Зи - Физика полупроводниковых приборов том 1 (989591), страница 71
Текст из файла (страница 71)
25. Вегд!нпй С. Х. Биг(асе Б1а1ез а1 Б1еат-Оган ЯИсоп — БШсоп Р!охЫе 1п1ег(асе, !ЕЕЕ Тгапь. Е!есггоп Рею!сев, ЕР-!3, 701 (1966). 26. %соИ1ап Е. Н., Оое1хЬегдег А. ТЬе Я вЂ” ЯОь 1п(ег(асе — Е!ес1Нса1 РгорегИез аз Ре1егпнпей Ьу 1Ье М1Б Сопйис1апсе ТесЬпщие, ВвП Був!. Тесй. У., 46, 1055 (!967). 27. %ЬИе %. Н., Сг)ссЫ Л. К. СЬагас1ег!хаИоп о1 ТЫп-ОхЫе МЬ)ОБ Метогу Тгапз!я(огя, 7ЕЕЕ Тгапв.
Е!ес!гоп Рео!сез, ЕР-19, !280 (1972). 28. Реа1 В. Е„БЬ1аг М., Огоче А. Б., Бпо~ч Е. Н. СЬагас1ег)зИсз о1 Ше Биг1асе-Яа1е СЬагде (9„) о1 ТЬеггпаИу ОхЫ!хей ЯИсоп, Л. Е!вс!госйвт. Бос., 114, 266 (1967). 29. Ь)депха Л. К. ЕИес1 о1 Сгуя1а! ОНеп1аИоп о1 ОхЫаИоп Ка1ез о1 ЯИсоп !п Н18Ь Ргеязнге Яеагп, Л. Рйуь. Сйвт., 65, 2011 (1961).
30. Бпов Е. Н., Огоче А. Б., Реа1 В. Е., БаЬ С. Т. 1оп Тгапзрог1 РЬепогпепа 1п 1пзи!аИпд ГИтз, Л. Арр!. Рйув., 36, 1664 (!965).. 31. гоп Е., Ко %. Н., Кирег А, В. Бой)шп Риз1пЬиИоп 1п ТЬеппа! ОхЫе оп ЯИсоп Ьу Кай!осЬет)са! апй МОБ Апа1уяз, 7ЕЕЕ Тгапь.
Е!ес!гоп Рео!сев, ЕР-13, 276 (1966). 32. РаИоп Л. Ч., РгоЬе1с Л. Б1гнс1иге апй БогИшп М!дгаИоп 1п ЯИсоп %1гЫе Н1тз, Л. Е!ес!гогйет. Зов., 115, 865 (1968). 33. СЬепеу О, Т., ЛасоЬз К. М., КогЬ Н. %., %ф Н. Е., Явсь Л. А!ьОь — ЯОь ЙГЕТ 1п1едга1ей С)гснИв, Рарег Ыо. 2.2, 1ЕЕЕ Речйсе Мее1., %азЫпд1оп, Р.
С., Ос(. 18 — 21, 1967. 34. Бпою Е. Н., Реа1 В, Е. Ро1аг)гаИоп РЬепогпепа апй 01Ьег РгорегИез о1 РЬозрЬояИ(са1е 0!азз ГИтз оп БШсоп, Л. Е!ес!госйвт. Бос., 113, 2631 (1966). 35. СЬи Т. Ь., Бгейоп Л. К., Ьее С. Н, ТЬе Ргерага1!оп апй С вЂ” Р СЬагас1ег)з11сз о1 Я вЂ” Б!ьЫь апй Я вЂ” Б(Оь — ЯьЫ4 Ягис1нге, Зо!!й Яа!в Е!гс!гол., 10, 897 (1967). 36. Ке!хтап Р., Чап Ое!йег %. ОрИса1 ТИсЬпезз Меазигегпеп1 о1 Б!Оь — Б!дЬ(ь ГИтз оп ЯИсоп, Бо!!й Б!а!е Е!всггоп., 10, 625 (1967). 37.
%ИИатв К. РЬо1оет!яз!оп о1 Е!ес1гопз 1гот ЯИсоп 1п1о ЯИсоп Р)ох!йе, Рйув. Кео., 140, А569 (1965). 38. Реа! В. Е., Бпочч Е. Н., Меай С. А. ВагНег Епегфев !п Ме1а1 — ЯИсоп Р!ох!йе — ЯИсоп Ягнс(нгез, Л. Рйуь. Сйвт. Бо!!йв, 27, !873 (1966). 39. %егпег %. М. ТЬе %ог1с РнпсИоп РШегепсе о1 1Ье МОБ-Буз1егп МЙ А!ит!п)нт Р!е!й Р!а1ея апй Ро)усгуз1аШпе ЯИсоп Р(е1й Р!а1ез, Зо!!й Б!а!в Е!ес!гоп., 17, 769 (1974).
