-1: при Т= 2!3+ 328 К при Т= 398 К КПС202А-2, КПС202Б-2, КПС202В-2, КПС202Г-2, при Т = 233 †' 343 К 12 !5 В 20 В 0,5 В 30 мВт 7 мВт 60 мВт 14 мВт 60 мВт КП202Д-1, КП202Е-1 при Т= 233 + 358 К, Температура окружающей срелы; 2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2П202Д-1, 2П202Е-1 . 60 мВт От 213 до 398 К От 233 до 343 К От 233 до 358 К КПС202А-2, КПС202Б-2, КПС202В-2, КПС202Г-2 КП202Д-(, КП202Е-1 г,д г,о 1,8 ж (г ~ оо го 1 6 л 10 о,л О -О,У-Ог-п,г-О9-0,5Озл,в О -Од-ОВ-ог-),г-г,ООзл,о Зависимость ЭДС шума от на- пряжения затвор-нсэок. Зависимость крутизны характеристики от напряжения затвор- исток.

П р и меч а н не. При монтаже транзисторов в гибридную микросхему не допускается использование материалов, вступающих в химическое н электрохимическое взаимолействие с защитным покрытием, а также должны быть приняты меры, исключающие возможность соприкосновения выводов с кристаллом (минимальное расстояние от места изгиба выводов до кристалла 1 мм, радиус закругления не менее 0,5 мм). Тепловое сопротивление кристалл-корпус прн монтаже в ~ норидную микросхему сдвоенного транзистора должно быть не более 3 К/мВт, одиночного — не более 1,5 К/мйт. При пайке (сварке) выводов (на расстоянии ие менее 1 мм) и при заливке транзисторов компаунламн нагрев кристалла не должен превышать Т = 398 К. При извлечении транзисторов из соправолительной тары (после отсоединения выволов от тары) и при монтаже транэгюторов в микросхему должны применяться приспособления, не вызывающие повреждения кристалла и его защитного покрытия.

о,о д,О 8,0 н.г,о '- о '. г,о з у,о -г,о о уи гдд гуг зуд дбд т, г -д,О Зависимость разности напряжения затвор-исток, приведенной к значению при Т = 303 К, от температуры. ~висимость крутизны характеристики от температуры. КПС315А, КПС315Б Подложка Сто йсж КПСЗ 1д Электрические параметры 60 МГп 2,8 мА/В гксимальная рабочая частота зутизна характеристики при 11сн = 5 В, 1Гзн = 0 КПС315А не менее Транзисторы кремниевые эпизакснально-планарные нолевые с ~теорем на основе р-л перехода каналом л-типа сдвоенные. Предназначены для применения во входных каскадах дифференгальных усичителей низкой частоты и постоянного тока с высоким ,олным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводамн.

бозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 1,5 г. КПСЗ!5Б 1 — 5 мА/В разность напряжений затвор-ноток при Бсн = 5 В, /с = = 0,3 мА не более: при Т= 298 К при Т= 373 К при Т= 213 К Температурный уход разности напряжений затвор-веток при !/сн — — 5 В, /с = 0,3 мА не более Начальный ток стока пря Усн — — !О В, !/зн = О, Напряжение отсечки при !!си = 5 В, тс = ! О мкА: КПСЗ! 5А КПС315Б Ток утечки затвора при !/си = О, !/зн = — 5 В не более: прн Т=298 К КПСЗ! 5А КПСЗ!5Б при Т= 373 К КПСЗ!5А, КПСЗ!5Б Отношение начальных токов стока при !/сн = 10 В, !/зн = 0 не менее Отношение згиченнй крутизны характеристики при !/си = = 10 В, Пзн = 0 ие менее Емкость входная при !/сн = 10 В, !/зи = 0 не бо- лее 30 мВ 32,25 мВ 32,55 мВ 30 мкВ/К 1- 20 мА 1,0 — 5,0 В 0,4 — 2,0 В 0,25 нА 1,0 нА 100 нА 0,9 0,9 8 пФ Предельные зксплуатапиениые данные Напряженно сток-исток .

Напряжение затвор-сток. Напряжение затвор-исток . Напряжение сток-подложка прн напряжении затвор- подложка, равном нулю Прямой ток затвора каждого транзистора Постоянная рассеиваемая мощность обоих транзисторов при Т = 2!3 + 298 К . Температура окружающей среды . 25 В 30 В 30 В 30 В 1 мА 300 мВт От 213 до 373 К Рмаъс — 300 2,6 (Т вЂ” 298), При меч а н не. При Т= 298+ 373 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитываетсв по формуле Х,О 3,'О г,5 г,о ~ 1,5 1,0 О 1 г я ч 5о„„,,в |ависимость крутизны характе1истики от напряжения затвор- исток.

