1629382485-048081f33d7067cb67d6bd3d4cee7eee (846428), страница 17

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 17)

Обыч-а)6)В)Рис. 4-10. Анодны е характеристики.а — пентода с переменной крутизной; б — высокочастотного пентода; в — луч ев о го тет­рода.но стремятся уменьшить ток экрапирующей сетки, чтобы снизитьпотребление энергии от источника питания. Кроме того, ж ела­тельно, чтобы переход от крутого начального участка характери­стики (реж им возврата) к пологим (режим прямого перехвата)происходил при возможно меньшем анодном напряжении. В этомслучае увеличивается рабочая область характеристик, соответ­ствующ ая реж иму перехвата.С этой целью конструкцию и расположение сеток стараютсясделать такими, чтобы обеспечить близкие к прямолинейным тра­ектории электронов, движущихся к аноду.

В лучевом тетроде этитребования удовлетворяются достаточно хорошо, так как траек­тории электронов искривляются лишь за счет влияния управляю­щей сетки; экранирующая сетка, шаг которой равен шагу управ­ляю щ ей сетки, влияет на траектории электронов незначительно.В лам пах д ля усиления сигналов высокой частоты экранирую­щую сетку стремятся сделать по возможности более густой,одновременно увеличивая расстояние между нею и другими сет­ками. Это противоречит, однако* требованиям снижения токаэкранирующей сетки и уменьшения времени пролета электронов,и поэтому решение должно быть компромиссным.

В лампах с гу ­стой экранирующей сеткой п оле в плоскости второй сетки полу­чается более однородным и переход от режима возврата к режимуперехвата происходит резче.Д л я уменьшения рассеяния электронов защ итной сеткой ееделают редкой и располагают по возможности бли ж е к аноду.По наклону характеристик на рабочем участке в режиме пря­мого перехвата можно судить о степени влияния анодного нап­ряжения на коэффициент токораспределения и на объемный зарядвблизи катода. В пентодах с густой экранирующей сеткой и срав­нительно густой защитной сеткой кривые /а = / (?7а)'и д у т почтипараллельно оси абсцисс.

Д л я усиления си гн алов с большойамплитудой требуются лампы с большим отрицательным напряже­нием запирания. Это требование в пентодах удовлетворяется с бо­лее редкой экранирующей сеткой. Поэтому в этих лампах анод­ные характеристики в режиме перехвата идут менее полого.На анодных характеристиках некоторых луч ев ы х тетродовв начале режима прямого перехвата наблюдается незначительный,но характерный для динатронного эффекта «п р о в а л» кривой анод­ного тока. Как правило, такое изменение анодной характеристикинаблюдается при больших отрицательных напряж ениях U C1,когда плотность потока электронов невелика и недостаточна дляполного подавления динатронного эффекта.Анодно-сеточные характеристики многоэлектродных ламп пред­ставлены на рис. 4-11.

Действующее напряжение в многоэлектрод­ных лампах согласно (4-4) практически не зависит от анодногонапряжения:U ^ U ^+ D ^ ,поэтому катодный ток/к = G ( U C1 + В Д 2) 3/2(4-15)равен нулю при условии£/ci + £>ii/c2 = 0.(4-16)В выражении (4-15) G — коэффициент пропорциональности,зависящий от конструкции лампы.Следовательно, напряжение запирания в многоэлектродных лам ­пах (/„ = 0) не зависит от анодного напряжения и определяетсясоотношением^с10 = - а д2.(4-17)Как видно из рис. 4-11, а, все характеристики при U C2 == const и различных значениях U a выходят из одной точки.Вследствие слабого влияния анодного напряжения на объемныйзаряд у катода в режиме прямого перехвата незначительно изме­няется и анодный ток при изменении t/a; анодно-сеточные харак­теристики представляют собой пучок очень близко расположенныхкривых, веерообразно расходящихся из одной точки.

Поэ­тому в справочниках эти характеристики или вообще не приво-Р и с. 4-11. Анодно-сеточные характеристики.о — семействохарактеристик; б — «к о р о т к а я » характеристика;лампы с переменной крутизной.в — характеристикадятся и ли ж е изображается лиш ь одна характеристика для номи­нальных значений и а и I I С2.Д л я различны х типов ламп эти характеристики могут заметноотличаться д р у г'о т друга. Н а рис. 4-11, б показана так называе­мая «короткая» анодно-сеточная характеристи­ка лампы с высоким значением [х и, следова­тельно, с небольшим напряжением запира­ния и сю- Н а рис.