40. Оое(хЬегдег А. ВеЬач1ог о1 МОБ 1пчегв!оп Ьауегь а1 Ьочг Тегпрега1иге, !ЕЕЕ Тгапв. Е!ес!гоп Рео!сез, ЕР-14, 787 (1967). 41. Оое1хЬегдег А., %соШап Е. Н. Тетрега1иге Ререпйепсе о1 1пчегз)оп 1.ауег Ггеацепсу Кезропве 1п ЯИсоп, Ве!! Зув!. Тесй. Л., 46, 513 (1967). 452 Глаза 7 42.
Огояча!е! Л., Липй С. 1пИиепсе о1 1!1шп(паИоп оп М15 Сарас!1аисе 1и 1Ье Ягопц 1пчегз1оп Ке8!оп, [ЕЕЕ Тгапз. Е[ес[гоп Рео>сез, Е0-14, 777 (! 967), 43. Со!Ипя Р. К., БаЬ С. Т. ЕИес1з о1 Х-Кау 1ггасИаИоп оп 1Ье СЬагас1ег!яИся о1 МОБ Ягис(игез, АррЕ РЬуя. 1.е[[., 8, 124 (1966). 44.
Бион Е. Н., бгоче А. 5., Р11хдега1з Р. Л. ЕИес1 о1 !оп!ха!!ои Рай!а1!ои оп Ох!й1хей 5!Исоп Биг1асез апй Р1апаг Реч(сез, Ргос. [ЕЕЕ, 55, 1168 (1967). 45. Ь!!соИ!ап Е. Н., бое(хЬегдег А., Вегд!ипй С. Ы. Ача!апсЬе 1п!есИоп Сиггеп(я апй СЬагфпд РЬепогпеиа 1п ТЬеггиа! 5!Оз, Арр[. Р[>уз. Ее[!., 15, !74 (1969).. 46. оияи А., Би1исеа С. Реер-Рер!е1!оп ВгеаМо>чп Чо!!аде о! ЯОе/Я МО5 СарасИогя, [ЕЕЕ Тгапя.
Е1ес!гоп Рео[сея, Е0-26, 20! (1979). 47. Бке 5. М., О!ЬЬопз б. ЕИес(я о1 Липс(1оп Сцгча1иге оп Вгеа!гйо>чп Чо11аде !п Беп>(сопйис(огя, Бо[[й 5!а!е Е[ес1гоп., 9, 831 (1966). 48. РгепЬе! Л. Оп 1Ье ТЬеогу о1 Е!ес1Пс Вгеайо>чп о1 Р!е1ес1г)сз апй Е!ес1гоп!с Беинсопйис1огя, Тес!>. РЪуя.
[[55[1, 5, 685 (1938); Ои Рге-ВгеаИо>чп РЬепогиепа !и 1пзи!а1огя апй Е!ес1гоп!с Беги!сопйис1огз, Р[>уз. Рео., 54, 647 (1938). 49, О'Р>чуег д. Л. ТЬе ТЬеогу о1 Е1ес1Пса1 Сопйис11оп апй ВгеаИо>чп 1и Бо1Ы Р!е1ес1г(сз, С!агепйоп, Ох1огй, 1973. 50. Бхе 5. М. Спггеп1 Тгапзрог( апй Мах(гишп 01е!ес1г!с 51гепд1Ь о1 ЯИсоп %1г!йе Р!!и>з, 1. Арр[. Р[>уз., 38, 2951 (1967). 51. ЛоЬпяоп '>Ч. С. 51ийу о1 Е!ес1гои(с Тгапзрог( апй БгеаИо>чи 1и ТЫп 1пяи!а- 1!пд ГИп>я, ТесЬ. Кер.
Ь!о. 7, РПпсе1оп 1[п(чегз!1у, !979. 52. Ач-Роп М., БЬа1хЬея М., Р!Яе(апо Т. Н,, СайоИ 1. В. ТЬе Ь!а!иге о1 Е1ес1гоп Типпе!1пд 1п ЯОе, 1>п Рап1еИйег 5. Т., Ей. ТЬе РЬузйсз о1 БРО апй 1!я 1п1ег1асез, Регдагиоп, Ь!. У., 1978, р. 46. 53. К!е)п Ь!. Е!ес1г!са1 ВгеаИочгп 1и Бо1Ыз, Айчапсез !и Е1ес1гоп!сз апй Е!ес1гоп РЬуз(сз, Чо1. 26, Асайеиис, Ь!.
