sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами), страница 9

2Т20)В, КТ20)В, 2Т201Г, КТ201 Г, 2Т20)Д, КТ201Д. Постоянный ток коллектора; 2Т20)А, 2Т20)Б, 2Т20)В, 2Т20)Г, 2Т20)Д . КТ20)А, КТ20)Б, КТ20)В, КТ20)Г, КТ20)Д Импучьсный ток коллектора при О 3- )О: при т» < 10 мс 2Т20)А, 2Т201Б, 2Т20)В, 2Т20! Г, 2Т20)Д при т„к 100 мкс КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ20! Г, КТ201Д Постоянная рассеиваемая мощность: 2Т201А, 2Т20)Б, 2Т20)В, 2Т20! Г, 2Т20)Д: при Т= 213+ 348 К, р В 6650 Па при Т= 213 + 348 К, р = 665 Па при Т= 398 К .

КТ20)А, КТ201Б, КТ20)В, КТ20)Г, КТ20)Д: при Т= 2!3+363 К прн Т= 398 К Общее тепловое сопротивление 2Т20)А, 2Т20)Б, 2Т201В, 2Т20)Г, 2Т201Д . Температура перехода КТ20!А, КТ20)Б, КТ201 В, КТ20)Г, КТ201Д . Температура окружающей среды 2 мкСм 0,5' лгкСл~ 3 10 4 10»* 20 пФ 9» пФ 6* нГн 20 В 10 В 20 В 1О В 20 В !О В 20 мА 30 мА 100 мА 100 чА 150 мВт 100 л»Вт 60 чВт 150 мВт 60 чВт 556 К/Вз 423 К От 213 до 398 К 1г 1,50 1,г5 П Ч В 1г 1В гпг,,мд Зависимость относительного статического коэффициента пер дачи тока в схеме с общим эми1гером от тока коллектора 3,0 г,п Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмщтером от температуры 0,5 0 г13 гчг гуг вов лг звю т, к 2Т205А-З, 2Т205Б-3 Транзисторы кремниевые пзанарные л-р-л маломощные. Предназначены для работы в усичитечьных и импульсных микромолулях н блоках герметизированной аппаратуры бескорпусные.

без кристаллодержателя, с контактными площад"ями лля монтажа в аппаратуру Обозначение типа приволится на групповой таре Масса транзистора не более 0,003 г Электрические параметры Раничная часгота при ттка = !О В, 1э = 2,5 мл не менее Стащч тическии коэффндиенг передачи тока в схеме с общим эмиттеРом пРи кГкк = 1О В* уэ = 2,5 мл при Т= 298 К прн Т= 213 К при Т= 398 К 20 МГц 1Π— 40 5 — 40 1Π— 100 55 100 =паап п,гв в ч "ч о ч в 1г рв гпи„,в Зависимость относительного статического коэффициента перелачи тока в схеме с общим эмиттером от напряжения кол- лектор-база .г,п 1,5 о 1,0 квкяектвр лгаттер вллвлтвр е какпгакгпа ийте 2 В 1 В 0,5 В 1 мкс 10 пФ 25 пФ 3 мкА 2 мкА 3 мкА 3 мкА 1О мкА 10 мкА 3 мкА 250 В 250 В 200 В 3 В 20 мА 45 мА Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 1к = 5 мА, вк = 2 мА пе более Напряжение насыщения база-змиттер при вк = 5 мА, з'ь = 2 мА не более Постоянное напряжензге эмиттер-база при 2э = 0,05 мА не менее Время рассасывания при вк = 5 мА, вк = 2 мА не более Емкость коллекторного перехода при 1/ка = 10 В не более Емкость эмиттерного перехода при 1тэь = 2 В ие более Обратный ток коллектор-эмиттер при Яэк к3 кОч не более: при Т= 298 К: 2Т205А-3 при Укэ = 250 В ° 2Т205Б-3 прв !Укэ = 200 В ° при 7=213 К: 2Т205А-3 при Укэ = 250 В 2Т205Б-3 прн 1ткэ = 200 В ° при Т= 398 К: 2Т205А-3 при Укэ = 250 В ° 2Т205Б-3 прп 1ткэ = 200 В .