Зависимость крутизны характеристики от напряжения исток- подложка. Оь~ 1Я ~зи ~иль ~ а -0,5-1,0-1,5-г,о-г,5о,„,н Зависимость выходной проводимости от напряжения затвор- исток, 1висимость крутизны характеюстики от напряжения затвор- исток. 10,0 л ~~ 5,'0 ;0,5 Зона изменения зависимости начального тока стока от крутизны характеристики. висимость отношения тока ока к крутизне характеристики )т напряжения затвор-исток. г,о с 15 л 1го -0,5 -1 -1,5-г -г,5ози,В -1,0 -г,о Узи,В г,о г,о ч,ог, ~/В Стр Стр Тип прибора ГТ308 ГТ309 ГТ310 ГТ311 ГТ313 ГТ320 ГТ321 ГТ322 ГТ328 ГТ329 ГТЗЗО ГТ338 ГТ341 ГТ346 ГТ362 ГТ 383-2 ГТ402 ГТ403 ГТ404 ГТ405 ГТ612-2 ГТ701 ГТ703 ГТ705 ГТ806 ГТ810 ГТ905 ГТ906 ГТС609 К1НТ251 К1НТ661 КП101 КП103 КП201 КП202 КП301 КПЗО2 КПЗОЗ КП304 КПЗО5 КПЗОб КП307 КП308 КП310 КП312 249 252 254 315 418 254 260 264 425 333 335 266 343 432 328 370 152 155 64 158 407 538 542 465 544 548 957 620 802 760 784 808 810 817 890 821 824 849 833 836 841 844 849 851 854 Тип прибора КП313 КП314 КП350 КП901 КП902 КП903 КП904 КП905 КП907 КПС104 КПС202 КПС315 КТ104 КТ117 КТ118 КТ119 КТ120 КТ127 КТ201 КТ202 КТ203 КТ206 КТ207 КТ208 КТ209 КТ210 КТ211-1 КТ214-1 КТ215 КТЗО1 КТ302 КТ306 КТ 307-1 КТ312 КТЗ14 КТ315 КТ316 КТ317-1 КТ318-1 КТ324 КТ325 КТ326 КТ 331-1 КТЗЗ2-1 КТЗЗЗ-1 ПРодо ~жение 858 861 862 866 869 874 878 880 884 887 890 894 113 123 125 129 131 51 55 135 137 57 140 141 144 147 148 150 58 168 61 309 312 169 173 175 321 178 324 327 330 420 338 341 181 Полупроводниковые приборы: Транзисторы.

П53 Справочник/В. Л. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев и др. Под общ. ред, Н. Н. Горюнова.— 2-е изд., перераб.— М.: Энергоатомиздат, 1985.— 904 с., ил. В пер.: 3 р. 20 к. 200000 экз. Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные данные и другие характеристики транзисторов широкого применения. По сравнению с изданием 1983 г, внесены изменения, связанные с корректировкой старых и введением новых стандартов и технических условий, уточнением некоторых параметров и конструкций нриборов Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппарагуры. 2 ОЗОООООО 242 651(О1)-85 ББК 32.852 6ФО.32 ВАДИМ ЛЬВОВИЧ АРОНОВ АЛЬБЕРТ ВАЛЕНТИНОВИЧ БАЮКОВ АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ ЗАЙЦЕВ 1ОРИЙ АРОНОВИЧ КАМЕНЕЦКИЙ АЛЬБЕРТ ИЗРАИЛЕВИЧ МИРКИН ВЯЧЕСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ МОКРЯКОВ ВЛАДИМИР МАТВЕЕВИЧ ПЕТУХОВ АРКАДИЙ КВИНТИЛИАНОВИЧ ХРУЛЕВ АРКАДИЙ ПЕТРОВИЧ ШИБАНОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ: Транзисторы Редактор издательства А.

Н. Гуся цкая Художественный редактор Т. А Д в о р е ц к о в а Технические редакторы А. С. Да вы лов а, Г. Г. Самсонова, А. Г. Рябкина Корректоры И. А Володяева, Г. А. Полонская ИБ 264 1383 Сдано в набор 25 04 84 Подписано в печать 2009 84 Т-19536 Формат 84 « !08Чг„Бумага хн -журн Гарнитура тайма Печать высокая Уел псч л 47,46 Усл «р -отт 47,46 Уч -изд л 57,11 Т иран 200000 экз Заказ !042 Цена 3 р 20 к Энсргоатомиздат, 113114, Москва, Шлюзовая наб, 10 Ордсна Октябрьакай Революции, ордена Трудового Красного Знамени Ленинградское производственно-тсхническос объединение «Печатный Двор» имени А М Горького Союзполиграфпрома при Гасударственном комитете СССР по делам издательств, полиграфии и книжной торговли, 197136, Ленинград, П-136, Чкаловский пр, 15 .