У., 1969, 54. ОзЬигп С. М., Огп!оий Р. ~Ч. 01е1ес1г!с ВгеаМо>чи !и ЯИсоп Р!ох! йе РИгиз оп ЯИсоп, /, Е[ес[гос[>ет. Бос., Бо![и' $[а[е Бс[. Тесйпо[., 119, 591 (1972). 55. НагаН Е. 01е!ес1г(с ВгеаИо>чп 1п Е1ес1г)саИу 51геззей ТЫп Р1!гия о1 ТЬеггпа1 510з, .[, Арр[. Раув., 49, 2478 (1978). 56. ВагЬе Р. Р. 1гиарщ Реч1сез ([я(пд 1Ье СЬагде-Соир!ей Сопсер1, Ргос.
[ЕЕЕ, 63, 38 (1975). 57. Веупоп й. Р. Е. ТЬе Вагйс Рг(пс(р!ез о1 СЬагде-Совр!ей Реч(сез, М[сгое[ес[гоп[ся, 7, 7 (1975). 58. Опд Р. О., Р1егге1 й. Р. Арргохииа(е Роггии!а 1ог Биг1асе СагПег Сопсеп1гаИоп 1п СЬагде-Совр!ей Реч1сея, Е1ес1гоп, [е[[., 1О, 6 (1974). 59. Воу1е %. 5., Би>!1Ь О. Е. СЬагце-Соир!ей Реч(сез — А Ь!е>ч АрргоасЬ 1о М15 Реч(се Ягис1игея, [ЕЕЕ Брес1гит, 8, 18 (!971). 60. Тогирзе(1 М. Р.
Ч!йео-Яапа! Оепега11оп, 1и Мс1.еап Т. Р., БсЬадеп Р,, Ейз., Е1ес1гоп>с !и>афид, Асайеиис, Ь!. У., 1979, р. 55. 61. Сагпез Л. Е., Козопос1су %. Р., КагиЬегд Е. О. аггее СЬагце Тгапя1ег !и СЬагде-Соир1ей Реч!сез, [ЕЕЕ Тгалз. Е[ес(гоп Реи[сея, Е0-19, 789 (1972). 62. Е!заЫ М. Н., СЬппЬег!а1и 5, О., %а!1 1.. А. К. СогирШег Мойе! апй СЬаг8е Тгапярог1 ЯшИея 1и БЬог1 Оа1е СЬагде-Соир!ей Реч!сез, Бо[[й 5!а!е Е!ес!гоп., 20, 61 (1977).
63, Тои>рзе(1 М. Р. ТЬе 1,[иап111а11че ЕИес1 о1 1и1ег(асе Яа1ея оп 1Ье Рег(оггпапсе о1 СЬагде-Соир!ей Реч)сез, !ЕЕЕ Тгапз. Е[ес1гоп. [)ео[сея, Е0-20, 45 (1973). 64. Тао Т. Р., Е!Из Ю. !х., Коз! Е.. РояЫег А. Реаз!ЫИ1у Яийу о1 РЬТе апй РЬБпТе 1п1гагей СЬагде Соир!ей 1гиадег, Ргос, Арр1. Соп!. ССР, Мача! Е1ес1гоп. ЕаЬ. Сеп1ег, Бап Р(едо, р. 259 (1973). 65. Адиз1а В„Наггоип Т. Сопсер(иа1 Рез1пд о1 ап Е1дЫ МедаЬу1е Н(аЬ Рег1оггиаисе СЬагае-Соир!ей 51огаде Реч(се, Ргос.
Арр1. Соп(. ССР, !>!ача1 Е!ес1гоп. 1аЬ. Сеп1ег, Баи 01е8о, р. 55 (1973). МДП-структуры. Приборы с зарядовой связью 66. Воу1е %. Б., Бпп(Ь б. Е. (). Б. Ра(еп1 3792322 (1974). 67. Фа!реп К. Н., КгагпЬес!г К. Н., Б(га1п К. 3., МсКеппа 3., БсЬгуег Х. 1., Бгп)!Ь б. Е. ТЬе Впг!ей СЬаппе1 СЬагде Сопр1ей Реу!се, Ве(1 Буз(. Тесй. Х., 51, 1635 (1972). 68. Впг! Р. 3. Ваяс ОрегаВоп о1 1Ье СЬагде Сопр!ед Рейсе, 1п1.
