1629382485-048081f33d7067cb67d6bd3d4cee7eee (846428), страница 84
Текст из файла (страница 84)
В противном случае диод или транзисторможет выйти из строя или же будет работать в нежелательном режиме (слишком малый коэффициент усиления, искажения сигнала и др.). Пределы электрического режима приборов определяются максимально и минимально допустимыми парам етрам и, которые выбираются с определенным запасомпрочности соответственно меньше пли больше электрических величин, приводящих к выходу прибора из строя. Значения максимально и минимальнодопустимых параметров обычно приводятся в справочниках и паспортахприборов.При определении предельно допустимых параметров учитывается целыйряд факторов: изменение напряжения пробоя коллекторного перехода в зависимости от режима эмиттерной цепи (холостой ход, короткое замыкание,напряжение {/ЭБ), возможные значения сопротивления в цепи базы, температурный режим и др.Надежность работы приборов в предельном режиме во много раз ниженадежности их работы в рекомендуемом режиме.
При необходимости использовать прибор в предельном режиме следует помнить, что работа приборас использованием двух и более предельных параметров не допускается.Тепловые климатические и механические параметры. К ак известно,электрические свойства полупроводников существенным образом зависят оттемпературы окружающей среды. В гл. 11 и 12 был показан характер изменения основных параметров и характеристик полупроводниковых приборовпри изменении температуры. Диапазон рабочих температур прибора, в котором сохраняются его основные параметры, определяется максимальнойн минимальной температурами Г макс и Гмин окружающей среды. Д ля большинства приборов эти температуры соответственно равны + 70 н —60° С; длянекоторых приборов максимальная температура может быть и выше (120° С).Помимо этих параметров используется гакж в максимальная температураколлекторного перехода, во многом определяющая рассеиваемую прибороммощность.К числу климатических параметров относятся относительная влажпостьокружающей среды при температуре 40 СС и минимальное и максимальноеатмосферное давление.
В особых случаях оговаривается устойчивость приборов против морского тумана, циклических изменений температуры, радиоактивного облучения, космических лучей и пр.В качестве параметров механического режима в паспорте прибора могутбыть указаны : максимальные вибрационные ускорения в определенном диапазоне частот, максимальные ускорения при многократных ударных нагрузках , одиночных уд ар ах и т.
д.Для улучшения теплового режима работы мощные диоды и транзисторыснабжаются специальными внешними радиаторами, крепящимися на корпусеприбора, либо оговаривается их специальное крепление в аппаратуре, улучшающее теплоотвод.С целью повышения влагостойкости, температуроустойчивости и др. корпуса полупроводниковых приборов герметизируются, поверхность собственноприбора защищается специальным покрытием, например силиконовыми смолами с применением активных влагопоглотителей.СПИСОК Л И ТЕ РА Т У РЫ1. Власов В. Ф.
Электронные и понные приборы. М ., Связьпздат, 1900.2. Хлебников II. И. Электронные приборы. М ., «Связь», 1964.3. Батушев А. В. Электронные приборы. М ., «Высшая школа», 1969 г .4. Кацман Ю. А. Электронные лампы высоких и низких частот. М .,«Высшая школа», 1968.5. Клейнер Э. Ю. Основы теории электронных ламп. М., «Высшаяшкола», 1974.6. Шулейкин М. В. Электронные лампы. М ., Изд-во АНСССР, 1963.7. Шпангенберг К. Р.
Электронные лампы. Т . 1, 2. М ., «Советское радио»,1953-1954.8. Гапонов В. И. Электроника. Т. 1, 2. М ., Ф изматгиз, 1960.9. Царев Б. М. Расчет и конструирование электронных ламп. М .,«Энергия», 1967.10. Ван-дер-Зил. Флуктуации в радиотехнике и физике. М., Госэнергоиздат, 1958.И . Мощные электровакуумные приборы С В Ч . М ., «Мир», 1974.12. Жигарев А. А. Электронная оптика и электроннолучевые приборы.М ., «Высшая школа», 1972.13. Кноль М ., Кэйяан Б. Электроннолучевые трубки с цакопленпемзарядов. М., Госэнергопздат, 1955.14. Фотоэлектронные приборы.
М., «Н аука», 19С5. Авт.: II. А. Соболева, А. Г. Берковский, Н. О. Чечин, Р. Е. Елисеев.15. Ершш А. М. Лампы с холодным катодом. М ., «Энергия», 1972.10. Киттсль Ч. Введение в физику твердого тела. М ., Физматгиз, 1902.17. Спроул Р. Современная физика. М., Ф изматгиз, 1961.18.
Орешкин П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М., «Высшая школа», 1977.19. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М .,«Советское радио», 1963.20. Шайв Дж. Н. Физические свойства и конструкции полупроводниковых приборов. М., Госэнергопздат, 1903.'21. Киреев И. С. Физика полупроводников. М ., «Высш ая школа», 1969.22. Шалимова К . В.
Физика полупроводников. М ., «Энергия», 1970.23. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. М ., «Энергия, 1973.24. Степаненко И. И. Основы теории транзисторов и транзисторныхсхем. М., «Энергия», 1973.25. Пасынков В. В ., Чиркин Л.
