1629382485-048081f33d7067cb67d6bd3d4cee7eee (846428), страница 86
Текст из файла (страница 86)
....................................................................... ..... 22410-1. Электрические переходы............................................................................. 22410-2. Симметричный электронно-дырочный п ер ехо д.......................... ..... 22410-3. Электронно-дырочный переход при подключении внешнегон а п р я ж е н и я .........................................................................................................23010-4. Различные типы п е р ех о д о в ................................................................ ......23710-5. Пробой электронно-дырочного п е р е х о д а ........................................... 24210-6. Емкости электронно-дырочного перехода ..........................................245ГЛАВ А О ДИ НН АДЦ АТАЯ.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ . . 24711-1. Устройство и классификация полупроводниковых диодов24711-2. Физические процессы в диоде.......................... ................................. ..... 24911-3. Вольт-амперная характеристика реального диода . . . .25711-4. Основные параметры диодов ......................................................... .......26011-5. Переходные процессы в полупроводниковых диодах .
. . .26211-6. Выпрямительные д и о д ы ............................................................................. 26611-7. Импульсные ди о ды ................................................................................... ..... 26811-8. Смесительные и детекторные д и о д ы ................................................... 27111-9. Стабилитроны....................................................................................................
27411-10. В а р и к а п ы ...................................................................................................275Г Л А В А Д Е В ЯТАЯ-12-1. Устройство и принцип д е й с т в и я .......................................................12-2. Физические процессы в транзисторе н его физические параметры ............................................................. ..................................................12-3. Транзистор как четырехполюсник .
I ...........................................12-4. Статические характеристики транзистора . ^...............................12-5. Статические параметры тр а н зи с т о р а ...............................................12-6. Работа транзистора с сигналами малых а м п л и т у д ...............12-7. Работа транзистора с высокочастотными и импульснымиси гн алам и ........................................................................................................12-8. Зависимость характеристик и параметров транзистора отрежима работы и температуры .......................................................12-9.
Особенности биполярных транзисторов различного назначения ................................................................................................................Г Л А В А ТРИ Н А Д Ц А Т А Я . ПОЛЕВЫЕ ТРА Н ЗИ СТО РЫ .......................13-1.13-2.13-3.13-4.Общие с в е д е н и я ................... ...
.................................................................Полевые транзисторы с управляющим /»-»-переходом . . .МДП транзисторы с изолированным затвором . - .......................Параметры полевых т р а н зи с т о р о в ...................................................Г Л А В А ЧЕТЫ РН АД Ц АТАЯ. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ИЗЛУЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ П Р И Б О Р Ы ...................................14-1. Общие с в е д е н и я .........................................................................................14-2.
Поглощение света п о луп р о во дн и кам и ..........................................14-3. Фоторезистнвный э ф ф е к т ......................................................................14-4. Ф оторезисторы ............................................................................................14-5. Фотогальваннческнй эффект.......................................................... <• .14-6.
Полупроводниковые ф отоэлементы..................................................14-7. Ф о т о д и о д ы ......................................................................................................14-8. Ф ототранзисторы.........................................................................................14-9. Излучающие полупроводниковые приборы...................................Г Л А В А П ЯТН АД Ц АТАЯ- РАЗЛИЧНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕП Р И Б О Р Ы ................................................................................................................15-1.
Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением ...............................................................................................................................15-2. Однопереходные транзисторы ......................................................15-3. Т и р и с т о р ы ....................................................................................................15-4. Туннельные диоды .....................................................................................Г Л А В А Ш ЕСТН АДЦ АТАЯ. ВОПРОСЫ ПРИМЕНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ........................................... ...16-1.
Шумы в полупроводниковых п р и б о р ах ...........................................16-2. Линейная аппроксимация характеристик диодов и ихэквивалентные схемы ..............................................................................16-3. Эквивалентные схемы биполярных тр ан зи сто р о в...................16-4. Линейная аппроксимация характеристик биполярного транзистора ............................................................. '.............................................16-5. Эквивалентные схемы нолевых тр ан зи стор о в...............................16-6. Надежность полупроводниковых приборов п параметрыэксплуатационных р еж и м о в ...................................................................Список литературы ...............................................................................................Алфавитный у к а з а т е л ь ........................................................................................278285298301312314323333336342342344349355358358358'362364368372378386389393393394395400404404407409412413414417418ВИКТОР НИКОЛАЕВИЧ ДУЛИНЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫРедактор Н.
Д. ФедоровРедактор издательства И. Н. СусловаОбложка художника А. А. ИвановаТехнический редактор Н. II. Х отулеваКорректор И. А. ВолодяеваИБ № 681Сдано в набор 24/1 1977 г. Подписано к печати 19/УШ 1977 г.Т-16104. Ф орм ат 60х90'/|в- Б ум ага типограф ская3.
Уел. неч.л. 26,5. У ч.-изд. л . 29,77. Тираж 60 ООО экз. Зак. 1054. Цена 1 р. 30 к.И здательство «Э н ерги я», М осква, М-114, Ш лю зовая наб., 10Ордена Т рудового Красного Знамени Ленинградское производственно-техническое объединение «Печатный Двор» имени А. М. Горького Союзполиграфпрома при Государственном комитете СоветаМинистров СССР по делам издательств, полиграфии и книжнойторговли, 197136, Ленинград, 11-136, Г атч и н ская ул ., 26,.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
