sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами), страница 10

Ичпэ тьсный таь коллеыара прн т„с 1 мкс, Д > 10 . Постоянная рассеиваемая мощность при Тс 293 К прн Т= 373 К 80 В 120 В 3 В 30 мА !20 мА 250 мВт 150 мВт 62 прн Т= 393 К при Т= 398 К Температура перехода Общее тептовое сопротивление при Т С 373 К . при Т В 373 К . Температура окружающей среды . 100 мВт 87,5 мВт 423 К 0,8 К/чВт 0,4 К/мВт От 213 до 398 К п11з 100 тх,нЯ 1,0 во О,В О,в а,г 0 о,г 09 о,в а,в 1,0 1,го„,в О га 90 Ва Т„,нд Входные характеристики Зависичость коэффициента передачи тока от тока котлектора вгн 100 Ва бо 90 га 0 г73 г93 313 333 353371 Т,х Зависимость коэффициента передачи тока от температуры 9 О г 9 В В 107„мд Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера 63 При метание Пайка выводов допускается на рассзоянии не менее 5 чч от хариуса транзистора Пайку производить паятьиикоч при Т с 533 К в течение не ботев 1О с Необходпчо осуществзять тепзоотвод между корпусом и местом пайки Иззиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса, при этом лозаны быль приняты меры предосторожности, обеспечиваюшие неподвижность вывода между изгибом и стектянныч изозятороч, ыобы не произошто нарушения сная выводов со стектянныч изозятороч, ведущего к потере герметичности транзи- стора бг уг и„,б С„,ли ус ч б аьг,бч Зависимое гь емкости коллектор- ного перехода от напряжения коллектор-база Завнсичость относительного максичачьно допустичого на пряжения коллектор-эчиттер ог сопротивления база-эмгзттер ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г Транзисторы герчаниевые сплавные л-р-л усичитечьные низко частотные маломощные Прелназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты Выпускаются в метачлостекляниом корпусе с гибкими выводама в двух вариантах Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора вариант ! — не более 5 г, вариант 2— не бочее 2 г Вариант з Вариант 2 1 Бага А'еллектии Эмиттер Электрические параметры Статический коэффициент перелачи тока в схеме с общим эмиттером при !)кв = 1 В, )э = 3 мА ГТ404А, ГТ404В .

ГТ404Б, ГТ404Г . Коэффициент линейности К, = !6з,э при )э = 3 мА)Я)гз,э при )э = 300 мА) . Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с обшгг" 1 эмиттером при с)кв = 1 В, зэ — 3 мА не менее . Прямое падение напряжения на эмнттсрном переходе при откчюченном коллекторе, )э = 2 лтА не более . Обратный ток коллектора при !)кв = 10 В, обратный гок эмнттера при 1/вэ = 10 В не более . 30-80 60-150 0,6-1,5 1 МГц 0,3 В 25 мкА Предельные эксплуатационные лаииые Постоянное напра,ьение козлектор.эмиттер лри йвэ = =200 Ом ГТ404А, ГТ404Б . ГТ404В, ГТ404Г, Постоянный ток коллектора Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = =298 К вариант 1 вариант 2 Температура перехода Тепловое сопротивление переход-среда вариант 1 вариант 2 Температура окружающей среды 25 В 40 В 0,5 А 0,6 Вт 0,3 Вт 358 К 0,1 К/мВт 0,15 К/мВт От 233 до 328 К 1 к санс = Р 58 Т)) )) г и-с 2 Допускается прои зволи ть соели пения выводов транзисторов с элементами схемы на рассто янии не менее 5 мм от корпуса транзистора любым способом (пайка, сварка и т п ) при условии соблюдения слелуюгцнх требовании за все время соелинения темпеРатура в любой точке корпуса транзистора не должна превышать максимально допустимую температуру окружающей срелы Температура пайки не должна превышать 558 К Изгиб выволов лолжен производиться на расстоянии не менее мм от корпуса транзистора При включении транзистора в электрическую цепь вывод коллектора должен присоединиться послелцим и отключатьса первым Поаэнровопннновы* проб ры 65 Примечания 1 Малсимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, прп Т= 298 + 328 К определяется по формуле аетэ оо Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры.

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от температуры. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмнттера. О 1ОО ООО УОО ЧООТэ,ил КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е Транзггсторы кремниевые эпптаксиально-планарные л-р-н универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены дчя работы в усилителях НЧ, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не бодее О,З г, 04о во оо —, чо ~ го а1О в Ф ч 1 ооой ЛЗ ЗЗЗ ЗОЗТ,Я -„1г 1 гч Иа,в о,ч О1З ОУЗ гОЗ ЗЛ ЗУЗТК Электрические параметры 1раничное напряжение при уэ = 1О мА, тя к 30 мкс, скважности ж 100 не менее КТ50ЗА, КТ50ЗБ . КТ503В, КТ503Г . КТ503Д КТ50ЗЕ Иапряженне насыщения коллектор-эмиз тер при /и = 1О мА, ув = 1 мА не более типовое значение Иапряжение насыщения база-эмиттер при 2 = ГО мА мА не более типовое значение Ета~ический ьоэффзщиент передачи тока в скеме с общим эмиттером при Укэ = 5 В.

