Зи - Физика полупроводниковых приборов том 1 (989591), страница 22
Текст из файла (страница 22)
3., Регпс)г 1.. Биг1асе Рго1еспои апд 5е)еснче Маь)г)пд г)пг)пд РИ!ця)оп )и Яйсои, ?, Е!ес(гослет. Вос., 104, 547 ()957). 8. Ноегп! 3. А. Р)апаг ЯИсоп Тгапя!я(ог аиг) Р)одея, )КЕ Е)ес1гоп Реч)сея Мее1., ЪЧаьЬ)пд1оп, Р. С., 1960. 9, ТЬеиегег Н. С., К)е!гиас1с 3. 3,, 1.оаг Н. Н., СЬг)я)епяоп Н. Ер)1ах)а! РИ!ияег) Тгапя)я(огь, Ргос. !КЕ, 48, 1642 (!960). 10. Гог а геч)еь, яее, 1ог ехагпр!е, Р!сваг К.
А. 1оп )гир)ап1а1)оп )и 5)исопРйуь)ся, Ргосеья)пд апг) М)сгое)ес)гоп)с Реч)сея, )и К. ФоИе, ед., Арриег) 5оЙЫ Яа1е 5с)енсе, Ъ'о1. 5, Асаг)ение, И. 'г'., )975. 11. Саьеу Н. С., Зг., Рап!ьЬ М. В. Не1егоь(гас(иге 1.аяегя, Асаг)ение, И. У., )978. 12. СЬо Л. У. Кесеп1 Рече)орден)я )п Мо!еси!аг Веагп Ерпаху, 7. Гас.
Зс(. ТегЬпоп, 16, 275 (1979). 13. Веап 3. С. Огогч)Ь о1 Рорег) Япсоп 1.аусгя Ьу Мо)еси1аг Веагп Ер))аху, )п: Г. Г. г'. )Чапу, Ед., !п~риг)1у Рор)пд Ргосеяяея )п Янсон, Иог1Ь-Но)!апг), Лгпя(егг)аги, 1981. 14. А)аПа М. М. 5еги)сонг)ис1ог 5иг)асея аиг) Гигия; 1Ье Янсон — Яисоп Р)- ох)с)е 5уя)еги, )п Оа1оя Н., Ег). Ргорегпея о) Е!егиеп1а) апд Согпроигп3 5еги)- соидис1огя, Чо). 5, !и(егяс)енсе, И. У., 1960, рр. 163 — 18!. 15, Реа! В, Е., Огоче А. 5, Оепега! Ке)а()опя)йр 1ог )Ье ТЬеггпа1 ОхЫа1)оп о) 5И)соп,,?.
Лррп Р7(уя., 36, 37?О ()965). 16. Ме)псп 3. Р„Ропоп К. %., Багаячча! К. С., Р!ипипег 3. Р., Капп)ия Т. 1., Реа) В. Е. Япсоп Ер)1аху апг) Ох)г)а1)оп, )и Г. чап г)е %)е)е, %. 1.. Епд!, Р. О. Зеярегя, Едь., Ргосеяя апг) Реч)се Модеипд 1ог )и1е8га(ег) С)гси)! Рея)ап, ИоогдЬоИ, 1.еудеп, 197?. 17. Гог а депега! ге!егеисе, ьее Н. 5.
Сагя!аю, 3. С. 3аецег. Сонг)ис()оп Неа1 )и 5оИя, 2пд ед., Ох!ого 1)и)чегя)1у Ргеья, 1.оиг)оп, !959. 18. Га!г К. В. Сопсеп1гапоп Ргоп)ея о! РИ(ияег) Рорап(я )п 5!Исои, )и: Г. Г. г'. Фанд, Ег), )гириг)1у Рор)пд Ргосеяяея )и 5рисо, Иог(Ь-Но!1апг), Лгпя)егг)аги, 1981. 19. Вигдег й. М., Ропочап К. Р., Е<Ь., Гипг)агиеп1а)я о1 ЯИсоп 1п1едга1ед Реч)се ТесЬпо)оду, Чо!. 1, Ргеп1)се-На)1, Еии!еюоог) СИИя, И. 3., 1967. 20, Кепг)а)! Р. 1., РеЧг)ея Р. В. РИ(ия)оп !п ЯИсоп, )и НаЬегесЬ) й.
й., Кегп Е. 1., Ег)я., 8еги!сопдис1ог ЯИсоп, Е!ес1госЬеписа! Бос)е1у., И. У., 1969, р. 358. ,4 40 Глава 2 21. ТгшпЬоге Г. А. 5о!Ы 5о!цЬ!ИИев о1 1тригИу Е!етеп(з 1п бегтап!ит апг( БИ(соп, Вей 5ув1. ТесЬ. Л., 39, 205 (!960). 22.