4-11, в изобрая<ена «удлинен­ная» характеристика, типичная для пентодовс переменной (регулируемой) крутизной. В лам ­пах этого типа часть управляющей сетки(1 — 2 витка) делается более редкой (рис. 4-12).Такой пентод можно рассматривать как двепараллельно включенные лампы. Одна из нихс густой управляющей сеткой обладает обыч­ными высокими значениями 5 и ц. Другаялампа, соответствующая части управляющейсетки с большим шагом, имеет значительноменьший коэффициент усиления ¡д, и малуюР и с. 4-12.К он­крутизну характеристики.

Крутой участок 1стр ук ц и ясетки(рис. 4-11, в) характеристики соответствуетпентода с п ер ем ен ­первой лампе; пологий участок 2 — второйной к р у ти зн о й .лампе, потенциал запирания которой V £10 из-занебольш ого |х больше потенциала £^10- Эти лампы применяютсяв у си ли тел я х высокой частоты для автоматического регулирова­ния коэффициента усиления.Двойное управление анодным током в пентоде. Д л я управленияанодным током в пентоде может быть использована не тольк оуправляющая, но и защитная сетка. Поэтому помимо рассмотрен­ных статических характеристик представляют интерес такж е за­висимости /а = ср ( U cg) при U С1 = const и /а = срх ( U cl) приU C3 = const (рис.

4-13).Рассмотрим вначале одну из кривых /а = ф ( U C3) при U 'cl == const. В случае отрицательного напряжения — U C3 = — U C30результирующий потенциал между витками защитной сетки имеетотрицательное значение. Тормозящ ее действие этого потенциаль­ного барьера настолько велико, что все электроны отраж аютсяи возвращаются к экранирующей сетке.Рис.4-13.Характеристики, и ллю стр и р ую щ и еанодным током в пентоде.двойноеуп р а в ле н и еЛампа оказывается запертой напряжением — U C30 по анодномутоку, а ток экранирующей сетки при этом равен катодному ток у1К.

Напряжение на управляющей сетке практически не влияетна действующее напряжение в плоскости третьей сетки и напря­жение — U сэо остается неизменным д ля всех значений напряж е­ния — U C1.По мере уменьшения отрицательного напряжения — U c3 по­тенциальный барьер вблизи защитной сетки снижается: все б о л ь ­шее число электронов устремляется к аноду, ток /а растет, а ток/С2 падает. Таким образом, управление током /а путем измене­ния напряжения U C3 объясняется перераспределением потоковэлектронов между экранирующей сеткой и анодом.

В ли ян и е на­пряжения U c3 на объемный заряд у катода ничтожно м ало, поэ­тому катодный ток остается практически неизменным.Увеличение отрицательного напряжения U C1 сопровождаетсяснижением катодного тока и тока /а как части тока /к. Х ар а к терзависимостей /а = cpj (Z7Ci) при U C3 = const (рис. 4-13, б) объяс­няется иными процессами управления током. В этом случае анод­ный ток меняется из-за влияния управляющей сетки на объемныйзаряд у катода.

С уменьшением отрицательного напряжения— U C1 все больше электронов проходит плоскость управляющейсетки, растет не только катодный ток, но и токи 1а и /С2. С увели­чением отрицательного напряжения на третьей сетке уменьшаетсякоэффициент токораспределения кп = /а//С2 и на анод попадаетвсе меньшая часть электронов. Крутизна характеристик умень­шается.Сравнение характеристик, приведенных на рис. 4-13, а и б,показывает, что несмотря на различие в физических процессах,леж ащ их в основе этих зависимостей, анодным током в пентодеможно управлять, меняя напряжение как на управляющей,так и на защитной сетке.