Соп1. ТесЬпо1. Арр1. ССР, ()плегз!!у о1 ЕйпЬпг6Ь, р. 1 (1974). 69. Кеп! %. Н. СЬагде Р!з!г1Ьп11оп !п Впг1ед-СЬаппе! СЬагде-Сопр1ес1 Рейсез, Вей Буз1. Тесй..?„52, 1009 (!973). 70. Вгежз,). К. А Бппр!!1!ед Н!ф-Ргес(пепсу МОБ СарасНапсе Еогпш1а, Бо1И $!а!е Е(есггоп„20, 60? (1977). 71, РеуЬ!гпу 1., Ес1еп К. С., Апбегзоп К. Л„Нагг(з 1. Б., )г. А 500-МНа баАз СЬагце-Сопр1ес1 Рейсе, АррГ. Р)гуз. 7.егг., 36, 151 (1980). Оглавление 58 65 ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА, ПРЕДИСЛОВИЕ АВТОРА, ВВЕДЕНИЕ ЧАСТЫ. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Глава 1. Физика и свойства полупроводников. 1.1.
Введение 1.2. Кристаллическая структура . 1.3. Энергетические зоны . 1.4. Концентрация носителей при термодинамическом равновесии . 1.5. Явления переноса . , 1.6. Фононные спектры. Оптические и тепловые свойства полупроводников. Поведение полупроводников при сильных электрических полях . 1.7. Основные уравнения для анализа работы полупроводниковых приборов Литература ЧАСТЫ!. БИПОЛЯРНЫЕ ПРИБОРЫ. Глава 2, Плоскостные диоды. 2.1. Введение 2.2.
Основы технологии. 2,3 Обедненный слой и барьерная емкость. 2.4. Вольт-амперные характеристики . 2.5. Пробой р — а-перехода . 2.6, Переходные процессы и шумы. 2.7. Схемные функции. 2.8. Гетеропереходы Литература , Глава 3. Биполярные транзисторы. 3.1. Введение 3.2. Статические характеристики, 3.3.
СВЧ-транзисторы 3.4. Мощные транзисторы. 3.5. Переключающие транзисторы . 3.6. Разновидности биполярных транзисторов. Литература 11 11 11 16 20 33 69 69 69 80 9! 103 117 121 132 139 !42 142 143 166 180 186 192 198 455 Оглавление 257 затвора 377 37? 378 394 429 450 Глава 4. Тиристоры. 4.1. Введение 4.2. Основные характеристики. 4.3. Диодный и триодиый тиристоры 4.4. Мощные тиристоры. 4.5. Диак и триак. 4.6. Однопереходные транзисторы и переключающие тиристоры. 4.7. Полевые тиристоры. Литература ЧАСТЬ !П.
УНИПОЛЯРНЫЕ ПРИБОРЫ. Глава 5. Контакты металл — полупроводник . 5.1. Введение 5.2. Зонные диаграммы . 5.3. Эффект Шоттки . 5,4. Теории процессов переноса заряда. 5.5. Высота барьера . 5.6. Структуры приборов. 5.7. Омический контакт. Литература Глава 6. Полевые транзисторы с р — а-переходом в качестве и полевые транзисторы типа металл — полупроводник, 6.1, Введение 6.2. Основные характеристики приборов. 6.3. Особенности характеристик реальных приборов.
6.4. Высокочастотные характеристики. 6.5. Другие полевые приборы. Литература Глава 7. МДП-структуры. Приборы с зарядовой связью . 7.1. Введение 7.2. Идеальная МДП-структура . 7,3. 31 — 510а — МОП-структуры . 7.4.' Приборы с зарядовой связью . Литература 202 202 202 221 235 243 247 252 254 257 257 258 262 266 283 310 318 321 325 325 327 338 355 366 374 УВАЖАЕМЫЙ ЧИТАТЕЛЬ! Ваши замечания о содержании книги, ее оформлении, качестве перевода и другие просим присылать по адресу: 129820, Москва, И-110, ГСП, 1-й Рижский пер., д.
2, издательство «Мир». С. Зи ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В 2-х томах Книга 1 Старший научный редактор И. М. Андреева Младший научный редактор Л. С. Сысоева Художник Д. А. Аиикеев Художественный редактор В. Б. Прищепа Технический редактор В. П. Сизова Корректор В. С. Соколов ИБ № 3809 Сдано в набор 10.04.84. Подписано к печати 13.09.84. Формат 60Х 90'А«. Бумага типографская № 1. Гарнитура литературная. Печать высокая. Объем !4.25 бум. л.
Усл. печ. л. 28,50. Уел. кр.-отт. 28,50. Уч.-изд. л. 26,13. Изд. № 20/2918 Тираж 16 000 экз. Зак. 106. Цена 2 р. 20 к. ИЗДАТЕЛЬСТВО «МИР» 129820, Москва, И-110, ГСП, 1-й Рижский пер., 2. Ленинградская типография № 6 ордена Трудового Красного Знамени Ленинградского объединения «Техническая книга» им. Евгении Соколовой Союзполиграфпрома прн Государственном комитете СССР по делам издательств, полиграфии и книжной торговли. 193144, г.
Ленинград, ул. Моисеенко, 1О. .