КЬа$Ьи!Ип 1. В. е1 а1., ч'!Х1Т! Йер. $42661 (1974). 23, Гегг!в 5. О., (.еату Н. Л., Роа1е Л. М., Ебя (.авег — 5о!Ы 1п(егасИоп апг$1.авег Ргосезз!пд, Аглепсап 1пз1$1ц1е о1 РЬуясз, Ь$, У., 1979. 24. Еее Т. Р., Яке 5. М. Оер1еИоп Еауег СарасИапсе о1 СуИпг)г(са! апд 5рЬег!са! р — п Л ипсИолв, 5о11г(51а1е Е1ес1гоп., !О, 1!05 (1967), 25.
5ге Б. 'М., О)ЬЬопз О. ЕИес1 о1 ЛцпсИоп Сцгча(цге оп ВгеаИожп ЧоИа8ез 1п 5ет(сопг)ис1огз, 5о11г(51аге Е1ес1гоп., 9, 831 (1066). 26. Саге!1 О. 6. В„Вга11а(п %. Н. РЬуяса! ТЬеогу о1 5ет(сопг)ис1ог 5иг1асез, Р)гув. Кец., 99, 376 (1955); К$Ие! С„Кгоетег Н., ТЬеггпа! РЬуясз, 2пд ед., Ггеетал %. Н. апг$ Со„5ап Ггапс)зсо, 1980. 27; Кес)1(е1д О.
Кеч)зес) Мог)е1 о1 Лзупипе(г!с р — п ЛипсИопз, Арр1. Р)гуь, Ле11., 35, 182 (1979). 28. ЛоЬпзоп %, С., Рапоияз Р. Т. ТЬе 1пИиепсе о1 ОеЬуе (.епд(Ь оп ЬЬе С вЂ” ч' Меазцгетеп1 о1 Оор)пд РгоИ!ев, 1ЕЕЕ Тгапз. Е1ес1гоп, Оец(сез, ЕД-18, 965 (1971).
29. СЬаьч!а В. К., Оитте1 Н. К. ТгапяИоп Кеа!оп СарасИапсе о1 ОИ(изег$ р — и ЛипсИопз, ЛЕЕЕ Тгапь. Е1ес1топ Оец1сев, ЕД-!8, 178 (!971), 30, бцтте1 Н. К. Но)е — Е1ес(гоп Ргог(цс! о1 р — п ЛцпсИопв, 5а116 51а1е Е(ес1гоп, 1О, 209 (1967). 31. Гог а депега1 г$$всизз$оп, зее МоП Л. 1.. РЬуясз о1 Бет!сопг(ис1огв, Мсбгачч. НИ1, Ь$. У„ 1964.
32. 51ги!1 М. Л. О. 5ет!сопг)ис1ог Оеч!сев, Чо). 1, 3ет!сопдцс1ог апг$3ет1- сопг(цс!ог О1ог)ез, Асадет(с, Ь$. г'., 1966, СЬар, 2. 33, 5сЬ(И 1.. Л. Яцап(цт МесЬап)св, 2пд ег$,, Мсбгаъ'НИ1, Ь$. У. 1955, 34. 1.цпг)Ье~д Р. Л., рПча1е согппшп(саИоп. 35, 5хе Б. М., 6$ЬЬопв б. Ача!апсЬе ВгеаИоччп ЧоИадез о1 АЬгир1 ап$$ $.1- пеаг!у бгаг(ег$ р — п ЛцпсИолз 1п бе, 51, ОаАз, апг$ баР, Арр1.
РЬуь. Л.е11„ 8, 1! 1 (1966). 36. Юагпег К. М„Лг., Лча!апсЬе ВгеаИощп 1п Я11соп О!11изег$ ЛипсИопз, 5о11г( 51аге Е1ес1топ., 15, 1ЗОЗ (1972). 37. (.ее М. Н., 5ке Я. М. Ог(еп1аИол Оерепдепсе о1 ВгеаИоччп ЧоИаде 1п ОаАз, 8о!$г$51а1е Е1ес1гоп., 23, 1007 (1980). 38. ЪЧа!оЬацзег Г., рПча1е сопипцп$саИоп, 39. О!гап6Ь$5.