Е сли, например, первая сетка исполь­зуется д ля управления анодным током, то, изменяя напряжениена третьей сетке, можно регулировать этот процесс за счет изме­нения крутизны характеристики /а =( U cl).4-3. П А РА М Е ТРЫ МНОГОЭЛЕКТРОДНЫ Х ЛАМ ППомимо статических параметров анодной цепи для многоэлек­тродных ламп используется также система параметров, учиты­вающих влияние напряжений и С1, С/С2 и и а на ток /С2 (статическиепараметры цепи экранирующей сетки). В пентоде, кроме того,представляют интерес параметры двойного управления аноднымтоком.Статические параметры анодной цепи для многоэлектродныхламп, как и для триода, учитывают влияние напряжений на элект­родах на анодный ток.К р у т и зн а анодно-сет очной характеристики отражает зависи­мость анодного тока тетрода или пентода от напряжения [7С1при условии постоянства всех остальных напряжений:¿/яdU сU C2 = const и U a — const (для пентода £7СЗ= const).(4-18)Геометрически, как и в триоде, крутизна характеристикиопределяется тангенсом у г л а наклона касательной к анодно-сеточной характеристике /а = Д ( и с1) в данной точке.

Д л я луче­вых тетродов и пентодов значения крутизны леж ат в пределах2 — 20 мА/В.Дифференциальное ( внутреннее) сопротивление имеет тот жесмы сл и то же геометрическое представление, что и в триоде.При его определении долж ны поддерживаться постоянными на­пряж ения на управляю щ ей и экранирующей сетках:оДdUaг = =¿ 7 ГU C1 = const и U C2 — const (для пентода С/сз = const).(4-19)Внутреннее сопротивление пентодов значительно выше, чемв триодах, и лежит в пределах от 200 кОм до нескольких мегаом.Статический коэффициент усиления.

О тносительное влияниенапряжений U Ci и U a на анодный ток в пентоде, как и в триоде,характеризуется статическим коэффициентом усиления:dUa 1(4-20)dUa I -?а= const и Uq 2 = const (для пентода Z7c3= c o n s t).^Значение |Л в тетроде вследствие меньшего влияния U a наанодный ток также значительно выше, чем в триоде: ц » 100 -*•700, а для пентодов (х достигает нескольких тысяч.Помимо трех основных статических параметров иногда исполь­зуется статический коэффициент усиления р.ас2> отображающийотносительное влияние напряжений U a и U C2 на анодный токлампы:dUai b » = — dUZ/а = const и U c i = const (для пентода U c3 = const).(4-21)Влияние папряжения С/02 по сравнению с влиянием Е/С1 наанодный ток в тетроде ослаблено в 1Ю х раз за счет экранирую­щего действия управляющей сетки.

Поэтому ^iac2 всегда меньше(г и равен 10 — 200.Следует отметить, что изменения анодного тока при вариациинапряжений С/а и U C2 происходят не столько из-за влияния наобъемный заряд у катода, сколько за счет изменения коэффици­ента токораспределения кп.Статические параметры цепи экранирующей сетки.

В некото­рых случаях нагрузка может быть включена в цепь экранирующейсетки. Тогда важно знать статические параметры, характеризую ­щие зависимость тока /С2 от напряжений на электродах лампы.К рут изнаÇ02== ^ ca I(А 221du ci \UC2 — const и U a — const (в пентоде U c3 — const) У*'*“ 1/отображает зависимость тока экранирующей сетки от напряженияU C1 и выражается геометрически тангенсом у г л а наклона каса­тельной к характеристике 1С2 = /3 ( U C1). К р ути зн а S С2 обычноменьше крутизны S , так как в режиме перехвата (рабочем режиме)ток /С2 и его абсолютное приращение при изменении катодноготока меньше тока /а и его приращения.Дифференциальное сопротивлениеdUcR-iCÏ -- d i rU ci = const и U a = const (в пентоде U c3 = const)(4'23)изображается геометрически как котангенс у г л а наклона каса­тельной к характеристике 1С2 = /4 ( U C2) и показывает влияниенапряжения U C2 на ток экранирующей сетки.Значение Я {С2 приблизительно такое же, как идля триода.Ст ат ический* коэффициент усиления(1Uга/c2= co n st и U a~ co n st (в пен-тоде t/c3= con st)(4-24)сравнивает влияние напряжений 17сг и 17с1 на ток экранирующейсетки.

Характеристики

Список файлов книги