К ., Шинков А . Д. Полупроводниковыеприборы. М., «Высшая школа», 1973.20. Носов Ю. Р. Полупроводниковые импульсные диоды. М., «Советское радио», 1905.27. Мазель Е. 3. Мощные транзисторы. М., «Энергия», 1909.28. Кремниевые планарные транзисторы. Под ред. Я . А. Федотова.М., «Советское радио», 1973.29. Берман Л. С. Введение в физику вари кап ов. М., «Н аука», 1968.30. Стриха В. И ., Бузанева Е. В., Радзиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. М., «Советское радио», 1974.31. Валиев К .
А ., Кармазинский А. Н ., Королев А. М. Цифровые интегральные схемы на МДП транзисторах. М., «Советское радио», 1971.АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬЕЕмкость коллекторного перехода 297— р-п перехода барьерная 245— — — диффузионная 246— — полупроводникового диода 262— — эмиттерного перехода 292Акцепторные примеси 187Аппроксимация х арактер и сти к диода 122— — полупроводникового диода 407— — тетрода 123— — транзистора 412— — триода 123— — электронных лам п 120* 3Закон степени 3/2 для диода 28— — — триода 45Запирающий слой 227Запоминающие трубки 162Защитная сетка 77ББаза диода 239— транзистора 279Барьерная емкость 245ВIВарикап 275Виртуальный катод 77Время жизни носителей зар я д а 195Вторичная электронн ая эмиссия 15ГГенерация пар зар ядо в 189Гептод 105Гетеропереход 241Графекон 164ДДвухэлектродные лампы (диоды) 24Действующее нап ряж ени е в пентоде 79— — — тетроде 78— — — триоде 43Декатроны 177Динатронный эффект 75Диоды полупроводниковые}— варикапы 275выпрямительные 266детекторные 273импульсные 268классификация 248параметры 260с барьером Шоттки 270смесительные 271стабилитроны 274Дифференциальное сопротивление выходное полевых транзисторов 356— — диода 35— — коллекторного перехода 29G— — многоэлектродных ламп 86— — полупроводникового диода 261— — триода 57— — эмиттерного перехода 291Диффузии уравнение 222— коэффициент 219Диффузия частиц 218Добротность вар и кап а 278Донорные примеси 186Дрейфовое движение 214ИИзлучение света 389Инерция электронов 98Инжекции коэффициент 254— уровень 232Ионные приборы 165ККатоды термоэлектронные 16— — конструкция 17— — параметры 16Кинескоп 160Концентрация носителей заряда 207, 208,.210Коэффициент передачи тока в транзисторе288— усиления по напряжению 69— — статический триода 57— — тетрода и пентода 87Кремниевые батареи 377Крутизна характеристики диода 35— — многоэлектродных ламп 87— — полевых транзисторов 356— — рабочая 69— — триода 56ЛЛучевой тетрод 76«Люминесцентный конденсатор 391Люминесценция 390Люминофор 152ММДП транзистор с встроенным каналом 349— — — индуцированным каналом 350Междуэлектродные емкости высокочастотных ламп 100— — диода 36— — ламп дл я широкополосного усиления 94— — многоэлектродных ламп 91— — триода 62Модуляции ширины базы эффект 294Молла — Эберса модель 301нНадежность электронных ламп 124— — полупроводниковых приборов 414Напряжение запирания в тетроде и пен*тоде 83— — — триоде 45ООбнаружительная способность 367Обратная связь по напряжению 295Обратные токи в транзисторе 287Осциллографическйе трубки 157Отклоняющая система магнитная 150— — электростатическая 147ППараметры полевых транзисторов 355— статические диодов 34— — многоэлектродных ламп 86— — триодов 55, 59— тиристоров 399транзистора высокочастотных 326— — импульсные 332— — малосигнальные "318— — статические 312— туннельных диодов 404— фотодиодов 382— фоторезисторов ^68— фототранзнсторов 389— фотоэлементов 376Подвижность 215Полупроводниковые материалы 181— — классификация 183— приборы, устройство 181Пороговый поток 317Потенциалоскоп 162Потенциальный барьер перехода 228Примеси акцепторные 187— в полупроводниках 185— донорные 186Пробой перехода лавинный 243— — тепловой 244— — туннельный 243Проницаемость лампы (триода) 44— — пентода 78— — тетрода 78Транзисторы биполярные классиф икация281— — мощные 341— — низкочастотные 336— однопереходные 394— — параметры физические 285— полевые, устройство 342— — режимы включения 282— — с изолированным затвором 349— — — управляю щ им переходом 344— — устройство 279Трехэлектродные лампы (триоды) 40Трнннстор 395Трнод-гептод 105Токораспределенне в тетроде и пентоде 79— — триоде 47Туннельный диод 400Угол пролета 98Уравнение непрерывности 221Ферми распределение 203— уровень 203, 209, 212Ф окусирую щ ая система магнитная 145— — электростатическая 142Ф отогальванический эффект 368Фотодиод 378 V— лавинный 384— с барьером Шоттки 384Фотопроводимость 362— тем н овая 363Фоторезистнвный эффект 362Фоторезнеторы 364Фототранзистор 387Фото-э.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