К. 5ет!сопг)цс1ог Роьчег Оеч)сев, %Иеу, Ь$, У., 1977. 40. Сго~чеИ С. К., Бае Б. М. Тетрега(иге Оерепйепсе, о1 Ача1апсЬе Ми1ИрИсаИоп $п 5еписопг)ис1огв, Арр1. РЬуз. ЕеИ., 9, 242 (1966). 41. СЬал8 С. г'., СЬш 5. 5., Нзи 1.. Р. Тетрега(цге Оерепг(епсе о1 Вгеа)гбовп ЧоИаде 1п 5(Исол АЬгир1 р — и ЛилсИопв, 1ЕЕЕ Тгапь. Е1ес1гоп Реа(сеь, ЕО-!8, 391 (!971). 42. Оое1вЬегдег Л., МсОопа! В., На((г К. Н., 5саг1е! К, М. Ача!апсЬе Е1. 1ес1з $п 5$Исол р — п Лцлс1$оп. 11. 51гис1игаИу Рег(ес1 ЛипсИопз, Л.
Арр1. Рйрь., 34, 1591 (1963). 43. К!пав(оп К. Н. 5чг!1сЬ)п8 Типе 1л ЛцпсИол ОИоев апй ЛцпсИоп Тгаляз1огз, Ргос. 1КЕ, 42, 829 (1954). 44. Чап г(ег Ъе! А. Ь)о)ве $п Меазцгетеп(з, ЖИеу, 5$. У., 1976. 45. Чал г)ег 21е1 А,, СЬепеИе С. Н. Ь)о)зе 1п Яо!Ы 51а1е Оеч!сез, 1п Аг(чапсев !п Е!ес1гопкв апг$ Е1ес1гол РЬуясз, Чо1. 46, Асаг)ет!с, Ь$. У., 1978. 46. (.еч!и Л. Р. ТЬеогу о1 Чаг!з(ог Е1ес1гоп(с РгорегИев„Ст(1. Кец, 5о1Ы 51а1е 5с1., 5, 597 (!975). 47. Гог а гечАец~, зее Ь)огжоог$ М. Н„5Ьа(г Е.
ЧоИаде Чаг(аЬ)е СарасИог Тип!па — Л Кеч(ечг, Ргос. 1ЕЕЕ, 56, 788 (1968). 48. Мо!$пе К. Л., ГохЬаИ О. Г. 1оп-1тр)ап1ег$ НурегаЬгир1 ЛипсИоп УоИадв Чаг(аЫе СарасИогз, !ЕЕЕ Тгапь. Е1ес1топ Оес(сеь, ЕД-!9, 267 (1972). 49. Че!ог!с Н. Б., РПпсе М. В. Н18Ь ЧоИаде Сопг)исИч$1у-Мог)ц1а1ег$8И!соп КесИ1$ег, Ве11 5уь1. Тесй. Ло 36, 975 (1957). Плоскостные диоды 141 50.
РеН Е. М. 1оп Рг!11 1п ап и — р типо(!оп, 7, Арр1. Р(гуз., 31, 291 (1960); а1зо Мадег 3, %. СЬагас1ег(в1!св о1 р — 1 — и Липс((оп Ргойисей Ьу 1оиРг(!1 ТесЬпщиев !и Б!1!соп, 1. Арр1, РЬуз., 33, 2894 (1962). 51. ).исочвЬу б., БсЬиаг1х К. Г., Епипопв К. В. Тгапв!1-Т)гпв Сопз)йега11опз !и р — 1 — и О!ойев,,7. Арр1. РЬуз., 35, 622 (1964). --52, СЫапа У. Б., Реп!!п8ег Е. !. ).ои-Кев!в1апсв А11-Ер!1ах!а! р1п 1)1ойв'1ог ()!1га-Н!8Ь-Ргег!иепсу АррИсаВопз, КСА Иео., 38, 390 (1977). 53. НаИ К.
Х. Рожег Кес(!1!егв апй Тгапв!в(огв, Ргос. ИЕ, 40, 1512 (1952). 54. Виг1всЬег 3.,'1)аппЬаивег Р., Кгаиззе 1. КесотЫпа1!оп (п ТЬуг(з(ог апй Кес(!1!ег !п Я!!соп, $о11й Б1а1е Е!ес1гои.„18, 35 (1975). 55. БЬосЬ!еу %. 1!. Б. Ра1еп1 2569347 (195!), 56. СиЬапоч А. 1„ЕЛ. Тенй. Р1г., 21, 304 (195!); ЯЛ. ЕАзр. Теог. Р(а„21, 721 (1951). 57. Кгоегпег Н. ТЬеогу о! а %!йе.бар ЕпиНег 1ог Тгапв!з(огз, Ргос. 7КЕ, 45, 1535 (1957). 58. М!1пев А. б., ГеисЬ( П. 1.. Не(его!ипсНопв апй Ме(а) — Беги)сопйие1ог 3ипс1!опз, Асайегп~с, Х. У., !972.