Обратный ток эмиттера при 1тэа = 3 В не более . Пределы~ые экспдуатаняоииые ланные Постоянное напряжение коллектор-база Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Рэа и к3 кОм: 2Т205А-3 . 2Т205Б-3 . Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Илгпульсиый ток коллектора прн тв к!О мс, тв к 1 мкс, Дл10 иная рассеиваемая мощность при Т и 363 К...

40 мВт ная рассеиваемая мощность при тя к 10 мс, мкс, Д Л 1О Ти 363 К ° °....... 160 мВт тура перехода..........., . 408 К Течперату згура окружающей среды,........ От 213 Темпепа до 398 К д р и м е ч а и и е. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мо пгность коллектора, мВт, при Т= 363+ 398 К определяется по формуле Рк„,м= (408- Т)11,1.

Сх,лф Лггэ г5 тг га 15 10 0 5 10 Хэ и,4 0 40 00 и„в,в аа,лс' Зависимость статического коэффициента передачи тока в схеме с обзпим эчиттером от тока эмиттера Зависимость емкости коллекгорного перехода от напряжения коллектор-база. Зона возможных положений зависимости ечкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база. 0 1 г 3 4 50350 0,8 а,у КТ206Аэ КТ206Б Транзисторы кремниевые эпигаксиатьно-пданарные и-Р-и маломощные уииверсачьиые. Предназначены для работы в усилительных и импульсных микрочолуяях и блоках в герчетпзированной аппаратур~ Бескорпусные, без кристаллодеркхтеля, гибким еля, с защитныч покрытием, с кими выводамн.

Обозначение кипа приво р водится на групповой паре. Масса транзистора не более 0,002 г. адлеяпгор Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при !<кв —— 2 В !к = 5 мА не менее . Статический коэффициент передачи тока н схеме с общим эмиттером при !<кк = 1 В, Тк = 5 мА КТ206А КТ206Б Обратный ток коллектора не ботев КТ206А при !<кк = 20 В КТ206Б при Пх<, = 12 В Обратный ток эмиттера не более КТ206А при бэв = 20 В . КТ206Б при Оэь = 12 В Емкость колчекторното перехода при !7кв = 5 В, 7'= = 10 МГц не более 10 МГ< 30-90 70-210 1 мкА 1 мкА ! мкА ! мкА 20 пФ Предетьиые экспл>атациоиные ланиые Постоянное напра кение коллектор-база КТ206А КТ206Б Постоянное напряжение коллектор-змиттер при йяэ и ц> кОм КТ206А КТ206Б Постояв«ое напряжение эмиттер-база КТ206А КТ206Б Постоянный ток коччектора . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= 213 — 328 К при У'= 358 К Температура перехода Температура окр>жающей среды 20 В 12 В 20 В 17 В 20 В 12 В 20 мА 15 мВт 5 мВт 373 К От 213 до 358 К КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1> КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1 Транзисторы кремниевые эпитакснально-птанарные л-р-л >ипвер сальные маломощные Предназначены д<я нспозьзования в ключевых и лцнеиньп тибридиых схемах, микромод>зях, >злах н блоках радпоэчектро" ной герметизированцой аппарат>ры Б -корпусные, без кристаллатсзя, с гябличи вывода.

зодерьат зашит иыч покрытием пц с Обоэпвч ячение типа прив воэвр ратной таре 34 оса транзистора осэ упа чной тары не более 0,01 г ковачно" Электрические параметры КоэОФициеит пеРедачн тока в Режиме мачого сигнала при бглв=5 В, 1э=10 чА КТ215А-1 не менее .

КТ215Б-| КТ215В-!, КТ215Г.1 . при !1кв=! В, 13 = 40 чкА не менее КТ215Д-1 КТ215Е-1 Напряаение насыщения лозтектор-эчиттерпри 1к = 10ллА, 1ь = 1 чА КТ215Д-1, КТ215Е-1 не ботве . Напряжение насыщения база-эчиттер прц 1к = 1О мА, 1к = 1 чА КТ215Д-1, КТ215Е-1 ие боэее . Напряжение насыщения колчектор-эчиттер при 1в = 1 мА, 1з = 0 КТ215Д-1. КТ215Е-1 . Входное сопротивзение в схеме с общим эчиттером в режиме чалого сигнача при !/кэ = 5 В, 1к = 2 мА, 1'= 800 Гц . типовое значение . Емкость эчиттериого перехода при 11эк = 0,5 В, 1 = = 500 кГц .