уэ = 1О мА КТ503А, КТ50ЗВ, КТ503Д, КТ503Е . КТ5ОЗБ, КТ50ЗГ . Граничная часто~а коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при 2ткэ — — 5 В, Тэ = 3 мА не менее . Емкость «оллекторного перехода при Пкв = 5 В, У'= = 465 ьГн не более ОбРатный ток коллектоРа пРи Укк = тткв „,„, не более. 25 В 40 В 60 В 80 В 0,6 В 0,2 * В 1,2 В 0,8* В 40 — 120 80-240 5 МГп 20 пф 1 мкА Прелельные эксплуатанио»иые данные Постоянное напряжение коллектор-база КТ503А, КТ503Б КТ50ЗВ, КТ50ЗГ КТ503Д КТ503Е Постоянное напряжение база-эмиттер Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора при т» с 1О мкс, й В 1ОО Постоянный ток базы Постояшия рассеиваемая мощность коллектора при Г= 233 — 298 К Температура перехода Температура окружающей среды 40 В 60 В 80 В 100 В 5 В 0,15 А 0,35 А О,1 А 0,35 Вт 398 К От 233 ло 358 К 67 П р и м е ч а н и е Пайку выводов разрешается производить на Расстоянии пе менее 5 мм от корпуса При пайке жало паяльника должно быть заземлено Разрешается производить пайку путем погРужения выводов не более чем на 3 с в расплавленный припой с температурой не выше 523 К Изгиб выводов допускается производить на расстоянии ие менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус Изгиб в плоскости выводов не допускается 0,5 025 а,г 0 1 2 О 0010 20 Оагя,мд а 255 275 515 555 5057,К Зависимость напряжения насыщения кол тектор-зчиттер от тока колзектора Зависимость максимально допустимой постоянной мощности рассеивания коллектора от тем- пературы 005 Эго ыо 00 по во то Зависимость статического коэф фициен га передачи тока от тока эмиттера Т1А, Т1Б, Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К, ТЗА, ТЗБ Транзггсторы германиевые диффузионно-сплавные р-я-р универсальные низкочастотные маломощные Предназначены лта применения в усилительных, импульсных и переключающих каскадах низкой частоты в составе гибридных интегральных микросхем залитой коиструкпии Выпускаются в металлостеллянном корпусе с гибкими выводами Обозначегше типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 0,25 г 68 "'.

0,5 Еа,г 0,1 чз 0„75 „, 0,7 0,05 а,б 1 2 О 0010 20 Оаг„,мд Зависимость напряжения насыщения база-змиттер от тока кол- лектора еэ. 0,15 01 0,05 го ожога,хтооге о оуи ооо ого,гавоаг г 4 огогововогоогоачоо 12,85 Янаячяер вата Кяялеямар Электрические параметры Прелельная частота коэффициента передачи тока прн !ткк = 5 В, Зк = 1 мА не менее Т!А, Т2А Т!Б, Т2Б . Т2В Т2К ТЗА, ТЗБ Постоянная времени цепи обратной связи прп 1/кк = = 5 В, 7э = 1 мА, /= 4б5 ьГц не более . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ска = 1 В, /к = 10 мА при Т= 298 К Т!А, Т2А . Т!Б, Т2Б . Т2В . ТЗА.

ТЗБ . при Т= 213 К 3,0 МГц 2,0 МГц 70 МГц 4,0 МГп 1,0 МГц 3000 пс 0,5 В 0,8 В 0,5 В 20-50 40-150 20-150 10-40 30- 150 От 1 ло 0,5 значения при Т= 298 К при Г = 343 К не более..... ° ° ° ° ° 2 значенив прнТ = 298К Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Зк = = 20 мА не более п1эн !а = 2 МА Т1А, Т!Б, Т2А, Т2Б, Т2В......... 0,2 В ТЗБ........,......... 0,4 В при тк— - 4 мА ТЗА............ 0,2 В Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 20 мА не более при тв — — 2 мА Т1А, Т1Б, Т2А, Т2Б, Т2В ТЗБ .

при Зв = 4 мА ТЗА Плавающее напряжение эмиттер-база при !/кв = 10 В Т1А, ТЗБ, прн Укв = 20 В Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К, при 17кв = 30 В ТЗА, ТЗБ не более........ О,З В Остаточное напряжение нри прямом смегненни лекторного перехола прн 1ь = 7,5 мА Т2К не лес. Сопротивление насьппенпя огкрьпого транзистора /я = 6 мА, 1ь = 7,5 мА Т2К не бочее Время рассасывания при 1/кь = 1О В, 1ь = 0,5 мА, = 1О мА не более . Обрапзый ток коллектора не более при Т = 298 К.