59. БЬаггпа В. Ь., РигоЬН К. К. Беги!сопйис!ог Не!его!ипс11опз, Регдатоп, Еопйоп, 1974. 60. Апйегвоп К. 1.. Ехрег!гпеп(в оп бе — СаАв Не1его!ипсНопв, Бо11а Б1а1е Е1ес1 топ„5, 34! (1962). 60а. Ггепв!еу %. К„Кгоегпег Н. ТЬеогу о1 1Ье Епегду-Вапй 1.1пеир а1 ап АЬ. гир! Беписопйис1ог Не1его!иг)с1!оп, РЬув. Йео. В„16, 2642 (1977). 61, СЬапа 1.. 1.. ТЬе Сопйис!!оп Ргорег1!ез о1 бе — баЛвг ~ Р~ и — и Нв1его!ипс1!опв, Бо11й Б1а1е Е1ес1гоп,, 8, 721 (1965). 62, 1.апд Р. Ч., 1.одап К, Л. Л БеагсЬ 1ог 1п!ег1асв Яа1ез !п ап 1.РЕ баАз!А!„Са, ~ Ав Не!его!ипсИоп, Арр1, Риуь.
1.е11., 31, 683 (1977), 63. А1!уп С. 1., боввагй А. С., %Чей:папп %. Хе~ч Кес(!(у!пд Беписопйис1ог Ягис!иге Ьу Мо!еси!аг Веагп Ер!!аху, Арр1. РЬув. Ее!1., 36, 373 (1980). 64. 1)!пд1е К., Яогспег Н. 1... 6оввагй А, С., %!едпчапп %. Е!ес1гоп МоЫ- 1!Нев ш Мойи!а1!оп-Рорей Беппсопйис!ог Не!его!ипс!!оп Бирег)а(1)сев, Арр(. РЬуз.
Ее11., ЗЗ, 665 (!978). 65. СЬапд 1.. 1... ЕзаЬ! 1., Тзи К. Кезопап( Типпейпд !п Беппсопйис1ог РоиЬ!е ВагПегв, Арр1. РЬуз. 1е11. 24, 593 (!974), 66. Незв К., Мог1сос Н. БЫс!и!о Н., Ягее!пип. Хна!!че Р!11егеп1!а1 Кев( ° в1апсе !Ьгои8Ь Кеа)-Брасе Е!ес(гоп Тгапв(ег, Арр1. РЬуз. (е11., 35, 469(1979). Глава 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Биполярный транзистор т) — один из важнейших полупроводниковых приборов — был изобретен группой исследователей фирмы Ве11 1.аЬога1ог1ез в 1947 г.
Это был беспрецедентный слу. чай в электронике и в полупроводниковой электронике в частности. До 1974 г. полупроводники применялись лишь как термисторы, фотодиоды и выпрямители. В 1948 г. Бардин и Брэттен создали точечно-контактный транзистор 111. В 1949 г. Шокли опубликовал классическую работу по плоскостным диодам и транзисторам 121. С этого момента теория транзисторов продолжала интенсивно развиваться и включала такие вопросы, как поведение транзисторов на высоких частотах, при больших мощностях и в режиме переключения. Больших успехов достигла технология транзисторов, особенно в разработке сплавных транзисторов 131, транзисторов с переходами, полученных вытягиванием из расплава 141 и зонной плавкой 151, транзисторов диффузионных 161, эпитаксиальных 171, планарных 181, с балочными выводами 191, изготовленных с помощью ионной имплантации 1101, методами литографии и сухого травления 1111.
Благодаря достижениям технологии была увеличена мощность, улучшены частотные свойства и повышена надежность транзисторов. Кроме того, исследовашгя в области физики полупроводников, теории и технологии транзисторов расширили наши знания и способствовали развитию других полупроводниковых приборов. Биполярные транзисторы в настоящее время являются важнейшими компонентами в быстродействующих вычислительных машинах, в космических кораблях и спутниках, во всех современных средствах связи и в силовых установках. По физике, проектированию и применению биполярных транзисторов опубликовано много монографий: среди них учебники Филипса 1121 и Гартнера 1131, серия книг, изданных комитетом по образованию в области полупроводниковой электроники 1141, и монографии Притчарда 1151, Ганди 1161, Мюллера и Каминса [171. 3,2.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