типовое значение Емкость лоляекторного перехода при 11кв = 10 В, Т= = 500 кГц . типовое значение . Об а Р тный ток кочлектор-эчиттер при Явэ = 10 кОм, !1кэ = 30 В, Т = 358 К це более 20 30 — 90 40-120 80 40 О,б В 12 В 0,3 — 2,5 В 1,2 — 10 кОм 1,5' кОч 9,6-100 пФ 40" пф 9.5 — 50 пФ 12" пФ 100 мА Предельные эксп.зуатационные данные Постоянное напряжение козлектор.эмиттер КТ215А-1, КТ215Б-1 КТ215 В-1 КТ215Г-1 КТ215Д-1 КТ215Е-1 80 В бО В 40 В ЗО В 20 В Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора при тч < 1О мс, Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мошность коллектора при Т= 308 К при Т= 358 К Температура перехода Тепловое сопротивление перехол-кристалл . Температ>ра окружаюшей среды 5 В 50 мА Ь> И 100 100 мА 20 мА Доп>стимая температура пайки транзисторов в ные схемы не лолжна превышать 432 К в 30 с "гтэ 000 ээгтэ г00 210 150 100 70 50 0 ггв 273 510 т,г Зависимость статического козф.

фициента передачи тока от тем. пературы БщэДБ 10 КидБ го 10 э 10г 10э й„к0м Зависимость коэффициента шн ма от выходного сопротивлеая" генератора. 0 001 01 1 102г,мД Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера 10-г 10-э 10г г мД Зависимость коэффициента шу- ма от тока эмиттера. 50 мВт 20 мВт 398 К .01К1,в От 233 до 358 К гнбрид- эечение КТ302А за нимтер ялеятор Ззэектричесяие параметры Коэффициент шума прн Пкэ = ! В, тэ = О,! мА, =! ьуц не более..........., ..

7лБ Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала пря Пкэ = ! В lэ = О,! ! мА......... !10-250 Обратный ток коллектора при Пкь = !5 В не более... ! мкА Обратный ток эмиттера при !Зэк = 4 В не более... ! мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при 33эь = = 0,1 кОм Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Постоянная рассеиваемая мошность коллектора при Т= 323 К Температура окружающей спелы !5 В !5 В 4 В !О мА !00 мВт От 228 до 358 К П307, П307В, П308, П309 Транзисторы кремниевые планарные я-р-и переключательные назк зкочастотиые маломощные.

Прелназначены для применения в схемах переключения и преобователей постоянного напряжения. Разова Вып Обозная ыпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выволалш. наченне типа приводится на корпусе. Масса транзистора ие более 2 г. 61 Транзисторы кремниевые планарные и-р-и низкочастотные усилите чьны маломошные с нормированным коэффициентом шума на часто стоте ! Крц. Выпускаются в лзеталлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Об значение типа приволится на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г. 4ю2 люер Электрнческююе параметры Граничная частота коэффициента передачи тола в схеме с общим эмиттером при 17кь = 20 В, 1э = 4 мА не менее . Входное сопротивление при !/кь = 20 В, 1э = 10 мА не более . Коэффициент передачи гака в рея име малого сигнала при 1э = 10 мА, л/кь = 20 В П307, ПЗО9 . П307В. П308 Сопротивление насыщения коллектор-эчиттер при 1и —— = 15 мА, 1г; = 3 мА не более при Т= 298 К П307 ПЗ07В, П308, П309 . при Т = 398 К . Обратный ток коллектора при Пкк = !Юкк„лм не батсе . Обратный ток коллектор-эмиттер при !Юнэ = 17кэилхю Яэн и 10 кОм не более при Т= 298 К при Т= 398 К Обратный ток эмююттера при бгэа = 3 В не более при Т= 298 К при Т= 398 К 20 МГц 70 Ом 20- бО 50-150 30-90 100 Ом 130 Ом 240 Ом 3 люкА 20 мкА 200 люкА 5 мкА !5 мкА Предельные эксплуатациоииьюе данные Постоянное напряжение коллектор-база н каллекторэмиттер при 2!эк и 1О кОм П 307, П 307 В ПЗ08, ПЗ09 Посюоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора .